科目: 來(lái)源:2010年北京房山區(qū)初三一模物理試卷(解析版) 題型:填空題
如圖所示,V1和V2是完全相同的兩個(gè)電壓表,都有3V和15V兩個(gè)量程,閉合開(kāi)關(guān)后,發(fā)現(xiàn)兩個(gè)電壓表偏轉(zhuǎn)的角度相同,則在相同時(shí)間內(nèi),電流通過(guò)電阻R1和R2產(chǎn)生的熱量Q1∶Q2= 。
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科目: 來(lái)源:2010年北京房山區(qū)初三一模物理試卷(解析版) 題型:填空題
如圖所示,柱形容器中裝有密度為ρ1=1.2g/cm3的某種液體,將一金屬塊放入底面積為S=100cm2的長(zhǎng)方體塑料盒中,塑料盒豎直漂浮在液面上,且液體不會(huì)溢出容器,其浸入液體的深度為h1=20cm。若把金屬塊從塑料盒中取出,用細(xì)線系在塑料盒的下方,放入該液體中,塑料盒豎直漂浮在液面上,且金屬塊不接觸容器底,塑料盒浸入液體的深度為h2=15cm。剪斷細(xì)線,金屬塊沉到容器底部,塑料盒仍豎直漂浮在液面上,其浸入液體的深度為h3=10cm。則金屬塊的密度ρ2= g/cm3。
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科目: 來(lái)源:2010年北京房山區(qū)初三一模物理試卷(解析版) 題型:作圖題
如圖所示,AO為入射光線,ON為法線。請(qǐng)畫出入射光線AO的反射光線。(2分)
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科目: 來(lái)源:2010年北京房山區(qū)初三一模物理試卷(解析版) 題型:填空題
物理課外小組的同學(xué)們利用天平和量筒測(cè)小石塊的密度,如圖所示。先用天平稱出小石塊的質(zhì)量,天平平衡時(shí),如圖甲所示,小石塊的質(zhì)量為 g;再用量筒測(cè)小石塊的體積,如圖乙所示,其體積為 cm3。由此計(jì)算出小石塊的密度為 kg/m3。
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科目: 來(lái)源:2010年北京房山區(qū)初三一模物理試卷(解析版) 題型:實(shí)驗(yàn)題
如圖所示,是某種晶體的熔化曲線,其中BC部分表示晶體的 過(guò)程,從圖中可以看出這種晶體的熔點(diǎn)是 °C,在第10min時(shí)該晶體處于 態(tài)。(3分)
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科目: 來(lái)源:2010年北京房山區(qū)初三一模物理試卷(解析版) 題型:實(shí)驗(yàn)題
如圖所示,是探究凸透鏡成像規(guī)律的實(shí)驗(yàn)裝置,其中蠟燭已被點(diǎn)燃。透鏡放在50cm刻線處,蠟燭放在20cm刻線處,光屏放在80cm刻線處,光屏上可接收到清晰的像,由此可知這個(gè)透鏡的焦距為 cm。如果將蠟燭移動(dòng)到30cm刻線處,光屏上仍可接收到清晰的像,光屏應(yīng)向 (選填“左”或“右”)移動(dòng)到適當(dāng)?shù)奈恢。?分)
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