13.圖1是元素周期表的一部分,表中所列的字母分別代表一種化學元素.

試回答下列問題:
(1)請寫出字母O代表的元素符號Fe,該元素在周期表中的位置第四周期第 VIII族.
(2)第三周期8種元素按單質熔點高低的順序如圖2,其中序號“8”代表Si(填元素符號);其中電負性最大的是2(填圖2中的序號).
(3)由j原子跟c原子以1:1相互交替結合而形成的晶體,晶型與晶體j相同.兩者相比熔點更高的是SiC(填化學式),試從結構角度加以解釋:SiC晶體與晶體Si都是原子晶體,由于C的原子半徑小,SiC中C-Si鍵鍵長比晶體Si中Si-Si鍵長短,C-Si鍵的鍵能大,因而SiC的熔沸點高.
(4)k與l形成的化合物kl2的電子式是,它在常溫下呈液態(tài),形成晶體時,屬于
分子晶體.
(5)i單質晶體中原子的堆積方式如圖3(甲)所示,其晶胞特征如圖3(乙)所示,原子之間相互位置關系的平面圖如圖3(丙)所示.
若已知i的原子半徑為d,NA代表阿伏加德羅常數(shù),i的相對原子質量為M,請回答:
晶胞中i原子的配位數(shù)為12,一個晶胞中i原子的數(shù)目為4,該晶體的密度為$\frac{M}{4\sqrt{2}{N}_{A}rxs8pql^{3}}$(用M、NA、d表示).

分析 (1)o為Fe,原子核外電子數(shù)為26,據(jù)此確定元素在周期表中的位置;
(2)第三周期8種元素按單質熔點最高的為原子晶體Si,第三周期中電負性最大的為氯元素;
(3)j為Si,c為C,二者以1:1相互交替結合而形成的晶體為SiC,SiC晶體與晶體Si都是原子晶體,根據(jù)Si-C與Si-Si鍵能大小分析解答晶體熔點高低;
(4)k與l形成的化合物SCl2,硫原子與氯原子之間形成一對共用電子對,根據(jù)SCl2的物理性質要判斷晶體類型;
(5)該類型為面心立方最密堆積,配位數(shù)=3×$\frac{1}{2}$×8=12;根據(jù)$ρ=\frac{m}{V}$計算密度.

解答 解:(1)o為Fe,原子核外電子數(shù)為26,位于周期表中第四周期 第 VIII族,
故答案為:Fe;第四周期 第 VIII族;
(2)序號“8”單質的熔點最高,第三周期8種元素單質熔點最高的為原子晶體Si,第三周期中電負性最大的為氯元素,單質常溫下為氣體,其沸點高于氬氣,所以選 2,
故答案為:Si;2;
(3)j為Si,c為C,二者以1:1相互交替結合而形成的晶體為SiC,因SiC晶體與晶體Si都是原子晶體,由于C的原子半徑小,SiC中C-Si鍵鍵長比晶體Si中Si-Si鍵長短,C-Si鍵的鍵能大,因而SiC的熔沸點高,
故答案為:SiC;SiC晶體與晶體Si都是原子晶體,由于C的原子半徑小,SiC中C-Si鍵鍵長比晶體Si中Si-Si鍵長短,C-Si鍵的鍵能大,因而SiC的熔沸點高;
(4)k與l形成的化合物SCl2,硫原子與氯原子之間形成一對共用電子對,其電子式為,根據(jù)SCl2的熔點較低,所以是分子晶體,
故答案為:;分子;
(5)根據(jù)圖片知,Al單質為面心立方最密堆積,Al原子配位數(shù)配位數(shù)=3×$\frac{1}{2}$×8=12,由圖3乙可知占據(jù)頂點和面心,則個數(shù)為8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$=4,Al的原子半徑為d,則晶胞的邊長為4d×$\frac{\sqrt{2}}{2}$cm=$2\sqrt{2}d$cm,所以晶胞的體積為($2\sqrt{2}d$)3cm3,根據(jù)$ρ=\frac{m}{V}$可知,該晶胞的密度為$\frac{\frac{4M}{{N}_{A}}}{(2\sqrt{2}d)^{3}}$=$\frac{M}{4\sqrt{2}{N}_{A}prtilaz^{3}}$,
故答案為:12;4;$\frac{M}{4\sqrt{2}{N}_{A}lut9rgq^{3}}$.

點評 本題考查物質結構與性質,涉及元素周期表、電子式、分子結構與性質、晶體類型與性質、晶胞的計算等,難度中等,側重考查學生對知識運用、分析解決問題能力.

練習冊系列答案
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3.如圖是某同學設計的一個簡易的原電池裝置,回答下列問題.
(1)若a為鎂、b為CuCl2,則正極材料為Al,負極上的電極反應式為Mg-2e-═Mg2+
(2)若a為鎂、b為NaOH,則Mg極上發(fā)生還原反應(填“氧化”或“還原”),負極上的電極反應式為Al-3e-+4OH-═AlO2-+2H2O.
(3)若a為銅、b為濃硝酸,則電流的方向為鋁→銅(填電極材料),正極上的電極反應式為2H++NO3-++e-═H2O+NO2↑,.
(4)上述事實表明,確定原電池中電極的正負時,不僅要考慮電極材料本身的性質,還要考慮電解質溶液的性質.

