有些科學(xué)家提出硅是“21世紀(jì)的能源”,這主要是由于作為半導(dǎo)體材料的硅在太陽能發(fā)電過程中具有重要的作用。下列有關(guān)硅的說法中,不正確的是                            (  )

A.高純度的硅廣泛用于制作計(jì)算機(jī)芯片

B.硅可由二氧化硅還原制得

C.低溫時(shí),硅與水、空氣和酸不反應(yīng),但能與氫氟酸反應(yīng)

D.自然界中硅的儲(chǔ)量豐富,自然界中存在大量的單質(zhì)硅


答案 D

解析 自然界中不存在單質(zhì)硅。


練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:


隨著人們生活節(jié)奏的加快,方便的小包裝食品已被廣泛接受。為了延長食品的保

質(zhì)期,防止食品氧化變質(zhì),在包裝袋中可以放入的化學(xué)物質(zhì)是   

A.無水硫酸銅      B.硫酸亞鐵      C. 食鹽          D. 生石灰

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:


如下圖所示,△H1=-393.5 kJ?mol-1

△H2=-395.4 kJ?mol-1,下列說法或表示式正確的是

A. C(s、石墨)== C(s、金剛石) △H= - 1.9 kJ?mol-1

B. 石墨和金剛石的轉(zhuǎn)化是物理變化

C. 石墨的穩(wěn)定性強(qiáng)于金剛石

D. 1 mol石墨的總鍵能比1 mol金剛石的總鍵能小1.9 kJ

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:


       用四種溶液進(jìn)行實(shí)驗(yàn),下表中“操作及現(xiàn)象”與“溶液”對應(yīng)關(guān)系錯(cuò)誤的是    (  )

選項(xiàng)

操作及現(xiàn)象

溶液

A

通入CO2,溶液變渾濁

飽和Na2CO3溶液

B

通入CO2,溶液變渾濁,繼續(xù)通CO2至過量,渾濁消失

Na2SiO3溶液

C

通入CO2,溶液變渾濁,再加入品紅溶液,紅色褪去

Ca(ClO)2溶液

D

通入CO2,溶液變渾濁,繼續(xù)通CO2至過量,渾濁消失,再加入足量NaOH溶液,又變渾濁

澄清石灰水

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:


判斷正誤,正確的劃“√”,錯(cuò)誤的劃“×”

(1)單質(zhì)硅是將太陽能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔艿某S貌牧?nbsp;                                                   (  )

(2012·新課標(biāo)全國卷,8B)

(2)合成纖維和光導(dǎo)纖維都是新型無機(jī)非金屬材料                                             (  )

(2012·新課標(biāo)全國卷,8D)

(3)甲丙,若甲為焦炭,則丁可能是O2                                                                              (  )

(2013·江蘇,6A)

(4)SiO2可與HF反應(yīng),因而氫氟酸不能保存在玻璃瓶中                             (  )

(2013·廣東理綜,10D)

(5)高溫下用焦炭還原SiO2制取粗硅                                                                 (  )

(2013·廣東理綜,11C)

(6)SiO2有導(dǎo)電性,所以SiO2可用于制備光導(dǎo)纖維                                            (  )

(2012·廣東理綜,12B)

(7)硅酸鈉溶液應(yīng)保存在帶玻璃塞的試劑瓶中                                                    (  )

(2012·海南,4B)

(8)水玻璃可用于生產(chǎn)黏合劑和防火劑                                                              (  )

(2010·江蘇,4B)

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:


       將足量CO2氣體通入水玻璃(Na2SiO3溶液)中,然后加熱蒸干,再在高溫下充分灼燒,最后得到的固體物質(zhì)是                                                                                       (  )

A.Na2SiO3                                                   B.Na2CO3、Na2SiO3

C.Na2CO3、SiO2                                          D.SiO2

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:


氮化硅(Si3N4)是一種優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷,在工業(yè)生產(chǎn)和科技領(lǐng)域中有重要用途。

Ⅰ.工業(yè)上有多種方法來制備氮化硅,下面是幾種常見的方法:

方法一 直接氮化法:在1 300~1 400 ℃時(shí),高純粉狀硅與純氮?dú)饣,其反?yīng)方程式為________________________________________________________________________。

方法二 化學(xué)氣相沉積法:在高溫條件下利用四氯化硅氣體、純氮?dú)、氫氣反?yīng)生成氮化硅和HCl,與方法一相比,用此法制得的氮化硅純度較高,其原因是________________________________________________________________________。

方法三 Si(NH2)4熱分解法:先用四氯化硅與氨氣反應(yīng)生成Si(NH2)4和一種氣體________________(填分子式);然后使Si(NH2)4受熱分解,分解后的另一種產(chǎn)物的分子式為____________________。

Ⅱ.(1)氮化硅抗腐蝕能力很強(qiáng),但易被氫氟酸腐蝕,氮化硅與氫氟酸反應(yīng)生成四氟化硅和一種銨鹽,此鹽中存在的化學(xué)鍵類型有______________。

(2)已知:25 ℃,101 kPa條件下的熱化學(xué)方程式:

3Si(s)+2N2(g)===Si3N4(s) ΔH=-750.2 kJ·mol1

Si(s)+2Cl2(g)===SiCl4(g) ΔH=-609.6 kJ·mol1

H2(g)+Cl2(g)===HCl(g) ΔH=-92.3 kJ·mol1

請寫出四氯化硅氣體與氮?dú)、氫氣反?yīng)的熱化學(xué)方程式:

________________________________________________________________________。

Ⅲ.工業(yè)上制取高純硅和四氯化硅的生產(chǎn)流程如下:

已知:X、高純硅、原料B的主要成分都可與Z反應(yīng),Y與X在光照或點(diǎn)燃條件下可反應(yīng),Z的焰色呈黃色。

(1)原料B的主要成分是________(寫名稱)。

(2)寫出焦炭與原料B中的主要成分反應(yīng)的化學(xué)方程式:

________________________________________________________________________。

(3)上述生產(chǎn)流程中電解A的水溶液時(shí),陽極材料能否用Cu?________(填“能”或“不能”)。寫出Cu為陽極電解A的水溶液開始一段時(shí)間陰、陽極的電極方程式。

陽極:________;陰極________。

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:


向含有Mn2的酸性溶液中滴加過二硫酸鉀(K2S2O8)溶液,會(huì)發(fā)生如下反應(yīng)(未配平):Mn2+S2O+H2O―→MnO+SO+H。下列說法正確的是(  )

A.該反應(yīng)中起氧化作用的是Mn2

B.反應(yīng)后溶液的pH降低

C.反應(yīng)中有1 mol還原劑參加反應(yīng),則轉(zhuǎn)移的電子為4 mol

D.該反應(yīng)常用于檢驗(yàn)溶液中Mn2的存在,現(xiàn)象是溶液紫紅色消失

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:


       下列說法正確的是                                                                                           (  )

①氯氣的性質(zhì)活潑,它與氫氣混合后立即發(fā)生爆炸 ②實(shí)驗(yàn)室制取氯氣時(shí),為了防止環(huán)境污染,多余的氯氣可以用氫氧化鈣溶液吸收、坌轮坡人难趸詮(qiáng)于久置氯水的

④檢驗(yàn)HCl氣體中是否混有Cl2,方法是將氣體通入硝酸銀溶液、莩Cl氣體中的Cl2,可將氣體通入飽和食鹽水中

A.①②③                 B.②③④                  C.③                 D.③⑤

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