邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形金屬框在水平恒力F作用下,將穿過方向如圖所示的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng).磁場(chǎng)范圍寬為d(d>L).已知線框進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)恰好勻速.則線框進(jìn)入磁場(chǎng)的過程和從另一側(cè)出磁場(chǎng)的過程相比較,下列說法正確的是( 。
A.線框中感應(yīng)電流的方向相反
B.所受安培力的方向相反
C.出磁場(chǎng)過程產(chǎn)生的電能一定大于進(jìn)磁場(chǎng)過程產(chǎn)生的電能
D.出磁場(chǎng)過程中任意時(shí)刻的電功率一定大于進(jìn)磁場(chǎng)時(shí)的電功率
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AC
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科目:高中物理 來源: 題型:

邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形金屬框在水平恒力F作用下運(yùn)動(dòng),穿過方向如圖的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域.磁場(chǎng)區(qū)域的寬度為d(d>L).已知ab邊進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí),線框的加速度恰好為零.則線框進(jìn)入磁場(chǎng)的過程和從磁場(chǎng)另一側(cè)穿出的過程相比較,有( 。

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科目:高中物理 來源: 題型:

邊長(zhǎng)為L的正方形金屬框在水平恒力F作用下,將穿過方向如圖所示的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)。磁場(chǎng)范圍為ddL),已知線框進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)恰好勻速,則線框進(jìn)入磁場(chǎng)的過程和從另一側(cè)穿出磁場(chǎng)的過程相比較,下列說法正確的是(  )

A.線框中感應(yīng)電流的方向相反

B.所受安培力的方向相反

C.穿出磁場(chǎng)過程產(chǎn)生的電能一定大于進(jìn)入磁場(chǎng)過程產(chǎn)生的電能

D.穿出磁場(chǎng)過程中任意時(shí)刻的電功率不可能小于進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的電功率

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科目:高中物理 來源:2013屆山東省濟(jì)寧市泗水一中高三12月月考質(zhì)量檢測(cè)物理試卷(帶解析) 題型:單選題

邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形金屬框在水平恒力F作用下運(yùn)動(dòng),穿過方向如圖的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,磁場(chǎng)區(qū)域的寬度為d(d>L).已知ab邊進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí),線框的加速度恰好為零.則線框進(jìn)入磁場(chǎng)和穿出磁場(chǎng)的過程相比較,有

A.產(chǎn)生的感應(yīng)電流方向相反
B.受的安培力大小相等方向相反
C.進(jìn)入磁場(chǎng)過程的時(shí)間等于穿出磁場(chǎng)過程的時(shí)間
D.進(jìn)入磁場(chǎng)過程中產(chǎn)生的熱量少于穿出磁場(chǎng)過程產(chǎn)生的熱量

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科目:高中物理 來源:2012-2013學(xué)年內(nèi)蒙古巴市一中高二上學(xué)期期末考試物理試卷(帶解析) 題型:單選題

邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形金屬框在水平恒力F作用下運(yùn)動(dòng),穿過方向如圖的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域.磁場(chǎng)區(qū)域的寬度為d(d>L)。已知ab邊進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí),線框的加速度恰好為零.則線框進(jìn)入磁場(chǎng)的過程和從磁場(chǎng)另一側(cè)穿出的過程相比較,有                       

A.產(chǎn)生的感應(yīng)電流方向相反
B.所受的安培力方向相同
C.進(jìn)入磁場(chǎng)過程的時(shí)間等于穿出磁場(chǎng)過程的時(shí)間
D.進(jìn)入磁場(chǎng)過程和穿出磁場(chǎng)過程中通過導(dǎo)體內(nèi)某一截面的電量相等

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科目:高中物理 來源:2012-2013學(xué)年山東省德州市某中學(xué)高三12月月考物理試卷(帶解析) 題型:單選題

邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形金屬框在水平恒力F作用下運(yùn)動(dòng),穿過方向如圖的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,磁場(chǎng)區(qū)域的寬度為d(d>L).已知ab邊進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí),線框的加速度恰好為零.則線框進(jìn)入磁場(chǎng)和穿出磁場(chǎng)的過程相比較,有

A.產(chǎn)生的感應(yīng)電流方向相反
B.受的安培力大小相等方向相反
C.進(jìn)入磁場(chǎng)過程的時(shí)間等于穿出磁場(chǎng)過程的時(shí)間
D.進(jìn)入磁場(chǎng)過程中產(chǎn)生的熱量少于穿出磁場(chǎng)過程產(chǎn)生的熱量