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4.由碳的氧化物直接合成乙醇燃料已進入大規(guī)模生產(chǎn).如圖是由二氧化碳合成乙醇的技術流程:

吸收池中盛有飽和碳酸鉀溶液,把含有二氧化碳的空氣吹入吸收池中,吸收池中反應液進入分解池后,向分解池中通入高溫水蒸汽,把二氧化碳從溶液中提取出來,在合成塔中和氫氣經(jīng)化學反應使之變?yōu)榭稍偕剂弦掖迹卮鹣铝袉栴}:
(1)寫出吸收池中反應的離子方程式CO2+CO32-+H2O=2HCO3-
(2)從分解池中循環(huán)使用的物質是K2CO3
(3)在一定壓強下,測得由CO2制取CH3CH2OH的實驗數(shù)據(jù)如表:
500600700800
1.545332012
2.060432815
3.083623722
提高氫碳n(H2)/n(CO2)比,對生成乙醇有利(選填“不利”、“有利”或“無影響”).

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科目:高中化學 來源: 題型:選擇題

1.有下列10種物質分為兩組:
A組:①苯酚,②乙酸,③牛油,④丙氨酸,⑤乙酸乙酯;
B組:⑥溴水,⑦甲醛,⑧苛性鈉溶液,⑨氯化鐵溶液,⑩金屬鈉.
A組物質中有一種跟B組物質均能反應,B組物質中有1種跟A組物質均能反應,則這兩種物質分別是( 。
A.①⑧B.③⑩C.①⑥D.②⑨

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8.設NA 為阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值,下列說法正確的是( 。
A.16g CH4中含有4NA個C-H鍵
B.1mol•L-1NaCl溶液含有NA個Na+
C.1 L 0.1 mol•L-1鹽酸含有0.1NA個HCl分子
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18.有原子序數(shù)依次增大的五種短周期元素A、B、C、D、E,已知 A、E同主族,A元素的原子半徑最小,B元素原子的最外層電子數(shù)是內層電子數(shù)的2倍,C元素的最高價氧化物的水化物X與其氫化物反應生成一種鹽Y;A、B、C、E四種元素,每種元素都能與D元素形成原子個數(shù)比不相同的常見化合物,回答下列問題:
(1)B在周期表中的位置是第二周期第ⅣA族,C元素的單質的電子式
(2)寫出同時含A、B、C、D四種元素的一種鹽的化學式NH4HCO3(或CH3COONH4
(3)E和D形成的一種化合物與BD2發(fā)生氧化還原反應,該反應的方程式為2Na2O2+2CO2=2Na2CO3+O2
(4)在一定條件下,一定量的A的單質與C的單質反應,可生成17克氣體化合物CA3,同時放出46kJ的熱量,寫出該反應的熱化學方程式N2(g)+3H2(g)?2NH3(g)△H=-92 kJ•mol-1
該反應為可逆反應,在體積不變的反應裝置中,下列關于此反應的說法中正確的是AC
A.其它條件不變,加壓可使該反應的反應速率變大
B.反應體系中反應物和生成物的總質量不變,說明該反應達到平衡狀態(tài)
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5.無水氯化鋁(沸點182.7℃)遇潮濕空氣即會發(fā)生反應產(chǎn)生大量白霧,現(xiàn)欲用下列裝置制備無水氯化鋁.

(1)A裝置中發(fā)生反應的化學方程式MnO2+4HCl(濃)$\frac{\underline{\;\;△\;\;}}{\;}$MnCl2+Cl2↑+2H2O.
(2)連接好實驗裝置,接下來的操作順序是DBECA(填序號).
A.加熱開始反應          B.往燒瓶中加入從MnO2粉末
C.往燒瓶中滴加濃鹽酸    D.檢査裝置氣密性      E.向分液漏斗中添加濃鹽酸
(3)B裝置的作用是吸收氯氣中的氯化氫,C裝罝中試劑是濃硫酸.
(4)用某儀器裝填適當試劑后可起到F和G的作用,所裝填的試劑為c(填序號). a.濃硫酸  b.無水氯化鈣c.堿石灰.

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(3)聚氯乙烯是生活中常用的塑料.工業(yè)生產(chǎn)聚氯乙烯的一種工藝路線如下:

反應①的化學方程式為H2C=CH2+Cl2→CH2ClCH2Cl,反應類型為加成反應;反應②的反應類型為消去反應.

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3.(1)甲烷、氫氣、一氧化碳燃燒熱分別為 akJ•mol-1,bkJ•mol-1,ckJ•mol-1,工業(yè)上利用天燃氣和二氧化碳反應制備合成氣(CO、H2),其熱化學反應方程式為CH4(l)+CO2(g)=2CO(g)+2H2(g)△H=-(a-2b-2c)kJ•mol-1
(2)在室溫下,下列溶液中①0.1mol/LCH3COONH4,②0.1 mol/L NH4HSO4,③0.1mol/L NH3•H2O
④0.1mol/LNH4Cl,請根據(jù)要求回答問題:
溶液①和②中c(NH4+)的大小關系是①<②(填“>”、“<”或“=”).
將一定體積的溶液③和溶液④混合,所得溶液的pH=7,則該溶液中離子濃度的由大到小順序是:c(Cl-)=c(NH4+)>c(OH-)=c(H+
(3)25℃時,將一定體積和濃度的醋酸與醋酸鈉溶液相混合,若所得混合液pH=6,則該混合液中c(CH3COO-)-c(Na+)=9.9×10-7mol/L.

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