A. | Mg | B. | C | C. | Si | D. | S |
分析 根據(jù)L、M電子層最多排列的電子個(gè)數(shù)結(jié)合M層與L層上電子的關(guān)鍵判斷該元素,注意M層為最外層時(shí),該層上電子不超過(guò)8個(gè).
解答 解:L層上最多排8個(gè)電子,L層電子數(shù)是M層電子數(shù)的2倍,所以M層上排4個(gè)電子,該原子核外共有2+8+4=14個(gè)電子,原子的核外電子數(shù)=原子的原子序數(shù)=14,所以該元素是Si元素.
故選C.
點(diǎn)評(píng) 本題考查了原子的核外電子排布,為高頻考點(diǎn),側(cè)重于學(xué)生的分析能力的考查,難度不大,根據(jù)各個(gè)電子層上排列的電子個(gè)數(shù)結(jié)合題意分析解答即可.
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:填空題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 1,3?二甲基戊烷 | B. | 2?甲基??3 乙基丁烷 | ||
C. | 3,4?二甲戊烷 | D. | 2,3?二甲基戊烷 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:多選題
A. | NH4++OH-→NH3•H2O | B. | 2Na+2H2O→2Na++2OH-+H2↑ | ||
C. | HCO3-+OH-→H2O+CO32- | D. | 2Na+2H2O→2NaOH+H2↑ |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 吸氧腐蝕比析氫腐蝕更加普遍,因?yàn)槲醺g的速度比析氫腐蝕快 | |
B. | 鐵閘門(mén)與直流電源正極相連從而防止閘門(mén)腐蝕的方法稱為外接直流電源的陰極保護(hù)法 | |
C. | 金屬的電化學(xué)腐蝕比化學(xué)腐蝕更普通 | |
D. | 用原電池的原理保護(hù)金屬的方法稱為犧牲陽(yáng)極的陰極保護(hù)法 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 1mol任何氣體的體積均為22.4L | |
B. | 32g氧氣的體積約為22.4L | |
C. | 標(biāo)準(zhǔn)狀況下,18g水的體積是22.4L | |
D. | 標(biāo)準(zhǔn)狀況下,1mol任何氣體的體積都約為22.4L |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | ①③ | B. | ③⑤ | C. | ②③ | D. | ②④ |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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