A. | 在SiO2晶體中,1個(gè)Si原子和2個(gè)O原子形成2個(gè)共價(jià)鍵 | |
B. | NF3的沸點(diǎn)比NH3的沸點(diǎn)低得多,是因?yàn)镹H3分子間有氫鍵,NF3分子間只有范德華力 | |
C. | NCl3和BCl3分子中,中心原子都采用sp3雜化 | |
D. | SO3與CO32-互為等電子體,SO3是極性分子 |
分析 A.晶體中每個(gè)Si原子與4個(gè)O原子成鍵,每個(gè)O原子與2個(gè)Si原子成鍵,晶體中Si原子與O原子數(shù)之比為1:2;
B.氫鍵存在能夠使物質(zhì)的熔沸點(diǎn)提高;
C.BCl3分子中B原子采用sp2雜化;
D.等電子體所含價(jià)電子數(shù)相等.
解答 解:A.晶體中每個(gè)Si原子與4個(gè)O原子成鍵,每個(gè)O原子與2個(gè)Si原子成鍵,故A錯(cuò)誤;
B.氨氣分子中存在氫鍵和范德華力,NF3分子間只有范德華力,所以氨氣沸點(diǎn)高于NF3,故B正確;
C.NCl3中心原子采用sp3雜化,BCl3分子中B原子采用sp2雜化,故C錯(cuò)誤;
D.CO32-的價(jià)電子數(shù)為22,三氧化硫含電子數(shù)為價(jià)電子數(shù)為24,故D錯(cuò)誤;
故選:B.
點(diǎn)評(píng) 本題考查了二氧化硅的結(jié)構(gòu)、氫鍵對(duì)物質(zhì)沸點(diǎn)的影響、原子軌道的雜化方式、等電子體,熟悉相關(guān)概念是解題關(guān)鍵,題目難度不大.
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | ${\;}_{48}^{114}$Cd與${\;}_{48}^{112}$Cd互稱同位素 | |
B. | ${\;}_{48}^{114}$Cd與${\;}_{48}^{112}$Cd的原子核內(nèi)中子數(shù)相等 | |
C. | ${\;}_{48}^{114}$Cd與${\;}_{48}^{112}$Cd的質(zhì)量數(shù)相等 | |
D. | ${\;}_{48}^{114}$Cd與${\;}_{48}^{112}$Cd含有不同的電子數(shù) |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物的酸性:W>Z | |
B. | 原子半徑:W>Z>Y>X | |
C. | 4種元素的單質(zhì)中,Z單質(zhì)的熔、沸點(diǎn)最高 | |
D. | W單質(zhì)能與水反應(yīng),生成一種具有漂白性的物質(zhì) |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 紅磷與白磷 | B. | 甲烷與乙烷 | C. | ${\;}_{1}^{1}$H與${\;}_{1}^{2}$H | D. | 正丁烷與異丁烷 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | ③④⑤ | B. | ①②⑤ | C. | ③⑤ | D. | ②③④ |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | Cd(OH)2 | B. | Ni(OH)2 | C. | NiO(OH) | D. | Cd |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | ②③⑤ | B. | ②④⑥ | C. | ①②⑥ | D. | ①③⑤ |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 方框中的物質(zhì)應(yīng)為 Cu2S | |
B. | 若有1 molSO2生成,則反應(yīng)中有4 mol 電子轉(zhuǎn)移 | |
C. | SO2既是氧化產(chǎn)物又是還原產(chǎn)物 | |
D. | O2只作氧化劑 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
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