9.硫是一種重要的非金屬元素,廣泛存在于自然界,回答下列問題:
(1)基態(tài)硫原子的價層電子排布圖是
(2)①硫單質(zhì)的一種結(jié)構(gòu)為,雜化方式為sp3,該物質(zhì)難溶(填“可溶”或“難溶”)于水.
②SO42-、CS2、CO32-鍵角由大到小的順序是CS2>CO32->SO42-
(3)含硫的物質(zhì)的特殊性質(zhì)與其結(jié)構(gòu)相關(guān).
①熔點:SF6<AIF3(填“>”或“<”),原因是SF6是分子晶體,AlF3是離子晶體,離子晶體的熔點高于分子晶體
②分析并比較物質(zhì)A:與B:的沸點高低及其原因:B>A,因為B可以形成分子間氫鍵
(4)ZnS晶胞如圖所示:

①由圖可知,Zn2+填在了S2+形成的正四面體空隙中.
②已知晶胞密度為ρg/cm3,阿伏加德羅常數(shù)為NA,則晶胞邊長為$\root{3}{\frac{4×(65+32)}{ρ{N}_{A}}}×1{0}^{10}$  pm.(計算表達式)

分析 (1)S位于周期表中第3周期,第VIA族,其價層電子排布式為3s23p4;
(2)①根據(jù)S單質(zhì)的結(jié)構(gòu)判斷,S原子與其他S原子形成兩根共價鍵,本身還有兩對孤電子對,據(jù)此判斷雜化方式,單質(zhì)硫難溶于水;
②根據(jù)VSEPR理論和雜化軌道理論分別判斷SO42-、CS2、CO32-的空間構(gòu)型,據(jù)此判斷鍵角大。
(3)①SF6為分子晶體,AlF3為離子晶體,離子晶體熔點高于分子晶體;
②對羥基苯磺酸能形成分子間氫鍵,鄰羥基苯磺酸能形成分子內(nèi)氫鍵,據(jù)此分析二者沸點大。
(4)①聯(lián)想到ZnS和金剛石晶胞的相似性,根據(jù)立體幾何分析Zn2+在S2-中的填隙方式;
②根據(jù)晶體密度公式$ρ=\frac{z{M}_{r}}{{N}_{A}V}$計算,其中z為一個晶胞的粒子數(shù),Mr為一個粒子的相對質(zhì)量,V為一個晶胞的體積.

解答 解:(1)S位于周期表中第3周期,第VIA族,其價層電子排布式為3s23p4,則基態(tài)硫原子的價層電子排布圖是,
故答案為:;
(2)①根據(jù)S單質(zhì)的結(jié)構(gòu)判斷,S原子與其他S原子形成兩根共價鍵,本身還有兩對孤電子對,則有4個雜化軌道,因此雜化方式為sp3,單質(zhì)硫難溶于水,
故答案為:sp3;難溶;
②對于SO42-,根據(jù)VSEPR理論,中心S原子的配位原子數(shù)為BP=4,孤電子對數(shù)為LP=$\frac{6-2×4+2}{2}$=0,則其價電子對數(shù)為VP=BP+LP=4+0=4,根據(jù)雜化軌道理論,中心S原子為sp3雜化,鍵角為109°28′,
對于CS2,根據(jù)VSEPR理論,中心C原子的配位原子數(shù)為BP=2,孤電子對數(shù)為LP=$\frac{4-2×2}{2}$=0,則其價電子對數(shù)為VP=BP+LP=2+0=2,根據(jù)雜化軌道理論,中心C原子為sp雜化,鍵角為180°,
對于CO32-,根據(jù)VSEPR理論,中心C原子的配位原子數(shù)為BP=3,孤電子對數(shù)為LP=$\frac{4-2×3+2}{2}$=0,則其價電子對數(shù)為VP=BP+LP=3+0=3,根據(jù)雜化軌道理論,中心C原子為sp2雜化,鍵角為120°,
因此鍵角大小為:CS2>CO32->SO42-,
故答案為:CS2>CO32->SO42-;
(3)①SF6為分子晶體,AlF3為離子晶體,離子晶體熔點高于分子晶體,所以熔點:SF6<AlF3,原因是:SF6是分子晶體,AlF3是離子晶體,離子晶體的熔點高于分子晶體,
故答案為:<;SF6是分子晶體,AlF3是離子晶體,離子晶體的熔點高于分子晶體;
②對羥基苯磺酸能形成分子間氫鍵,鄰羥基苯磺酸能形成分子內(nèi)氫鍵,所以沸點對羥基苯磺酸>鄰羥基苯磺酸,原因為:對羥基苯磺酸能形成分子間氫鍵,
故答案為:B>A,因為B可以形成分子間氫鍵;
(4)①聯(lián)想到ZnS和金剛石晶胞的相似性,S2-形成的是正四面體結(jié)構(gòu),則Zn2+填在了S2+形成的正四面體空隙中,
故答案為:正四面體;
②取1mol晶胞,則有NA個晶胞,設(shè)晶胞參數(shù)為acm,則一個晶胞的體積為V0=a3cm3,對于立方晶胞,頂點粒子占$\frac{1}{8}$,面心粒子占$\frac{1}{2}$,內(nèi)部粒子為整個晶胞所有,則一個ZnS晶胞中,含有Zn的數(shù)目為$8×\frac{1}{8}+6×\frac{1}{2}=4$,含有S的數(shù)目為4,因此1molZnS的質(zhì)量為m=4×(65+32)g,已知晶體的密度為ρg/cm3,則有$ρ=\frac{m}{{N}_{A}{V}_{0}}$=$\frac{4×(65+32)}{{N}_{A}{a}^{3}}$,可得a=$\root{3}{\frac{4×(65+32)}{ρ•{N}_{A}}}cm$=$\root{3}{\frac{4×(65+32)}{ρ{N}_{A}}}×1{0}^{10}$pm,
故答案為:$\root{3}{\frac{4×(65+32)}{ρ{N}_{A}}}×1{0}^{10}$.

點評 本題考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)知識,包含價電子排布圖的書寫,價層電子對互斥理論,雜化軌道理論,判斷粒子的鍵角,晶體的熔點比較,氫鍵的性質(zhì),晶胞的計算,涉及的知識點較多,考查較為全面,題目難度不大.

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③濃度相同的下列三種溶液:(A)NH4Cl溶液(B) (NH42SO4溶液(C)NH4HSO4溶液,則c(NH4+)由大到小的順序為B>C>A(用序號填空).
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