2010年上海世博會(huì)期間加強(qiáng)了污染治理的力度,最大限度地減少污染物的排放.各種氮氧化物(NO、NO2)是主要的大氣污染物之一,治理氮氧化物(NOX)廢氣的方法之一是用NaOH溶液進(jìn)行吸收,其反應(yīng)原理可表示如下:
NO2+NO+2NaOH→2NaNO2+H2O    2NO2+2NaOH→NaNO2+NaNO3+H2O
現(xiàn)有NO與NO2的混合氣體,將其通入50mL 2mol/L的NaOH溶液中,恰好完全吸收,測(cè)得溶液中含有NO3- 0.02mol.
(1)所得溶液中NaNO2的物質(zhì)的量為_(kāi)_____mol;
(2)混合氣體中V(NO):V(NO2)=______.
(3)若要使吸收后的溶液中產(chǎn)物全部為NaNO3,理論上在吸收的同時(shí)至少需要通入______mL氧氣(標(biāo)準(zhǔn)狀況).

解:(1)n(NaNO3)=n(NO3-)=0.02mol,
n(NaOH)=0.05L×2mol/L=0.1mol,
根據(jù)Na元素質(zhì)量守恒,則
n(NaOH)=n(NaNO3)+n(NaNO2),
n(NaNO2)=0.1mol-0.02mol=0.08mol,
故答案為:0.08;
(2)設(shè)混合氣體中含有xmolNO,ymolNO2
NO2+NO+2NaOH→2NaNO2+H2O
1 1 2
x x 2x
2NO2+2NaOH→NaNO2+NaNO3+H2O
2 1 1
(y-x) (y-x) (y-x)

解之得
所以x:y=3:7,
故答案為:3:7;
(3)設(shè)理論上在吸收的同時(shí)至少需要通入氧氣的體積為V,
2NaNO2+O2=2NaNO3
2mol 22.4L
0.08mol V
V==0.896L=896ml,
故答案為:896.
分析:(1)從Na元素質(zhì)量守恒的角度解答;
(2)根據(jù)NaNO2和NaNO3的物質(zhì)的量,利用反應(yīng)的化學(xué)方程式解答;
(3)根據(jù)反應(yīng)2NaNO2+O2=2NaNO3計(jì)算.
點(diǎn)評(píng):本題考查混合物的計(jì)算,題目難度中等,本題注意從質(zhì)量守恒的角度結(jié)合有關(guān)反應(yīng)的化學(xué)方程式計(jì)算.
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

2010年上海世博會(huì)場(chǎng)館,大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管(LED).目前市售LED品片,材質(zhì)基本以GaAs(砷化鎵)、AlGaInP(磷化鋁鎵銦)、lnGaN(氮化銦鎵)為主.已知鎵是鋁同族下一周期的元素.砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖.試回答:
(1)鎵的基態(tài)原子的電子排布式是
[Ar]3d104s24p1
[Ar]3d104s24p1

(2)砷化鎵晶胞中所包含的砷原子(白色球)個(gè)數(shù)為
4
4
,與同一個(gè)鎵原子相連的砷原子成的空間構(gòu)型為
正四面體
正四面體

(3)N、P、As處于同一主族,其氫化物沸點(diǎn)由高到低的順序是
NH3>AsH3>PH3
NH3>AsH3>PH3
. (用氫化物分子式表示)
(4)砷化鎵可由(CH33Ga和AsH3在700℃時(shí)制得.(CH33Ga中鎵原子的雜化方式為
sp2
sp2

(5)比較二者的第一電離能:As
Ga(填“<”、“>”或“=”).
(6)下列說(shuō)法正確的是
BCD
BCD
(填字母).
A.砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同B.GaP與GaAs互為等電子體
C.電負(fù)性:As>Ga       D.砷化鎵晶體中含有配位鍵.

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

2010年上海世博會(huì)場(chǎng)館大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管(LED).目前市售LED晶片材質(zhì)基本以GaAs(砷化鎵)、AlGaInP(磷化鋁鎵銦)、InGaN(氮化銦鎵)為主.已知鎵是鋁同族下一周期的元素.砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖.試回答:
(1)鎵的基態(tài)原子的電子排布式是
1s22s22p63d104s24p1
1s22s22p63d104s24p1

(2)比較二者的第一電離能:As
Ga(填“<”、“>”或“=”).
(3)砷化鎵晶胞中所包含的砷原子(白色球)個(gè)數(shù)為
4
4
,與同一個(gè)鎵原子相連的砷原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為
正四面體
正四面體

(4)砷化鎵可由(CH33Ga和AsH3在700℃時(shí)制得.(CH33Ga中鎵原子的雜化方式為
sp2
sp2

(5)N、P、As處于同一主族,其氫化物沸點(diǎn)由高到低的順序是
NH3>AsH3>PH3
NH3>AsH3>PH3
.(用氫化物分子式表示)
(6)下列說(shuō)法正確的是
BCD
BCD
(填字母).
A.砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同       B.GaP與GaAs互為等電子體
C.電負(fù)性:As>Ga                  D.砷化鎵晶體中含有配位鍵.

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

2010年上海世博會(huì)主題是“城市,讓生活更美好”,下列有關(guān)世博會(huì)說(shuō)法錯(cuò)誤的是( 。

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

(2011?南京模擬)2010年上海世博會(huì)場(chǎng)館,大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管(LED).目前市售LED品片,材質(zhì)基本以GaAs(砷化鎵)、AlGaInP(磷化鋁鎵銦)、InGaN(氮化銦鎵)為主.砷化鎵的品胞結(jié)構(gòu)如圖.試回答:
(1)鎵的基態(tài)原子的電子排布式是
ls22s22p63s23p63d104s24p1(或[Ar]3d104s24p1
ls22s22p63s23p63d104s24p1(或[Ar]3d104s24p1

(2)砷化鎵品胞中所包含的砷原子(白色球)個(gè)數(shù)為
4
4
,與同一個(gè)鎵原子相連的砷原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為
正四面體
正四面體

(3)下列說(shuō)法正確的是
BCDE
BCDE
(填字母).
A.砷化鎵品胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同
B.第一電離能:As>Ga
C.電負(fù)性:As>Ga
D.砷化鎵晶體中含有配位鍵
E.GaP與GaAs互為等電子體
(4)N、P、As處于同一主族,其氫化物沸點(diǎn)由高到低的順序是
NH3>AsH3>PH3
NH3>AsH3>PH3

(5)砷化鎵可由(CH33Ga和AsH3在700℃時(shí)制得.(CH33Ga中鎵原子的雜化方式為
sp2
sp2

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

(2011?石景山區(qū)一模)2010年上海世博會(huì)的主題是“城市,讓生活更美好”.下列敘述中不正確的是( 。

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