如圖所示,質(zhì)量為m,邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形線框從某一高度自由落下后,通過(guò)一高度也為L(zhǎng)的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域.則線框通過(guò)磁場(chǎng)過(guò)程中產(chǎn)生的焦耳熱( 。
A.可能大于2mgLB.可能等于2mgL
C.可能小于2mgLD.可能為零
魔方格
ABC
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相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

如圖所示,質(zhì)量為m,邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形線框從某一高度自由落下后,通過(guò)一高度也為L(zhǎng)的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域.則線框通過(guò)磁場(chǎng)過(guò)程中產(chǎn)生的焦耳熱( 。

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

如圖所示,質(zhì)量為m,邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形線框,在有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)上方h高處由靜止自由下落,線框的總電阻為R,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)寬度為2L.線框下落過(guò)程中,ab邊始終與磁場(chǎng)邊界平行且處于水平方向.已知ab邊剛穿出磁場(chǎng)時(shí)線框恰好做勻速運(yùn)動(dòng).求:
(1)cd邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)線框的速度;?
(2)線框穿過(guò)磁場(chǎng)的過(guò)程中,產(chǎn)生的焦耳熱.

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

如圖所示,質(zhì)量為m,邊長(zhǎng)為L的正方形線框abcd,從垂直紙面向里的水平有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)的上方h高度處由靜止自由下落,磁場(chǎng)高度為H,線框下落過(guò)程中始終在同一豎直平面內(nèi)且cd邊與磁場(chǎng)邊界都沿水平方向

(1)請(qǐng)證明線框進(jìn)入磁場(chǎng)的過(guò)程中任意時(shí)刻線框克服安培力做功的功率等于線框的電功率;

(2)若m=0.40kg,L=0.45m,h=0.80 m,H=1.45m,且cd邊進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)線框剛好做勻速運(yùn)動(dòng),求cd邊剛穿出磁場(chǎng)時(shí)線框的加速度大;(g取10m/s2)。

(3)在(2)中,若線框剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)對(duì)其施加一豎直方向外力F,使其能以a=10.0m/s2的加速度豎直向下做勻加速運(yùn)動(dòng),請(qǐng)?jiān)谙聢D中作出線框abcd進(jìn)入磁場(chǎng)的過(guò)程中外力F隨時(shí)間t變化的圖像。

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科目:高中物理 來(lái)源:不詳 題型:多選題

如圖所示,質(zhì)量為m,邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形線框從某一高度自由落下后,通過(guò)一高度也為L(zhǎng)的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域.則線框通過(guò)磁場(chǎng)過(guò)程中產(chǎn)生的焦耳熱( 。
A.可能大于2mgLB.可能等于2mgL
C.可能小于2mgLD.可能為零
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

如圖所示,質(zhì)量為m,邊長(zhǎng)為L的正方形線框abcd,從垂直紙面向里的水平有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)的上方h高度處由靜止自由下落,磁場(chǎng)高度為H,線框下落過(guò)程中始終在同一豎直平面內(nèi)且cd邊與磁場(chǎng)邊界都沿水平方向
(1)請(qǐng)證明線框進(jìn)入磁場(chǎng)的過(guò)程中任意時(shí)刻線框克服安培力做功的功率等于線框的電功率;
(2)若m=0.40kg,L=0.45m,h=0.80 m,H=1.45m,且cd邊進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)線框剛好做勻速運(yùn)動(dòng),求cd邊剛穿出磁場(chǎng)時(shí)線框的加速度大小;(g取10m/s2)。
(3)在(2)中,若線框剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)對(duì)其施加一豎直方向外力F,使其能以a=10.0m/s2的加速度豎直向下做勻加速運(yùn)動(dòng),請(qǐng)?jiān)谙聢D中作出線框abcd進(jìn)入磁場(chǎng)的過(guò)程中外力F隨時(shí)間t變化的圖像。
 

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科目:高中物理 來(lái)源:2006-2007學(xué)年北京市西城區(qū)高三(上)期末抽樣測(cè)試物理試卷(解析版) 題型:選擇題

如圖所示,質(zhì)量為m,邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形線框從某一高度自由落下后,通過(guò)一高度也為L(zhǎng)的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域.則線框通過(guò)磁場(chǎng)過(guò)程中產(chǎn)生的焦耳熱( )

A.可能大于2mgL
B.可能等于2mgL
C.可能小于2mgL
D.可能為零

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科目:高中物理 來(lái)源:2010-2011學(xué)年浙江省杭州外國(guó)語(yǔ)學(xué)校高二(下)期中物理試卷(解析版) 題型:解答題

如圖所示,質(zhì)量為m,邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形線框,在有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)上方h高處由靜止自由下落,線框的總電阻為R,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)寬度為2L.線框下落過(guò)程中,ab邊始終與磁場(chǎng)邊界平行且處于水平方向.已知ab邊剛穿出磁場(chǎng)時(shí)線框恰好做勻速運(yùn)動(dòng).求:
(1)cd邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)線框的速度;?
(2)線框穿過(guò)磁場(chǎng)的過(guò)程中,產(chǎn)生的焦耳熱.

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科目:高中物理 來(lái)源:不詳 題型:問(wèn)答題

如圖所示,質(zhì)量為m,邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形線框,在有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)上方h高處由靜止自由下落,線框的總電阻為R,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)寬度為2L.線框下落過(guò)程中,ab邊始終與磁場(chǎng)邊界平行且處于水平方向.已知ab邊剛穿出磁場(chǎng)時(shí)線框恰好做勻速運(yùn)動(dòng).求:
(1)cd邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)線框的速度;?
(2)線框穿過(guò)磁場(chǎng)的過(guò)程中,產(chǎn)生的焦耳熱.

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科目:高中物理 來(lái)源:福建三明一中2008-2009學(xué)年高二下學(xué)期第一次月考物理試題 題型:038

如圖所示,質(zhì)量為m,邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形線框abcd,從垂直紙面向里的水平有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)的上方h高度處由靜止自由下落,磁場(chǎng)高度為H,線框下落過(guò)程中始終在同一豎直平面內(nèi),且cd邊與磁場(chǎng)邊界都沿水平方向

(1)請(qǐng)證明線框進(jìn)入磁場(chǎng)的過(guò)程中任意時(shí)刻克服安培力做功的功率等于線框的電功率;

(2)若m=0.40 kg,L=0.45 m,h=0.80 m,H=1.45 m,且cd邊進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)線框剛好做勻速運(yùn)動(dòng),求cd邊剛穿出磁場(chǎng)時(shí)線框加速度大;(g=10 m/s2)

(3)在(2)中,若線圈剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)對(duì)其施加一豎直方向外力F,使其能以a=10 m/s2的加速度豎直向下做勻加速運(yùn)動(dòng),請(qǐng)?jiān)谙聢D中作出線框abcd進(jìn)入磁場(chǎng)的過(guò)程中外力F隨時(shí)間t變化的圖像.

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科目:高中物理 來(lái)源:北京市西城區(qū)2007年高三物理抽樣測(cè)試 題型:021

如圖所示,質(zhì)量為m,邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形線框從某一高度自由落下后,通過(guò)一高度也為L(zhǎng)的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域.則線框通過(guò)磁場(chǎng)過(guò)程中產(chǎn)生的焦耳熱

A.可能大于2mgL

B.可能等于2mgL

C.可能小于2mgL

D.可能為零

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