15.ⅢA族的硼、鋁、鎵、銦、鉈等元素在化合物中通常表現(xiàn)出+3價(jià),含ⅢA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途.請(qǐng)回答下列問(wèn)題.
(1)基態(tài)B原子核外電子排布式1s22s22p1,在BF3分子中中心原子B的軌道雜化方
式sp2雜化.
(2)氯化鋁(AlCl3)為無(wú)色透明晶體或白色而微帶淺黃色的結(jié)晶性粉末,密度2.44g/cm3,熔點(diǎn)190℃(2.5大氣壓),沸點(diǎn)182.7℃,在177.8℃升華,氯化鋁的蒸氣或溶于非極性溶劑中或處于熔融狀態(tài)時(shí),都以共價(jià)的二聚成Al2Cl6形式存在,則氯化鋁屬于分子晶體(填所屬晶體類型)
(3)砷化鎵屬于第三代半導(dǎo)體,它能直接將電能轉(zhuǎn)變?yōu)楣饽,砷化鎵燈泡壽命是普通燈泡?00倍,而耗能只有其中10%,推廣砷化鎵等發(fā)光二極管(LED)照明,是節(jié)能減排的有效舉措,砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與金剛石相似.試回答下列問(wèn)題:
①下列說(shuō)法正確的是AD(填序號(hào)).
A.砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)中Ga原子的軌道雜化方式為sp3
B.第一電離能:As<Ga
C.電負(fù)性:As<Ga
D.砷和鎵都屬于p區(qū)元素
②砷化鎵是將(CH33Ga和AsH3用MOCVD方法制備得到,該反應(yīng)在700℃進(jìn)行,反應(yīng)的方程式為(CH33Ga+AsH3$\stackrel{700℃}{→}$GaAs+3CH4
(4)鉈化鈉的晶胞結(jié)構(gòu)如圖,該物質(zhì)化學(xué)式為NaTl.已知該晶體是立方晶系,Na、Tl最近距離為a pm,寫(xiě)出計(jì)算該晶體的密度$\frac{681\sqrt{3}}{8×1{0}^{-30}×{N}_{A}×{a}^{3}}$ g/cm3.(已知阿佛加德羅常數(shù):NA•mol-1

分析 (1)B原子核外電子數(shù)為5,根據(jù)能量最低原理書(shū)寫(xiě)核外電子排布式;BF3分子中B原子形成3個(gè)B-F鍵,沒(méi)有孤對(duì)電子,雜化軌道數(shù)目為3;
(2)氯化鋁的熔沸點(diǎn)比較低,易溶液非金屬性溶解,應(yīng)屬于分子晶體;
(3)①A.砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與金剛石相似,Ga原子周圍有4個(gè)As原子,雜化軌道數(shù)目為4;
B.同周期元素從左到右第一電離能呈增大趨勢(shì),ⅡA、ⅤA族高于同周期相鄰元素的;
C.同周期元素從左到右電負(fù)性逐漸增大;
D.As、Ga分別處于VA族、ⅢA族,處于p區(qū)元素;
②砷化鎵可由(CH33Ga和AsH3在700℃下反應(yīng)制得,根據(jù)原子守恒可知還生成CH4;
(4)根據(jù)均攤法計(jì)算晶胞中Na、Tl原子數(shù)目,確定化學(xué)式,計(jì)算晶胞質(zhì)量,晶胞體內(nèi)小立方體體心黑色球與小立方體頂點(diǎn)白色球之間距離最近,則晶胞體對(duì)角線長(zhǎng)度為4a pm,故晶胞棱長(zhǎng)為$\frac{4a}{\sqrt{3}}$ pm,再根據(jù)ρ=$\frac{m}{V}$計(jì)算晶胞密度.

