如圖為一有界勻強(qiáng)電場，場強(qiáng)方向?yàn)樗椒较颍ㄌ摼�為電場線），-帶負(fù)電微粒以某一角度θ從電場的a點(diǎn)斜向上方射入，沿直線運(yùn)動(dòng)到b點(diǎn)，則可知（　�。�
A．電場中a點(diǎn)的電勢低于b點(diǎn)的電勢
B．微粒在a點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能與電勢能之和與在b點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能與電勢能之和相等
C．微粒在a點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能小于在b點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能，在a點(diǎn)時(shí)的電勢能大于在b點(diǎn)時(shí)的電勢能
D．微粒在a點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能大于在b點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能，在a點(diǎn)時(shí)的電勢能小于在b點(diǎn)時(shí)的電勢能
魔方格
D
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相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源：2011年高二第一學(xué)期期中聯(lián)考物理卷 題型：選擇題

如圖為一有界勻強(qiáng)電場，場強(qiáng)方向?yàn)樗椒较?虛線為電場線),—帶負(fù)電微粒以某一角度θ從電場的a點(diǎn)斜向上方射入,沿直線運(yùn)動(dòng)到b點(diǎn),即可知(     )

 

A．電場中a點(diǎn)的電勢高于b點(diǎn)的電勢

B．微粒在a點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能與電勢能之和與在b點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能與電勢能之和相等

C．微粒在a點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能小于在b點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能,在a點(diǎn)時(shí)的電勢能大于在b點(diǎn)時(shí)的電勢能

D．微粒在a點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能大于在b點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能,在a點(diǎn)時(shí)的電勢能小于在b點(diǎn)時(shí)的電勢能

 

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

如圖為一有界勻強(qiáng)電場，場強(qiáng)方向?yàn)樗椒较?虛線為電場線),—帶負(fù)電微粒以某一角度θ從電場的a點(diǎn)斜向上方射入,沿直線運(yùn)動(dòng)到b點(diǎn),即可知(    )
A．電場中a點(diǎn)的電勢高于b點(diǎn)的電勢
B．微粒在a點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能與電勢能之和與在b點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能與電勢能之和相等
C．微粒在a點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能小于在b點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能,在a點(diǎn)時(shí)的電勢能大于在b點(diǎn)時(shí)的電勢能
D．微粒在a點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能大于在b點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能,在a點(diǎn)時(shí)的電勢能小于在b點(diǎn)時(shí)的電勢能

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科目：高中物理 來源： 題型：多選題

如圖為一有界勻強(qiáng)電場，場強(qiáng)方向?yàn)樗椒较?虛線為電場線),—帶負(fù)電微粒以某一角度θ從電場的a點(diǎn)斜向上方射入,沿直線運(yùn)動(dòng)到b點(diǎn),即可知


  1. A.
    電場中a點(diǎn)的電勢高于b點(diǎn)的電勢
  2. B.
    微粒在a點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能與電勢能之和與在b點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能與電勢能之和相等
  3. C.
    微粒在a點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能小于在b點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能,在a點(diǎn)時(shí)的電勢能大于在b點(diǎn)時(shí)的電勢能
  4. D.
    微粒在a點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能大于在b點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能,在a點(diǎn)時(shí)的電勢能小于在b點(diǎn)時(shí)的電勢能

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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖為一有界勻強(qiáng)電場，場強(qiáng)方向?yàn)樗椒较?虛線為電場線),—帶負(fù)電微粒以某一角度θ從電場的a點(diǎn)斜向上方射入,沿直線運(yùn)動(dòng)到b點(diǎn),即可知(    )

A．電場中a點(diǎn)的電勢低于b點(diǎn)的電勢

B．微粒在a點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能與電勢能之和與在b點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能與電勢能之和相等

C．微粒在a點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能小于在b點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能,在a點(diǎn)時(shí)的電勢能大于在b點(diǎn)時(shí)的電勢能

D．微粒在a點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能大于在b點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能,在a點(diǎn)時(shí)的電勢能小于在b點(diǎn)時(shí)的電勢能

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科目：高中物理 來源： 題型：

 

如圖為一有界勻強(qiáng)電場，場強(qiáng)方向?yàn)樗椒较?虛線為電場線),—帶負(fù)電微粒以某一角度θ從電場的a點(diǎn)斜向上方射入,沿直線運(yùn)動(dòng)到b點(diǎn),即可知(    )

