(2011?南京模擬)2010年上海世博會場館,大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管(LED).目前市售LED品片,材質基本以GaAs(砷化鎵)、AlGaInP(磷化鋁鎵銦)、InGaN(氮化銦鎵)為主.砷化鎵的品胞結構如圖.試回答:
(1)鎵的基態(tài)原子的電子排布式是
ls22s22p63s23p63d104s24p1(或[Ar]3d104s24p1
ls22s22p63s23p63d104s24p1(或[Ar]3d104s24p1

(2)砷化鎵品胞中所包含的砷原子(白色球)個數(shù)為
4
4
,與同一個鎵原子相連的砷原子構成的空間構型為
正四面體
正四面體

(3)下列說法正確的是
BCDE
BCDE
(填字母).
A.砷化鎵品胞結構與NaCl相同
B.第一電離能:As>Ga
C.電負性:As>Ga
D.砷化鎵晶體中含有配位鍵
E.GaP與GaAs互為等電子體
(4)N、P、As處于同一主族,其氫化物沸點由高到低的順序是
NH3>AsH3>PH3
NH3>AsH3>PH3

(5)砷化鎵可由(CH33Ga和AsH3在700℃時制得.(CH33Ga中鎵原子的雜化方式為
sp2
sp2
分析:(1)鎵是31號元素,根據(jù)基態(tài)原子核外電子排布式書寫規(guī)則寫出其基態(tài)原子核外電子排布式;
(2)利用均攤法計算晶胞中含有的砷原子;
(3)A、根據(jù)晶胞結構分析判斷;
B、同一周期,元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而增大,但第VA族的第一電離能大于第VIA族的第一電離能;
C、同一周期元素中,元素的電負性隨著原子序數(shù)的增大而增大;
D、含有空軌道的原子和含有孤電子對的原子之間易形成配位鍵;
E、原子總數(shù)相同、價電子總數(shù)相同的分子為等電子體;
(4)同一主族元素中,氫化物的沸點隨著原子序數(shù)的增大而增大,但含有氫鍵的氫化物的沸點最高;
(5)根據(jù)價層電子對個數(shù)確定雜化方式.
解答:解:(1)鎵原子的價態(tài)核外電子排布式為:l s22s22p63s23p63d104s24p1(或[Ar]3d104s24p1);
故答案為:l s22s22p63s23p63d104s24p1(或[Ar]3d104s24p1);
(2)砷原子(白色球)個數(shù)=8×
1
8
+6×
1
2
=4
,根據(jù)晶胞結構知,每個鎵原子連接4個砷原子,構成正四面體結構;
故答案為:4,正四面體;
(3)A.根據(jù)晶胞結構知,砷化鎵品胞結構與NaCl不同,故錯誤;
B.第一電離能:As>Ga,故正確;
C.電負性:As>Ga,故正確;
D.砷提供孤電子對,鎵提供空軌道,所以砷化鎵晶體中含有配位鍵,故正確;
E.GaP與GaAs中原子總數(shù)相同、價電子數(shù)相同,所以互為等電子體,故正確;
故選BCDE;
(4)同一主族元素中,氫化物的沸點隨著原子序數(shù)的增大而增大,但含有氫鍵的氫化物的沸點最高,NH3能形成氫鍵,沸點最高,N、P、As的氫化物沸點由高到低的順序是NH3>AsH3>PH3;  
故答案為:NH3>AsH3>PH3;
(5)(CH33Ga中鎵原子含有3個σ 鍵,不含孤電子對,所以鎵原子的雜化方式是sp2;
故答案為:sp2
點評:本題考查了原子的雜化方式、核外電子排布式的書寫、物質熔沸點的判斷等知識點,電子排布式的書寫、原子的雜化方式是高考的熱點,是學習的重點.
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.
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MnO2+4HCl(濃)
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MnCl2+Cl2↑+2H2O

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c
c
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;
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35.75%
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