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科目:高中物理 來源:2014屆貴州貴陽北京師范大學(xué)貴陽附屬中學(xué)高三上第一次月考物理試卷(解析版) 題型:選擇題

邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形金屬框在水平恒力F作用下運(yùn)動(dòng),穿過方向如圖的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,磁場(chǎng)區(qū)域的寬度為d(d>L)。已知ab邊進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí),線框的加速度恰好為零.則線框進(jìn)入磁場(chǎng)的過程和從磁場(chǎng)另一側(cè)穿出的過程相比較,有( )

A.產(chǎn)生的感應(yīng)電流方向相同

B.所受的安培力方向相同

C.進(jìn)入磁場(chǎng)過程和穿出磁場(chǎng)過程中通過導(dǎo)體內(nèi)某一截面的電量相等

D.進(jìn)入磁場(chǎng)過程的時(shí)間等于穿出磁場(chǎng)過程的時(shí)間

 

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科目:高中物理 來源:2014屆內(nèi)蒙古巴市高二上學(xué)期期末考試物理試卷(解析版) 題型:選擇題

邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形金屬框在水平恒力F作用下運(yùn)動(dòng),穿過方向如圖的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域.磁場(chǎng)區(qū)域的寬度為d(d>L)。已知ab邊進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí),線框的加速度恰好為零.則線框進(jìn)入磁場(chǎng)的過程和從磁場(chǎng)另一側(cè)穿出的過程相比較,有                       

A.產(chǎn)生的感應(yīng)電流方向相反

B.所受的安培力方向相同

C.進(jìn)入磁場(chǎng)過程的時(shí)間等于穿出磁場(chǎng)過程的時(shí)間

D.進(jìn)入磁場(chǎng)過程和穿出磁場(chǎng)過程中通過導(dǎo)體內(nèi)某一截面的電量相等

 

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科目:高中物理 來源:2013屆山東省德州市高三12月月考物理試卷(解析版) 題型:選擇題

邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形金屬框在水平恒力F作用下運(yùn)動(dòng),穿過方向如圖的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,磁場(chǎng)區(qū)域的寬度為d(d>L).已知ab邊進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí),線框的加速度恰好為零.則線框進(jìn)入磁場(chǎng)和穿出磁場(chǎng)的過程相比較,有

A.產(chǎn)生的感應(yīng)電流方向相反

B.受的安培力大小相等方向相反

C.進(jìn)入磁場(chǎng)過程的時(shí)間等于穿出磁場(chǎng)過程的時(shí)間

D.進(jìn)入磁場(chǎng)過程中產(chǎn)生的熱量少于穿出磁場(chǎng)過程產(chǎn)生的熱量

 

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科目:高中物理 來源: 題型:單選題

邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形金屬框在水平恒力F作用下運(yùn)動(dòng),穿過方向如圖的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域.磁場(chǎng)區(qū)域的寬度為d(d>L)。已知ab邊進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí),線框的加速度恰好為零.則線框進(jìn)入磁場(chǎng)的過程和從磁場(chǎng)另一側(cè)穿出的過程相比較,有

A.產(chǎn)生的感應(yīng)電流方向相反
B.所受的安培力方向相反
C.進(jìn)入磁場(chǎng)過程的時(shí)間等于穿出磁場(chǎng)過程的時(shí)間
D.進(jìn)入磁場(chǎng)過程的發(fā)熱量少于穿出磁場(chǎng)過程的發(fā)熱量

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科目:高中物理 來源: 題型:單選題

邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形金屬框在水平恒力F作用下運(yùn)動(dòng),穿過方向如圖的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,磁場(chǎng)區(qū)域的寬度為d(d>L)。已知ab邊進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí),線框的加速度恰好為零.則線框進(jìn)入磁場(chǎng)的過程和從磁場(chǎng)另一側(cè)穿出的過程相比較,有( )

A.產(chǎn)生的感應(yīng)電流方向相同
B.所受的安培力方向相同
C.進(jìn)入磁場(chǎng)過程和穿出磁場(chǎng)過程中通過導(dǎo)體內(nèi)某一截面的電量相等
D.進(jìn)入磁場(chǎng)過程的時(shí)間等于穿出磁場(chǎng)過程的時(shí)間

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