【題目】芯片是中美經(jīng)貿(mào)摩擦的焦點之一。制造芯片的高純硅可以用下述方法制�。ǚ磻�(yīng)條件略），下列說法錯誤的是：

A. 反應(yīng)①、③均為置換反應(yīng)

B. SiCl4中Si的化合價為+4

C. Si是金屬元素，因此制造芯片的高純硅具有導(dǎo)電性

D. 硅原子的核電荷數(shù)為14

【答案】C

【解析】

A、置換反應(yīng)是單質(zhì)和化合物反應(yīng)生成單質(zhì)和化合物，反應(yīng)①為二氧化硅和碳反應(yīng)生成硅和一氧化碳，反應(yīng)③為四氯化硅和氫氣反應(yīng)生成硅和氯化氫，均為置換反應(yīng)，故A正確；

B、SiCl4中，氯元素的化合價為-1，根據(jù)正負化合價的代數(shù)和為零，所以Si的化合價為+4，故B正確；

C、Si是非金屬元素，不是金屬元素，故C錯誤；

D、硅的原子序數(shù)是14，硅原子的核電荷數(shù)為14，故D正確；

故選C。

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】（1）在25 ℃下，向濃度均為0.1 mol·L－1的MgCl2和CuCl2混合溶液中逐滴加入氨水，先生成________沉淀(填化學(xué)式)，生成該沉淀的離子方程式為___________。已知25 ℃時Ksp[Mg(OH)2]＝1.8×10－11，Ksp[Cu(OH)2]＝2.2×10－20。

（2）向BaCl2溶液中加入AgNO3和KBr，當(dāng)兩種沉淀共存時，＝________。[Ksp(AgBr)＝5.4×10－13，Ksp(AgCl)＝2.0×10－10]

（3）已知Fe(OH)3的溶度積常數(shù)Ksp＝1.1×10－36。室溫時在FeCl3溶液中滴加NaOH溶液，當(dāng)溶液pH為3時，通過計算說明Fe3＋是否沉淀完全_______________________。(提示：當(dāng)某離子濃度小于10－5 mol·L－1時可以認為該離子沉淀完全)

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】能用表示的反應(yīng)是

A.醋酸與氨水B.稀硫酸與氫氧化鋇溶液

C.稀鹽酸與氫氧化銅D.稀硫酸與燒堿溶液

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】水合肼(N2H4·H2O)為無色透明的油狀發(fā)煙液體，是一種重要的精細化工原料，其制備的反應(yīng)原理為NaClO＋2NH3===N2H4·H2O＋NaCl。下列關(guān)于實驗室制備水合肼的操作不正確的是(　　)

甲 乙 丙 丁

A. 裝置甲中試劑X可以選擇生石灰 B. 裝置乙作為反應(yīng)過程的安全瓶

C. 裝置丙制備水合肼時氨氣從b口進入 D. 裝置丁可用于吸收多余的尾氣

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】指出下列反應(yīng)中的氧化劑和還原劑，寫出發(fā)生氧化反應(yīng)和還原反應(yīng)的物質(zhì)中對應(yīng)元素的名稱：

（1）2KMnO4K2MnO4+MnO2+O2↑，___________

（2）2KNO3+3C+SK2S+3CO2↑+N2↑，_________

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】硫酸反應(yīng)制取氫氣時，下列措施不能使氫氣生成速率加大的是( )

A. 對該反應(yīng)體系加熱

B. 不用稀硫酸，改用98%的濃硫酸

C. 滴加少量CuSO4溶液

D. 不用鐵片，改用鐵粉

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】某實驗小組依據(jù)反應(yīng)AsO43-+2H++2I- AsO33-+I2+H2O設(shè)計左下圖原電池，探究pH對AsO43-氧化性的影響。測得電壓與pH的關(guān)系如右下圖，下列有關(guān)敘述錯誤的是

A. pH＞0.68時，甲燒杯中石墨為負極

B. pH=0.68時，反應(yīng)處于平衡狀態(tài)

C. pH＞0.68時，氧化性I2＞AsO43-

D. pH=5時，負極電極反應(yīng)式為2I--2e-=I2

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】1L稀硝酸和稀硫酸的混合液，其物質(zhì)的量濃度分別為0.1mol/L和0.4mol/L。若向該混合溶液中加入足量的銅粉，從離子反應(yīng)的角度分析，則最多能溶解銅粉的質(zhì)量為（ ）

A. 9.6gB. 6.4 gC. 3.2 gD. 2.4 g

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

【題目】如圖所示，某化學(xué)興趣小組設(shè)計了一個燃料電池，并探究氯堿工業(yè)原理和粗銅精煉原理，其中乙裝置中X為陽離子交換膜。根據(jù)要求回答相關(guān)問題:

(1)通入氧氣的電極為_____(填“正極”或“負極”)，通氫氣一極的電極反應(yīng)式為_________________；

(2)鐵電極為_______(填“陽極”或“陰極”)，乙裝置中電解反應(yīng)的化學(xué)方程式為_________________。

(3)若在標準狀況下，有1.12 L氧氣參加反應(yīng)，丙裝置中陰極增重的質(zhì)量為______g；

(4)某粗銅中含有鐵、金、銀和鉑等雜質(zhì)，通過電解精制后，為從電解液中制得硫酸銅晶體(CuSO4·5H2O),設(shè)計了如下工藝流程:

已知:幾種金屬陽離子開始沉淀和沉淀完全的pH:

氫氧化物開始沉淀時的pH

氫氧化物沉淀完全時的pH

Fe3+

1.9

3.2

Fe2+

7.0

9.0

Cu2+

4.7

6.7

①步驟I中加入試劑A的目的是_____________________________，試劑A應(yīng)選擇______(填序號);

a.氯氣 b.過氧化氫 C.酸性高錳酸鉀溶液

選擇該試劑的原因_____________________________________________________；

②步驟II中試劑B為_________，調(diào)節(jié)pH的范圍是___________；

③步驟III的操作是加熱濃縮、_______、___________。

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