14.X、Y、Z、W、R、Q為前30號元素,且原子序數(shù)依次增大.X是所有元素中原子半徑最小的,Y有三個能級,且每個能級上的電子數(shù)相等,Z原子單電子數(shù)在同周期元素中最多,W與Z同周期,第一電離能比Z的低,R與Y同一主族,Q的最外層只有一個電子,其他電子層電子均處于飽和狀態(tài).請回答下列問題:
(1)Q+核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d10;
(2)化合物X2W2中W的雜化方式為sp3,ZW2-離子的立體構(gòu)型是V形;
(3)Y、R的最高價氧化物的沸點較高的是SiO2(填化學(xué)式),原因是SiO2為原子晶體,CO2為分子晶體;
(4)將Q單質(zhì)的粉末加入到ZX3的濃溶液中,并通入W2,充分反應(yīng)后溶液呈深藍色,該反應(yīng)的離子方程式為2Cu+8NH3+O2+2H2O=2[Cu(NH34]2++4OH-;
(5)Y有多種同素異形體,其中一種同素異形體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖,該晶體一個晶胞的Y原子數(shù)為8,Y原子的配位數(shù)為4,若晶胞的邊長為a pm,晶體的密度為ρ g/cm3,則阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值為$\frac{{96×{{10}^{30}}}}{{{a^3}•ρ}}$(用含a和ρ的代數(shù)式表示).

分析 X、Y、Z、W、R、Q為前30號元素,且原子序數(shù)依次增大.X是所有元素中原子半徑最小的,則X為H元素;Y有三個能級,且每個能級上的電子數(shù)相等,核外電子排布為1s22s22p2,故Y為C元素;R與Y同一主族,結(jié)合原子序數(shù)可知,R為Si,而Z原子單電子數(shù)在同周期元素中最多,則外圍電子排布為ns2np3,原子序數(shù)小于Si,故Z為N元素;W與Z同周期,第一電離能比Z的低,則W為O元素;Q的最外層只有一個電子,其他電子層電子均處于飽和狀態(tài),不可能為短周期元素,原子序數(shù)小于30,故核外電子排布為1s22s22p63s23p63d104s1,則Q為Cu元素,據(jù)此解答.

解答 解:X、Y、Z、W、R、Q為前30號元素,且原子序數(shù)依次增大.X是所有元素中原子半徑最小的,則X為H元素;Y有三個能級,且每個能級上的電子數(shù)相等,核外電子排布為1s22s22p2,故Y為C元素;R與Y同一主族,結(jié)合原子序數(shù)可知,R為Si,而Z原子單電子數(shù)在同周期元素中最多,則外圍電子排布為ns2np3,原子序數(shù)小于Si,故Z為N元素;W與Z同周期,第一電離能比Z的低,則W為O元素;Q的最外層只有一個電子,其他電子層電子均處于飽和狀態(tài),不可能為短周期元素,原子序數(shù)小于30,故核外電子排布為1s22s22p63s23p63d104s1,則Q為Cu元素,
(1)Cu+核外電子排布式為:1s22s22p63s23p63d10,故答案為:1s22s22p63s23p63d10
(2)化合物H2O2中結(jié)構(gòu)式為H-O-O-H,O原子價層電子對數(shù)為2+$\frac{6-2}{2}$=4,故O原子采取sp3雜化;
NO2-離子中N原子孤電子對數(shù)為$\frac{5+1-2×2}{2}$=1、價層電子對數(shù)為2+1=3,故其立體構(gòu)型是V形,
故答案為:sp3;V形;
(3)Y、R的最高價氧化物分別為二氧化碳、二氧化硅,SiO2為原子晶體,CO2為分子晶體,故沸點較高的是 SiO2,
故答案為:SiO2; SiO2為原子晶體,CO2為分子晶體;
(4)將Cu單質(zhì)的粉末加入到NH3的濃溶液中,并通入O2,充分反應(yīng)后溶液呈深藍色,反應(yīng)生成[Cu(NH34]2+,該反應(yīng)的離子方程式為:2Cu+8NH3+O2+2H2O=2[Cu(NH34]2++4OH-,
故答案為:2Cu+8NH3+O2+2H2O=2[Cu(NH34]2++4OH-;
(5)碳有多種同素異形體,其中一種同素異形體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖,該晶體一個晶胞的Y原子數(shù)為:4+8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$=8;
每個Y與周圍的4個Y原子相鄰,故Y原子的配位數(shù)為4;
若晶胞的邊長為a pm,則晶胞體積為(a×10-103cm3,晶體的密度為ρ g/cm3,則晶胞質(zhì)量為(a×10-103cm3×ρ g/cm3=ρa3×10-30ρ g,則8×$\frac{12}{{N}_{A}}$g=ρa3×10-30ρ g,故NA=$\frac{{96×{{10}^{30}}}}{{{a^3}•ρ}}$,
故答案為:8;4;$\frac{{96×{{10}^{30}}}}{{{a^3}•ρ}}$.