解答 解:(1)B原子核外電子數(shù)為5,核外電子排布式為1s22s22p1;BF3分子中B原子形成3個(gè)B-F鍵,沒(méi)有孤對(duì)電子,雜化軌道數(shù)目為3,B原子采取sp2雜化,
故答案為:1s22s22p1;sp2雜化;
(2)氯化鋁的熔沸點(diǎn)比較低,易溶液非金屬性溶解,應(yīng)屬于分子晶體,
故答案為:分子;
(3)①A.砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與金剛石相似,Ga原子周圍有4個(gè)As原子,雜化軌道數(shù)目為4,Ga原子的軌道雜化方式為sp3,故A正確;
B.同周期元素從左到右第一電離能呈增大趨勢(shì),ⅡA、ⅤA族高于同周期相鄰元素的則第一電離能:As>Ga,故B錯(cuò)誤;
C.同周期元素從左到右電負(fù)性逐漸增大,則電負(fù)性:As>Ga,故C錯(cuò)誤;
D.As、Ga分別處于VA族、ⅢA族,處于p區(qū)元素,故D正確,
故選:AD;
②反應(yīng)物為(CH33Ga和AsH3,生成物為GaAs,根據(jù)原子守恒可知還應(yīng)生成CH4,反應(yīng)的化學(xué)方程式為:(CH33Ga+AsH3$\stackrel{700℃}{→}$GaAs+3CH4,
故答案為:(CH33Ga+AsH3$\stackrel{700℃}{→}$GaAs+3CH4;
(4)根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)圖可知,在晶胞的每個(gè)棱邊的中點(diǎn)上各有一個(gè)鈉離子,體心上也有一個(gè)鈉離子,在由三個(gè)相鄰的棱邊中點(diǎn)和體心構(gòu)成的互不相鄰的四個(gè)正四面體的中心也有一個(gè)鈉離子,這樣將所有鈉離子連起來(lái),結(jié)構(gòu)與金剛石的結(jié)構(gòu)相似,根據(jù)均攤法,晶胞中含有的T1的原子數(shù)為8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$+4=8、Na的個(gè)數(shù)為12×$\frac{1}{4}$+1+4=8,所以該晶胞中鈉離子和鉈離子個(gè)數(shù)為8:8=1:1,所以其化學(xué)式為NaTl;
晶胞質(zhì)量為8×$\frac{23+204}{{N}_{A}}$g,晶胞體內(nèi)小立方體體心黑色球與小立方體頂點(diǎn)白色球之間距離最近,則晶胞體對(duì)角線長(zhǎng)度為4a pm,故晶胞棱長(zhǎng)為$\frac{4a}{\sqrt{3}}$ pm,則晶胞密度為:8×$\frac{23+204}{{N}_{A}}$g÷($\frac{4a}{\sqrt{3}}$×10-10 cm)3=$\frac{681\sqrt{3}}{8×1{0}^{-30}×{N}_{A}×{a}^{3}}$g.cm-3
故答案為:NaTl;$\frac{681\sqrt{3}}{8×1{0}^{-30}×{N}_{A}×{a}^{3}}$.

點(diǎn)評(píng) 本題考查是度物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的考查,涉及核外電子排布、晶體類型與性質(zhì)、電離能、電負(fù)性、晶胞計(jì)算等,(4)中為難點(diǎn)、易錯(cuò)點(diǎn),需要學(xué)生具備一定的空間想象與數(shù)學(xué)計(jì)算能力,關(guān)鍵是確定處于最近位置的Tl、Na原子計(jì)算晶胞棱長(zhǎng).

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題

5.下列化學(xué)物質(zhì)的用途不正確的是( 。
A.Na2O常用于潛水艇或呼吸面具的供氧劑
B.氧化鎂用作耐火材料
C.利用NaHCO3治療胃酸過(guò)多
D.FeCl3溶液可用于刻制印刷銅電路板

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題

6.用18mol•L-1 濃硫酸配制100mL 3.0mol•L-1 稀硫酸的實(shí)驗(yàn)步驟如下:
①計(jì)算所用濃硫酸的體積、诹咳∫欢w積的濃硫酸  ③溶解、芾鋮s  ⑤轉(zhuǎn)移、洗滌、薅ㄈ、搖勻  ⑦裝瓶貼標(biāo)簽
完成下列問(wèn)題:
(1)上述第④步為冷卻,所需濃硫酸的體積是16.7mL,量取濃硫酸所用的量筒的規(guī)格是B(A.10mL B.25mL C.50mL D.100mL).
(2)第③步實(shí)驗(yàn)的操作是把濃硫酸緩緩地沿器壁注入水中,同時(shí)用玻璃棒不斷攪拌,以使熱量及時(shí)地?cái)U(kuò)散
(3)下列情況對(duì)所配制的稀硫酸濃度有何影響?(用“偏大”“偏小”“無(wú)影響”填寫(xiě))
A.所用的濃硫酸長(zhǎng)時(shí)間放置在密封不好的容器中偏。
B.容量瓶用蒸餾水洗滌后殘留有少量的水無(wú)影響;
C.所用過(guò)的燒杯、玻璃棒未洗滌偏小;
D.定容時(shí)俯視刻度線偏大.

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題

3.如圖所示,裝置在常溫下工作(溶液體積變化忽略不計(jì)).閉合K,燈泡發(fā)光.下列敘述中不正確的是(  )
A.當(dāng)電路中有1.204×1022個(gè)電子轉(zhuǎn)移時(shí),乙燒杯中溶液的C(H+)約為0.1 mol•L-1
B.電池工作時(shí),鹽橋中的K+移向甲燒杯
C.電池工作時(shí),外電路的電子方向是從a到b
D.乙池中的氧化產(chǎn)物為SO42-

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題

10.下列離子方程式或化學(xué)方程式與所述事實(shí)相符且正確的是( 。
A.H${\;}_{2}^{18}$O中投入Na2O2固體:2H${\;}_{2}^{18}$O+2O${\;}_{2}^{2-}$═4OH-+18O2
B.向0.1 mol•L-1、pH=1的NaHA溶液中加入NaOH溶液:H++OH-═H2O
C.以金屬銀為陽(yáng)極電解飽和硫酸銅溶液:Cu2++2H2O═2Cu+O2↑+4H+
D.NH4Al(SO42溶液中加入Ba(OH)2溶液SO42-使完全沉淀:Al3++2SO42-+2Ba2++4OH-═AlO2-+2BaSO4↓+2H2O

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題

20.工業(yè)生產(chǎn)中產(chǎn)生的SO2、NO直接排放將對(duì)大氣造成嚴(yán)重污染.利用電化學(xué)原理吸收SO2和NO,同時(shí)獲得 Na2S2O4和 NH4NO3產(chǎn)品的工藝流程圖如下(Ce為鈰元素).

