Question

【題目】由P、S、Cl、Ni等元素組成的新型材料有著廣泛的用途，回答下列問(wèn)題。

（1）基態(tài) Cl原子核外電子排布式__________________________，P、S、Cl的第一電離能由大到小順序

為____________________。

（2）SCl2分子中的中心原子雜化軌道類型是_____________，該分子構(gòu)型為__________。

（3）Ni與CO能形成配合物Ni(CO)4，該分子中σ鍵與π鍵個(gè)數(shù)比為__________。

（4）已知MgO與NiO的晶體結(jié)構(gòu)（如圖1）相同，其中Mg2+和Ni2+的離子半徑分別為66 pm和69 pm。則熔點(diǎn)：MgO_____NiO（填“＞”、“＜”或“＝”），理由是_____________。

（5）若NiO晶胞中離子坐標(biāo)參數(shù)A為（0，0，0），B為（1，1，0），則C離子坐標(biāo)參數(shù)為______。

（6）一定溫度下，NiO晶體可以自發(fā)地分散并形成“單分子層”，可以認(rèn)為O2－作密置單層排列，Ni2+ 填充其中（如圖2），已知O2－的半徑為a m，每平方米面積上分散的該晶體的質(zhì)量為______g。（用a、NA表示）

Answer 1

【答案】 1s22s22p63s23p5 Cl> P > S sp3 V形 1∶1 > Mg2+半徑比Ni2+小，MgO的晶格能比NiO大 （1，1/2，1/2） 或

【解析】（1）基態(tài)Cl原子的電子排布式是，s能級(jí)有1個(gè)原子軌道，p能級(jí)有3個(gè)原子軌道，所以共占據(jù)9個(gè)原子軌道；同周期元素第一電離能從左到右有增大的趨勢(shì)，第一電離能排序時(shí)，P元素電子排布有半充滿結(jié)構(gòu)，第一電離能較高，高于S元素而低于Cl元素，所以Cl> P > S；正確答案：1s22s22p63s23p5 ； Cl> P > S 。

（2）中S原子雜化軌道數(shù)為，采取雜化方式，兩對(duì)孤對(duì)電子對(duì),所以該分子構(gòu)型為V形,正確答案:；V形。

（3）Ni與CO能形成配合物,CO中含有1根鍵,2根鍵,配位鍵也屬于共價(jià)鍵,也為鍵,該分子中鍵為:與鍵個(gè)數(shù)為:,為,正確答案：1:1。

4）晶體結(jié)構(gòu)相同時(shí)，離子半徑越小離子鍵強(qiáng)度越高，半徑比小，的晶格能比大，熔點(diǎn)；正確答案：>；Mg2+半徑比Ni2+小，MgO的晶格能比NiO大。

（5）題中已經(jīng)給出了坐標(biāo)系的三個(gè)方向示意圖，晶胞是邊長(zhǎng)為1的正方體，C點(diǎn)坐標(biāo)是（1,,）；正確答案：（1,,）。

（6）圖中的單分子層可以如圖畫出一維重復(fù)單元：

重復(fù)單元呈平行四邊形，是相鄰四個(gè)O原子球中心的連線，每個(gè)重復(fù)單元包含1個(gè)O原子和1個(gè)Ni原子，NiO相對(duì)分子質(zhì)量為75。重復(fù)單元所占的平行四邊形面積：，則1平方米上該晶體質(zhì)量為：;正確答案：(9). 或。