點評 本題是對物質(zhì)結(jié)構(gòu)的考查,涉及核外電子排布、雜化軌道、分子構(gòu)型、晶體類型與性質(zhì)、配合物、晶胞結(jié)構(gòu)與計算等,需要學(xué)生具備扎實的基礎(chǔ),難度中等.

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:推斷題

4.已知A為生活中的常見金屬,C為磁性黑色晶體,A、B、C、D之間轉(zhuǎn)化關(guān)系如圖所示:
(1)寫出以下物質(zhì)的化學(xué)式AFe、CFe3O4、DFeCl3
(2)C+鹽酸→B+D的離子方程式為Fe3O4+8H+═4H2O+2Fe3++Fe2+,D的溶液可作為印刷電路板“腐蝕液”,寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式2FeCl3+Cu═2FeCl2+CuCl2
(3)實驗室保存B的溶液時常加入少量A,原因是2Fe3++Fe═3Fe2+(用離子方程式表示)
(4)向B溶液中滴加NaOH溶液,產(chǎn)生的現(xiàn)象是產(chǎn)生白色沉淀,迅速變成灰綠色,最終變?yōu)榧t褐色,過程中所發(fā)生的氧化還原反應(yīng)的化學(xué)方程式是4Fe(OH)2+O2+2H2O═4Fe(OH)3

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題

5.化學(xué)為世界的絢麗多彩提供了可能性,也為我們創(chuàng)造絢麗多彩的世界提供了條件,下面關(guān)于控制化學(xué)反應(yīng)速率的說法當(dāng)中正確的是( 。
A.影響化學(xué)反應(yīng)速率的因素與化學(xué)物質(zhì)本身無關(guān)
B.反應(yīng)物顆粒越小,其表面積就越小,化學(xué)反應(yīng)速率就越慢
C.加入催化劑一定能夠加快化學(xué)反應(yīng)速率
D.增大反應(yīng)物的濃度和升高反應(yīng)物的溫度都可以加快化學(xué)反應(yīng)速率

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:推斷題

2.抗酸藥物X可能是下列物質(zhì)中的一種:碳酸氫鈉、碳酸鎂、氫氧化鋁、硅酸鎂鋁、堿式碳酸鎂鋁.某學(xué)生為探究其成分,設(shè)計了如下實驗:
①取一定質(zhì)量的化合物X粉末,向其中加入過量鹽酸,產(chǎn)生224mL氣體A(標(biāo)準(zhǔn)狀況),同時得到無色溶液;
②若用鉑絲蘸、僦兴玫娜芤,在火焰上灼燒,無黃色火焰;
③向①中所得的溶液中加入NaOH溶液直至過量,測得沉淀質(zhì)量的最大值為2.52g,最小值為1.74g.
請回答下列問題:
(1)①中氣體A是CO2;
(2)由①、②判斷X一定不含有的元素是Na;
(3)③中2.52g沉淀是Mg(OH)2、Al(OH)3
(4)③中沉淀部分消失的原因是Al(OH)3+OH-═AlO2-+2H2O(用離子方程式表示);
(5)X的化學(xué)式是Mg3Al(OH)7CO3

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題

9.太陽能電池是通過光電效應(yīng)或者光化學(xué)效應(yīng)直接把光能轉(zhuǎn)化成電能的裝置.其材料有單晶硅,還有銅、鍺、鎵、硒等化合物.

