考點:晶胞的計算,原子核外電子排布,元素電離能、電負性的含義及應(yīng)用,位置結(jié)構(gòu)性質(zhì)的相互關(guān)系應(yīng)用,共價鍵的形成及共價鍵的主要類型,判斷簡單分子或離子的構(gòu)型
專題:元素周期律與元素周期表專題,化學(xué)鍵與晶體結(jié)構(gòu)
分析:A、B、C、D四種元素.已知A原子的p軌道中有3個未成對電子,外圍電子排布為ns2np3,其氣態(tài)氫化物在水中的溶解度在同族元素所形成的氫化物中最大,應(yīng)與水分子之間形成氫鍵,可推知A為N元素;B 的基態(tài)原子占據(jù)兩種形狀的原子軌道,且兩種形狀軌道中的電子總數(shù)均相同,位于元素周期表的s區(qū),原子核外電子排布式為1s22s22p63s2,則B為Mg元素;C元素原子的外圍電子層排布式為nsn-1npn-1,s能級只能容納2個電子,故n=3,則C為Si元素; D原子M能層為全充滿狀態(tài),且核外的未成對電子只有一個,則原子核外電子數(shù)為2+8+18+1=29,故D為Cu,據(jù)此解答.
解答:
解:A、B、C、D四種元素.已知A原子的p軌道中有3個未成對電子,外圍電子排布為ns
2np
3,其氣態(tài)氫化物在水中的溶解度在同族元素所形成的氫化物中最大,應(yīng)與水分子之間形成氫鍵,可推知A為N元素;B 的基態(tài)原子占據(jù)兩種形狀的原子軌道,且兩種形狀軌道中的電子總數(shù)均相同,位于元素周期表的s區(qū),原子核外電子排布式為1s
22s
22p
63s
2,則B為Mg元素;C元素原子的外圍電子層排布式為ns
n-1np
n-1,s能級只能容納2個電子,故n=3,則C為Si元素; D原子M能層為全充滿狀態(tài),且核外的未成對電子只有一個,則原子核外電子數(shù)為2+8+18+1=29,故D為Cu,
(1)NCl
3分子中N原子含有孤電子對=
=1,價層電子對數(shù)=3+1=4,則N原子采取sp
3雜化,為三角錐形結(jié)構(gòu),
故答案為:sp
3;三角錐形;
(2)3p能級能量高于3s能級,應(yīng)填充滿3s能級再填充3p能級,違背能量最低原理,
故答案為:能量最低原理;
(3)非金屬性越強,第一電離能越大,故第一電離能N>Si>Mg,C
60分子中每個原子只跟相鄰的3個原子形成共價鍵,且每個原子最外層都滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu),則每個C形成的這3個鍵中,必然有1個雙鍵,這樣每個C原子最外層才滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu),雙鍵數(shù)應(yīng)該是C原子數(shù)的一半,而每個雙鍵有1個π鍵,顯然π鍵數(shù)目為30,
故答案為:N>Si>Mg;30;
(4)Cu的基態(tài)原子核外電子排布式為1s
22s
22p
63s
23p
63d
104s
1,1s、2s、2p、3s、3p、3d、4s能級能量不同,有7種能量不同的電子;Cu
2+的價電子排布式為3d
9;
Cu為面心立方最密堆積,是ABC型方式堆積,故為圖乙結(jié)構(gòu);晶胞中Cu原子數(shù)目=8×
+6×
=4,晶胞質(zhì)量=4×
g,該晶體中一個晶胞的邊長為a cm,則晶胞體積=(a cm)
3=a
3 cm
3,則Cu晶體的密度=(4×
g)÷a
3 cm
3=
g/cm
3,
若Cu的原子半徑為r,則晶胞棱長=4r×
=2
r,則晶胞體積=(2
r)
3,晶胞中Cu原子總體積=4×
πr
3,則Cu晶胞這種堆積模型的空間利用率為
×100%,
故答案為:7;3d
9;乙;
g/cm
3;
×100%.
點評:本題是對物質(zhì)結(jié)構(gòu)的考查,題目綜合性較大,涉及分子結(jié)構(gòu)、雜化軌道、核外電子排布、電離能、晶胞計算等,是對學(xué)生綜合能力的考查,(4)中晶胞空間利用率計算是難點、易錯點,學(xué)習中注重相關(guān)基礎(chǔ)的積累,難度中等.