Question

（2010?揚(yáng)州模擬）工業(yè)上以氯化鉀和鈦白廠的副產(chǎn)品硫酸亞鐵為原料可得到硫酸鉀、過二硫酸鈉和鐵紅顏料等產(chǎn)品，該方法原料的綜合利用率較高．
（1）基態(tài)鈦原子的核外電子排布式為

[Ar]3d²4s²

．
（2）TiCl₄在常溫下是一種無色液體，而FeCl₃可用升華法提純，則兩種氯化物均屬于

分子

晶體．
（3）SO₄^2-和 S₂O₈^2-（過二硫酸根）結(jié)構(gòu)中，硫原子均位于由氧原子組成的四面體的中心，且所有原子的最外層電子均滿足8電子結(jié)構(gòu)．下列說法正確的是

B

．
A．SO₄^2-中存在σ鍵和π鍵且與PO₄^3-離子互為等電子體
B．S₂O₈^2-中存在非極性鍵且有強(qiáng)氧化性
C．S₂O₈^2-比SO₄^2-穩(wěn)定且兩者的氧元素的化合價(jià)相同
（4）KCl與MgO的晶體結(jié)構(gòu)跟NaCl的晶體結(jié)構(gòu)相似，則KCl與MgO兩者中熔點(diǎn)高的是

MgO

，原因是

均為離子晶體，而Mg²⁺與O^2-半徑和小于K⁺與Cl^-半徑和且MgO中陰陽離子所帶電荷均比KCl中陰陽離子所帶電荷多，故MgO晶格能比KCl大，熔點(diǎn)高

．
（5）硫與氯可形成化合物SCl₂，則該分子中硫原子的雜化方式為

sp³

，分子的空間構(gòu)型為

V形（折線形）

．
（6）在一定條件下鐵形成的晶體的基本結(jié)構(gòu)單元如圖1和圖2所示，則圖1和圖2的結(jié)構(gòu)中鐵原子的配位數(shù)之比為

2：3

．

Answer 1

分析：（1）Ti的原子序數(shù)為22，位于周期表第四周期ⅡB族；
（2）兩種氯化物的熔沸點(diǎn)較低，應(yīng)屬于分子晶體；
（3）SO₄^2-和 S₂O₈^2-中S元素的化合價(jià)分別為+6價(jià)和+7價(jià)，SO₄^2-中含有σ鍵；S₂O₈^2-中含有S-S鍵；
（4）影響離子晶體熔沸點(diǎn)高低的因素有半徑因素和電荷因素；
（5）根據(jù)價(jià)層電子對(duì)數(shù)計(jì)算雜化類型并判斷空間構(gòu)型；
（6）根據(jù)均攤法分別計(jì)算兩種晶體的配位數(shù)，可計(jì)算出配位數(shù)之比．

解答：解：（1）Ti的原子序數(shù)為22，位于周期表第四周期ⅡB族，核外電子排布為[Ar]3d²4s²，
故答案為：[Ar]3d²4s²；
（2）兩種氯化物的熔沸點(diǎn)較低，應(yīng)屬于分子晶體，故答案為：分子；  
（3）A．SO₄^2-中只存在σ鍵，故A錯(cuò)誤；
B．S₂O₈^2-中含有S-S鍵，為非極性鍵，有強(qiáng)氧化性，故B正確；
C．SO₄^2-和 S₂O₈^2-中S元素的化合價(jià)分別為+6價(jià)和+7價(jià)，兩者的氧元素的化合價(jià)不同，故C錯(cuò)誤，
故答案為：B；
（4）影響離子晶體熔沸點(diǎn)高低的因素有半徑因素和電荷因素，而Mg²⁺與O^2-半徑和小于K⁺與Cl^-半徑和且MgO中陰陽離子所帶電荷均比KCl中陰陽離子所帶電荷多，故MgO晶格能比KCl大，熔點(diǎn)高，
故答案為：MgO；均為離子晶體，而Mg²⁺與O^2-半徑和小于K⁺與Cl^-半徑和且MgO中陰陽離子所帶電荷均比KCl中陰陽離子所帶電荷多，故MgO晶格能比KCl大，熔點(diǎn)高；  
（5）價(jià)層電子對(duì)數(shù)為

6+2

2

=4，孤電子對(duì)數(shù)為

6-2

2

=2，所以雜化類型為sp³雜化，分子為V形結(jié)構(gòu)，
故答案為：sp³、V形（折線形）；    
（6）圖1中Fe位于體心和頂點(diǎn)，鐵的配位數(shù)為8，圖2中Fe位于頂點(diǎn)和面心，距離最近的為頂點(diǎn)和面心的鐵原子，有12個(gè)，所以配位數(shù)為12，二者比值為8：12=2：3，
故答案為：2：3．

點(diǎn)評(píng)：本題考查較為綜合，涉及多方面的知識(shí)，題目難度中等，易錯(cuò)點(diǎn)為（6），注意利用均攤法計(jì)算晶胞，學(xué)習(xí)中注意把握電子排布式、雜化類型、晶體的類型以及熔沸點(diǎn)的比較等方法．