Question

硅是信息技術(shù)的關(guān)鍵材料，也是應(yīng)用得最多的半導(dǎo)體材料．制造硅半導(dǎo)體材料的原料是高純硅（Si），三氯甲硅烷（SiHCl₃）還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法．生產(chǎn)流程如下：

請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
（1）三氯甲硅烷（SiHCl₃）是由

 

種元素組成的物質(zhì)；
（2）“精餾”也是蒸餾的一種方式，通過(guò)蒸餾可把液體混合物分離開(kāi)來(lái)，原理是利用混合物各成分的

 

（選填“熔點(diǎn)”或“沸點(diǎn)”）不同；
（3）在H₂還原SiHCl₃過(guò)程中若混入O₂，可能引起的后果是

 

；
（4）請(qǐng)寫(xiě)出三氯甲硅烷還原法制高純硅的化學(xué)方程式：

 

；
（5）石英砂的主要成分是SiO₂，含有少量氧化鋁，若要除去氧化鋁，可選用的試劑是

 

，除雜過(guò)程中所發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為：

 

．

Answer 1

考點(diǎn)：物質(zhì)的相互轉(zhuǎn)化和制備,混合物的分離方法,化學(xué)式的書(shū)寫(xiě)及意義,書(shū)寫(xiě)化學(xué)方程式、文字表達(dá)式、電離方程式,燃燒、爆炸、緩慢氧化與自燃

專(zhuān)題：物質(zhì)的制備

分析：（1）根據(jù)三氯甲硅烷（SiHCl₃）的化學(xué)式分析作答；
（2）用蒸餾法分離液態(tài)混合物，要求各組份的沸點(diǎn)不相同；
（3）根據(jù)氫氣與氧氣反應(yīng)的情況和Si與氧氣反應(yīng)的情況考慮；
（4）從圖中流程可以發(fā)現(xiàn)，由粗硅到三氯甲硅烷和由三氯甲硅烷到高純硅是兩個(gè)相反的過(guò)程，在寫(xiě)化學(xué)方程式時(shí)，要根據(jù)質(zhì)量守恒定律增加某些反應(yīng)物或生成物；
（5）注意除去雜質(zhì)時(shí)，不要與要除雜的物質(zhì)反應(yīng)．

解答：解：
（1）三氯甲硅烷（SiHCl₃）是由3種元素組成的物質(zhì)；
（2）蒸餾可把液體混合物分離，原理是利用混合物各成分的沸點(diǎn)不同；
（3）在H₂還原SiHCl₃過(guò)程中若混入O₂，氫氣與氧氣會(huì)發(fā)生反應(yīng)并放出大量熱量，會(huì)引起爆炸；
（4）三氯甲硅烷還原法制高純硅的化學(xué)方程式為：H₂+SiHCl₃

高溫  .

 Si+3HCl；
（5）石英砂的主要成分是SiO₂，含有少量氧化鋁，若要除去氧化鋁，可選用的試劑是稀鹽酸；除雜過(guò)程中所發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為：Al₂O₃+6HCl═2AlCl₃+3H₂O．
故答案為：
（1）3；　（2）沸點(diǎn)；（3）發(fā)生爆炸；
（4）H₂+SiHCl₃

高溫  .

 Si+3HCl；
（5）稀鹽酸；Al₂O₃+6HCl═2AlCl₃+3H₂O．

點(diǎn)評(píng)：以流程圖呈現(xiàn)實(shí)驗(yàn)過(guò)程的探究性考題，是近幾年中考探究題命題特點(diǎn)之一．讀懂實(shí)驗(yàn)流程圖，明確實(shí)驗(yàn)步驟和原理，是正確解答此類(lèi)問(wèn)題的前提．注意信息的提煉和應(yīng)用．