(1)第ⅢA、ⅤA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導(dǎo)體材料,其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似.Ga原子的電子排布式為
1s22s22p63s23p63d104s24p1
1s22s22p63s23p63d104s24p1
.在GaN晶體中,與同一個Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為
正四面體
正四面體
.在四大晶體類型中,GaN屬于
原子
原子
晶體.
(2)銅、鐵元素能形成多種配合物.微粒間形成配位鍵的條件是:一方是能夠提供孤電子對的原子或離子,另一方是具有
能夠接受孤電子對的空軌道
能夠接受孤電子對的空軌道
的原子或離子
(3)CuCl
2溶液與乙二胺(H
2N-CH
2-CH
2-NH
2)可形成配離子:請回答下列問題:
①H、N、O三種元素的電負性由大到小的順序是
O>N>H
O>N>H
.
②SO
2分子的空間構(gòu)型為
V形
V形
.與SnCl
4互為等電子體的一種離子的化學(xué)式為
SO42-、SiO44-等
SO42-、SiO44-等
③乙二胺分子中氮原子軌道的雜化類型為
sp3雜化
sp3雜化
.乙二胺和三甲胺[N(CH
3)
3]均屬于胺,但乙二胺比三甲胺的沸點高的多,原因是
乙二胺分子間可以形成氫鍵,三甲胺分子間不能形成氫鍵
乙二胺分子間可以形成氫鍵,三甲胺分子間不能形成氫鍵
.
④(3)中所形成的配離子中含有的化學(xué)鍵類型有
abd
abd
.
a.配位鍵 b.極性鍵 c.離子鍵 d.非極性鍵
⑤CuCl的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,其中Cl原子的配位數(shù)為
4
4
.