請(qǐng)回答下列問(wèn)題.
(1)裝置Ⅱ中NO在酸性條件下生成NO2-的離子方程式NO+H2O+Ce4+=Ce3++NO2-+2H+
(2)含硫各微粒(H2SO3、HSO3-和SO32-)存在于SO2與NaOH溶液反應(yīng)后的溶液中,它們的物質(zhì)的量分?jǐn)?shù)ω與溶液pH的關(guān)系如圖1所示.

①下列說(shuō)法正確的是ABC(填標(biāo)號(hào)).
A.pH=7時(shí),溶液中c( Na+)=3c (HSO-3)
B.由圖中數(shù)據(jù),可以估算出H2SO3的第二級(jí)電離平衡常數(shù)Ka2≈10-7
C.為獲得盡可能純的 NaHSO3,應(yīng)將溶液的pH控制在 4~5為宜
D.pH=9時(shí)溶液中 c(OH-)=c (H+)+c(HSO3-)+c(H2SO3
②若1L1mol/L的NaOH溶液完全吸收13.44L(標(biāo)況下)SO2,則反應(yīng)的總離子方程式為3SO2+5OH-=2SO32-+HSO3-+2H2O.
③取裝置Ⅰ中的吸收液vmL,用cmol/L的酸性高錳酸鉀溶液滴定.酸性高錳酸鉀溶液應(yīng)裝在酸式(填“酸式”或“堿式”)滴定管中,判斷滴定終點(diǎn)的方法是滴入最后一滴溶液呈紫紅色且半分鐘顏色不變
(3)裝置Ⅲ的作用之一是再生Ce4+,其原理如圖2所示.圖中A為電源的正(填“正”或“負(fù)”)極.右側(cè)反應(yīng)室中發(fā)生的主要電極反應(yīng)式為2HSO3-+2H++2e-=S2O42-+2H2O.
(4)已知進(jìn)入裝置Ⅳ的溶液中NO2-的濃度為 0.4mol/L,要使 1m3該溶液中的NO2-完全轉(zhuǎn)化為 NH4NO3,需至少向裝置Ⅳ中通入標(biāo)準(zhǔn)狀況下的 O2的體積為4480 L.

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題

7.N、P、As、Ga、Cr等元素化合物種類繁多,具有重要的研究?jī)r(jià)值和應(yīng)用價(jià)值.請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)N元素與Al、Si等元素在一定條件下生成AlN和Si3N4,實(shí)驗(yàn)測(cè)得二者在真空條件下的穩(wěn)定存在的最高溫度2200℃和1900℃,硬度類似金剛石,常用作耐高溫和耐磨材料.請(qǐng)推測(cè)它們屬于原子晶體類型.
(2)PCl3和PCl5是磷元素形成的兩種重要化合物,請(qǐng)根據(jù)價(jià)電子互斥理論推測(cè)PCl3的空間構(gòu)型三角錐形.
(3)As的核外電子排布式中不同類型(s、p、d、f等)的電子比是s電子:p電子:d電子=8:15:10.
(4)Cr元素價(jià)電子排布式為3d54s1
(5)砷化鎵以第三代半導(dǎo)體著稱,性能比硅更優(yōu)良,廣泛用于雷達(dá)、電子計(jì)算機(jī)、人造衛(wèi)星、宇宙飛船等尖端技術(shù)中已知砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,則砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl晶胞不同(填“相同”或“不同”).
(6)根據(jù)As和Ga在元素周期表中的位置判斷,第一電離能As>Ga(填“<”“>”或“=”).
(7)(CH3)3Ga中鎵原子的雜化類型為sp2雜化.

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題

4.分子式為C5H12O的鏈狀有機(jī)物,能與金屬鈉反應(yīng)且只兩個(gè)甲基的同分異構(gòu)體共有(不考慮立體異構(gòu))(  )
A.3種B.4種C.5種D.6種

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題

18.下列說(shuō)法正確的是( 。
A.HClO是弱酸,所以NaClO是弱電解質(zhì)
B.HCl溶液和NaCl溶液均通過(guò)離子導(dǎo)電,所以HCl和NaCl均是離子化合物
C.1.00 mol NaCl中含有6.02×1023個(gè)NaCl分子
D.純凈礦泉水、鋁熱劑、漂白粉均為混合物

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