Question

1．（1）表是第三周期部分元素氧化物和氟化物的熔點(diǎn)和摩氏硬度：

化合物	NaF	MgF2	MgO	SiF4	SiO2
熔點(diǎn)/K	1266	1534	3125	183	1983
摩氏硬度	3，2	6.0	6.5		7

①兩種氧化物MgO和SiO₂的晶體類(lèi)型分別是離子晶體、原子晶體
②表格中幾種氟化物熔點(diǎn)差異的主要原因是NaF與MgF₂為離子晶體，SiF₄為分子晶體，故SiF₄的熔點(diǎn)低；Mg²⁺的半徑比Na⁺的半徑小，Mg²⁺帶2個(gè)單位正電荷數(shù)比Na⁺多，故MgF₂的熔點(diǎn)比NaF高
③1mol SiO₂中含有4molSi-O鍵，Si和O原子配位數(shù)之比為2：1
④NaF、MgF2、MgO、SiF4、SiO2中化學(xué)鍵能夠代表分子真實(shí)組成的是SiF₄．
（2）  比 的沸點(diǎn)高（填“高”或“低”）．

Answer 1

分析 （1）①通過(guò)離子鍵結(jié)合形成的晶體為離子晶體；原子間通過(guò)共價(jià)鍵形成空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的晶體為原子晶體；
②根據(jù)晶體類(lèi)型不同，以及同種晶體類(lèi)型影響微粒之間作用力的因素分析表中氟化物熔點(diǎn)差異的原因；
③每個(gè)Si原子形成4個(gè)共價(jià)鍵，每個(gè)O原子形成2個(gè)共價(jià)鍵；
④離子晶體中只存在陰陽(yáng)離子，沒(méi)有分子；原子晶體中只含有原子；分子晶體的構(gòu)成微粒為分子；
（2）成分子間氫鍵熔沸點(diǎn)比形成分子內(nèi)氫鍵的熔沸點(diǎn)更高．

解答 解：（1）①M(fèi)gO中鎂離子和氧離子之間通過(guò)離子鍵結(jié)合形成離子晶體，SiO₂晶體中Si原子與O原子之間通過(guò)共價(jià)鍵形成空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，屬于原子晶體；
故答案為：離子晶體、原子晶體；
②NaF與MgF₂為離子晶體，SiF₄為分子晶體，分子晶體的熔點(diǎn)比離子晶體低，故SiF₄的熔點(diǎn)低；離子晶體的熔點(diǎn)與離子中所帶電荷以及離子半徑有關(guān)，Mg²⁺的半徑比Na⁺的半徑小，Mg²⁺帶2個(gè)單位正電荷數(shù)比Na⁺多，故MgF₂的熔點(diǎn)比NaF高；
故答案為：NaF與MgF₂為離子晶體，SiF₄為分子晶體，故SiF₄的熔點(diǎn)低；Mg²⁺的半徑比Na⁺的半徑小，Mg²⁺帶2個(gè)單位正電荷數(shù)比Na⁺多，故MgF₂的熔點(diǎn)比NaF高；
③SiO₂中每個(gè)Si原子形成4個(gè)共價(jià)鍵，每個(gè)O原子形成2個(gè)共價(jià)鍵，所以1mol SiO₂中含有4molSi-O鍵，Si和O原子配位數(shù)之比為4：2=2：1；
故答案為：4；2：1；
④NaF、MgF₂、MgO都是離子晶體中只存在陰陽(yáng)離子，沒(méi)有分子；SiO₂是原子晶體只含有原子，沒(méi)有分子；SiF₄是分子晶體，構(gòu)成微粒為分子；
故答案為：SiF₄；
（2）形成分子間氫鍵熔沸點(diǎn)比形成分子內(nèi)氫鍵的熔沸點(diǎn)更高．由表中數(shù)據(jù)可知，間-羥基苯甲醛形成分子間氫鍵，鄰-羥基苯甲醛形成分子內(nèi)氫鍵，故前者沸點(diǎn)高；
故答案為：高．

點(diǎn)評(píng) 本題考查了物質(zhì)結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，題目難度中等，注意從晶體結(jié)構(gòu)和分子結(jié)構(gòu)考慮對(duì)物質(zhì)性質(zhì)的影響，明確影響晶體熔點(diǎn)因素和氫鍵等知識(shí)是解題的關(guān)鍵，側(cè)重于考查學(xué)生的分析能力和應(yīng)用能力．