(1)基態(tài)亞銅離子中電子占據(jù)的原子軌道數(shù)目為14.
(2)若基態(tài)硒原子價層電子排布式寫成4s24px24py4,則其違背了洪特規(guī)則.
(3)圖1表示碳、硅和磷元素的四級電離能變化趨勢,其中表示磷的曲線是b(填標(biāo)號).
(4)單晶硅可由二氧化硅制得,二氧化硅晶體結(jié)構(gòu)如圖2所示,在二氧化硅晶體中,Si、O原子所連接的最小環(huán)為12元環(huán),則每個O原子連接6個最小環(huán).
(5)與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性.自然界中含硼元素的鈉鹽是一種天然礦藏,其化學(xué)式寫作Na2B4O7•10H2O,實際上它的結(jié)構(gòu)單元是由兩個H3BO3和兩個[B(OH)4]-縮合而成的雙六元環(huán),應(yīng)該寫成Na2[B4O5(OH)4]8H2O.其結(jié)構(gòu)如圖3所示,它的陰離子可形成鏈狀結(jié)構(gòu).
①該晶體中不存在的作用力是C(填選項字母).
A.離子鍵B.共價鍵C.金屬鍵n.范德華力E.氫鍵
②陰離子通過氫鍵相互結(jié)合形成鏈狀結(jié)構(gòu).
(6)氮化嫁(GaN)的晶體結(jié)構(gòu)如圖4所示.晶體中N、Ga原子的軌道雜化類型是否相同是(填“是”或“否”),判斷該晶體結(jié)構(gòu)中存在配位鍵的依據(jù)是晶胞中1個Ga與4個N原子相結(jié)合,而Ga原子中含有3個價電子,Ga提供1個空軌道與N原子提供的孤對電子形成配位鍵.
(7)某光電材料由鍺的氧化物與銅的氧化物按一定比例熔合而成,其中鍺的氧化物晶胞結(jié)構(gòu)如圖5所示,該物質(zhì)的化學(xué)式為GeO.已知該晶體密度為7.4g/cm3,晶胞邊長為4.3×10-10m.則鍺的相對原子質(zhì)量為72.5(保留小數(shù)點后一位).

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:推斷題

19.已知A、B、C、D、E五種元素的原子序數(shù)依次增大,其中A原子所處的周期數(shù)、族序數(shù)都與其原子序數(shù)相等;B原子核外電子有6種不同的運動狀態(tài),s軌道電子數(shù)是p軌道電子數(shù)的兩倍;D原子L電子層上有2對成對電子;E+原子核外有3層電子且各層均處于全滿狀態(tài).
(1)E元素基態(tài)原子的價電子排布式為3d104s1
(2)B、C、D三種元素的第一電離能數(shù)值由小到大的順序為C<O<N(填元素符號),電負性數(shù)值由大到小的順序為O>N>C(填元素符號).
(3)B元素的最高價氧化物對應(yīng)的水化物中心原子采取的軌道雜化方式為sp2,C元素的氣態(tài)氫化物的VSEPR模型為四面體.B2A4是重要的基本石油化工原料,1mol B2A4分子中含5mol σ鍵.寫出與BD2為等電子體關(guān)系的分子、陽離子、陰離子各一個CS2、NO2+、SCN-或N3-
(4)E單質(zhì)晶胞的形成方式為圖1中的哪一種:ABC(填A(yù)BA或ABC),其空間利用率為74%.

(5)E的硫酸鹽結(jié)構(gòu)如圖2,此化合物是五水硫酸銅(寫名稱),在圖中畫出以E為中心原子的配位鍵.

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題

6.如表各組物質(zhì)中,滿足組內(nèi)甲、乙、丙任意兩種物質(zhì)在一定條件下均能發(fā)生反應(yīng)的是( 。
物質(zhì)組別
ANH3O2HNO3
BAlHClNaOH
CSiO2NaOHHCl
DCO2Ca(OH)2NaHSO3
A.AB.BC.CD.D

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:計算題

3.某有機物在標(biāo)準(zhǔn)狀況下,蒸氣密度為4.02g/L,把0.1mol該有機物在氧氣中充分燃燒,只生成CO2和H2O,生成的氣體依次通過濃硫酸和堿石灰,經(jīng)測定,前者增重5.4g,后者增重13.2g.
(1)求該有機物的分子式;
(2)該有機物核磁共振氫譜有4組峰,峰面積比為3:1:1:1,寫出該有機物的結(jié)構(gòu)簡式
(3)根據(jù)(2)寫出該有機物自身發(fā)生的縮聚反應(yīng).

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科目:高中化學(xué) 來源:2016-2017學(xué)年安徽省高一上第一次月考化學(xué)卷(解析版) 題型:填空題

在標(biāo)準(zhǔn)狀況下,有一剛性密閉容器,被一可以自由滑動的活塞分成兩個密閉的反應(yīng)器。左側(cè)充入等物質(zhì)的量的氫氣和氧氣,右側(cè)充入一氧化碳和氧氣的混合氣體。同時引燃左右兩側(cè)的混合氣,反應(yīng)后恢復(fù)到標(biāo)準(zhǔn)狀況。反應(yīng)前后活塞位置如下圖所示。則右側(cè)混合氣體中一氧化碳和氧氣的物質(zhì)的量之比是____________或___________。(液態(tài)水的體積忽略不計)

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同步練習(xí)冊答案