Question

【題目】鉀和碘的相關(guān)化合物在化工醫(yī)藥材料等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用�；卮鹣铝袉栴}:

（1）基態(tài)K原子中，核外運(yùn)動狀態(tài)不同的電子共________種，占據(jù)最高能級的電子的電子云輪廓圖形狀為________。

（2）K和Cr屬于同一周期，且核外最外層電子構(gòu)型相同。第一電離能比較:K________(填“>”或“<”)Cr,金屬鍵強(qiáng)度比較:K________(填“>”或“<")Cr.

（3）IO3-離子的立體構(gòu)型的名稱為________，中心原子的雜化方式為________.

（4）HIO4的酸性強(qiáng)于HIO3,其原因?yàn)?/span>________

（5）KIO3晶體是一種性能良好的非線性光學(xué)材料，晶胞如圖。

晶胞的棱長為a=0.446nm,晶胞中K、I、O分別處于頂角、體心、面心位置，K與I間的最短距離為________nm,與K緊鄰的O的個(gè)數(shù)為________。

Answer 1

【答案】19 球形 ＜ ＜ 三角錐形 sp3雜化 HIO4中的非羥基氧原子數(shù)目更多，使得I的正電性更高，導(dǎo)致I－O－H中O的電子向I偏移，羥基更容易電離出H+，酸性更強(qiáng) nm 或0.386 nm 12

【解析】

（1）每個(gè)電子運(yùn)動狀態(tài)都不相同，4S能級的電子云輪廓圖形狀為球形；

（2）K和Cr屬于同一周期，K的原子半徑較大，較容易失去電子。K的原子半徑較大，且價(jià)電子較少，金屬鍵較弱；

（3）若中心原子A有孤電子對，根據(jù)中心原子價(jià)層電子對判斷VSEPR模型，結(jié)合孤電子對判斷空間構(gòu)型；

（4）HIO4中I的正電性更高，導(dǎo)致I－O－H中O的電子向I偏移，更容易電離出H+，酸性更強(qiáng)；

（5）K與I間的最短距離為體對角線的一半。O位于面心，K位于頂點(diǎn)，1個(gè)頂點(diǎn)為12個(gè)面共有。

（1）基態(tài)K原子的核外電子排布式為1S22S22P63S23P64S1，總共19個(gè)電子，每個(gè)電子運(yùn)動狀態(tài)都不相同，則核外運(yùn)動狀態(tài)不同的電子共19種，占據(jù)最高能級為4S，電子云輪廓圖形狀為球形；

（2）K和Cr屬于同一周期，K的原子半徑較大，較容易失去電子，故第一電離能：K＜Cr。K的原子半徑較大，且價(jià)電子較少，金屬鍵較弱，金屬鍵強(qiáng)度：K＜Cr；

（3）IO3-離子中心原子I原子價(jià)層電子對為=4， VSEPR模型為四面體，由于含1對孤電子對，故空間構(gòu)型是三角錐形，中心原子雜化方式是sp3雜化；

（4）HIO4的酸性強(qiáng)于HIO3，是因?yàn)?/span>HIO4中非羥基氧原子的數(shù)目更多，便得I的正電性更高，導(dǎo)致I－O－H中O的電子向I偏移，羥基更容易電離出H+，酸性更強(qiáng)；

（5）K與I間的最短距離為體對角線的一半，則K與O間的最短距離為a=0.446nm。O位于面心，K位于頂點(diǎn)，1個(gè)面心的原子參與形成2個(gè)晶胞，1個(gè)頂點(diǎn)參與形成8個(gè)晶胞，每個(gè)晶胞中與K緊鄰的O個(gè)數(shù)為3個(gè)，故在晶體中，與K緊鄰的O數(shù)目是12個(gè)。