A．電場中a點(diǎn)的電勢低于b點(diǎn)的電勢

B．微粒在a點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能與電勢能之和與在b點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能與電勢能之和相等

C．微粒在a點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能小于在b點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能,在a點(diǎn)時(shí)的電勢能大于在b點(diǎn)時(shí)的電勢能

D．微粒在a點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能大于在b點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能,在a點(diǎn)時(shí)的電勢能小于在b點(diǎn)時(shí)的電勢能

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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖為一有界勻強(qiáng)電場，場強(qiáng)方向?yàn)樗椒较?虛線為電場線),—帶負(fù)電微粒以某一角度θ從電場的a點(diǎn)斜向上方射入,沿直線運(yùn)動(dòng)到b點(diǎn),即可知(     )

 

A．電場中a點(diǎn)的電勢高于b點(diǎn)的電勢

B．微粒在a點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能與電勢能之和與在b點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能與電勢能之和相等

C．微粒在a點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能小于在b點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能,在a點(diǎn)時(shí)的電勢能大于在b點(diǎn)時(shí)的電勢能

D．微粒在a點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能大于在b點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能,在a點(diǎn)時(shí)的電勢能小于在b點(diǎn)時(shí)的電勢能

 

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科目：高中物理 來源：2011年高二第一學(xué)期期中聯(lián)考物理卷 題型：單選題

如圖為一有界勻強(qiáng)電場，場強(qiáng)方向?yàn)樗椒较?虛線為電場線),—帶負(fù)電微粒以某一角度θ從電場的a點(diǎn)斜向上方射入,沿直線運(yùn)動(dòng)到b點(diǎn),即可知(    )

A．電場中a點(diǎn)的電勢高于b點(diǎn)的電勢
B．微粒在a點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能與電勢能之和與在b點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能與電勢能之和相等
C．微粒在a點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能小于在b點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能,在a點(diǎn)時(shí)的電勢能大于在b點(diǎn)時(shí)的電勢能
D．微粒在a點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能大于在b點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能,在a點(diǎn)時(shí)的電勢能小于在b點(diǎn)時(shí)的電勢能

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科目：高中物理 來源：黑龍江省哈九中2010－2011學(xué)年高二上學(xué)期期末考試物理試題 題型：021

如圖為一有界勻強(qiáng)電場，場強(qiáng)方向?yàn)樗椒较?虛線為電場線)，－帶負(fù)電微粒以某一角度從電場的a點(diǎn)斜向上方射入，沿直線運(yùn)動(dòng)到b點(diǎn)，則可知

A．

電場中a點(diǎn)的電勢低于b點(diǎn)的電勢

B．

微粒在a點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能與電勢能之和與在b點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能與電勢能之和相等

C．

微粒在a點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能小于在b點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能，在a點(diǎn)時(shí)的電勢能大于在b點(diǎn)時(shí)的電勢能

D．

微粒在a點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能大于在b點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能，在a點(diǎn)時(shí)的電勢能小于在b點(diǎn)時(shí)的電勢能

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科目：高中物理 來源： 題型：

一有界勻強(qiáng)磁場區(qū)域如圖甲所示，質(zhì)量為m、電阻為R的長方形矩形線圈abcd邊長分別為L和2L，線圈一半在磁場內(nèi)，一半在磁場外，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B0，t=0時(shí)刻磁場開始均勻減小，線圈中產(chǎn)生感應(yīng)電流，在磁場力作用下運(yùn)動(dòng)，v-t圖象如圖乙，圖中斜向虛線為過O點(diǎn)速度圖線的切線，數(shù)據(jù)由圖中給出，不考慮重力影響，則磁場磁感應(yīng)強(qiáng)度的變化率
△B
△t
等于（　�。�

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科目：高中物理 來源：2012-2013學(xué)年山東省淄博市沂源一中高三（上）期末物理模擬試卷（解析版） 題型：選擇題

一有界勻強(qiáng)磁場區(qū)域如圖甲所示，質(zhì)量為m、電阻為R的長方形矩形線圈abcd邊長分別為L和2L，線圈一半在磁場內(nèi)，一半在磁場外，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，t=0時(shí)刻磁場開始均勻減小，線圈中產(chǎn)生感應(yīng)電流，在磁場力作用下運(yùn)動(dòng)，v-t圖象如圖乙，圖中斜向虛線為過O點(diǎn)速度圖線的切線，數(shù)據(jù)由圖中給出，不考慮重力影響，則磁場磁感應(yīng)強(qiáng)度的變化率等于（ ）

A．
B．
C．
D．

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