如圖所示,質(zhì)量為m,邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形線框從某一高度自由落下后,通過(guò)一高度也為L(zhǎng)的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域.則線框通過(guò)磁場(chǎng)過(guò)程中產(chǎn)生的焦耳熱( 。
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
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如圖所示,質(zhì)量為m,邊長(zhǎng)為L的正方形線框abcd,從垂直紙面向里的水平有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)的上方h高度處由靜止自由下落,磁場(chǎng)高度為H,線框下落過(guò)程中始終在同一豎直平面內(nèi)且cd邊與磁場(chǎng)邊界都沿水平方向
(1)請(qǐng)證明線框進(jìn)入磁場(chǎng)的過(guò)程中任意時(shí)刻線框克服安培力做功的功率等于線框的電功率;
(2)若m=0.40kg,L=0.45m,h=0.80 m,H=1.45m,且cd邊進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)線框剛好做勻速運(yùn)動(dòng),求cd邊剛穿出磁場(chǎng)時(shí)線框的加速度大;(g取10m/s2)。
(3)在(2)中,若線框剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)對(duì)其施加一豎直方向外力F,使其能以a=10.0m/s2的加速度豎直向下做勻加速運(yùn)動(dòng),請(qǐng)?jiān)谙聢D中作出線框abcd進(jìn)入磁場(chǎng)的過(guò)程中外力F隨時(shí)間t變化的圖像。
科目:高中物理 來(lái)源:不詳 題型:多選題
A.可能大于2mgL | B.可能等于2mgL |
C.可能小于2mgL | D.可能為零 |
科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
科目:高中物理 來(lái)源:2006-2007學(xué)年北京市西城區(qū)高三(上)期末抽樣測(cè)試物理試卷(解析版) 題型:選擇題
科目:高中物理 來(lái)源:2010-2011學(xué)年浙江省杭州外國(guó)語(yǔ)學(xué)校高二(下)期中物理試卷(解析版) 題型:解答題
科目:高中物理 來(lái)源:不詳 題型:問(wèn)答題
科目:高中物理 來(lái)源:福建三明一中2008-2009學(xué)年高二下學(xué)期第一次月考物理試題 題型:038
如圖所示,質(zhì)量為m,邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形線框abcd,從垂直紙面向里的水平有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)的上方h高度處由靜止自由下落,磁場(chǎng)高度為H,線框下落過(guò)程中始終在同一豎直平面內(nèi),且cd邊與磁場(chǎng)邊界都沿水平方向
(1)請(qǐng)證明線框進(jìn)入磁場(chǎng)的過(guò)程中任意時(shí)刻克服安培力做功的功率等于線框的電功率;
(2)若m=0.40 kg,L=0.45 m,h=0.80 m,H=1.45 m,且cd邊進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)線框剛好做勻速運(yùn)動(dòng),求cd邊剛穿出磁場(chǎng)時(shí)線框加速度大;(g=10 m/s2)
(3)在(2)中,若線圈剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)對(duì)其施加一豎直方向外力F,使其能以a=10 m/s2的加速度豎直向下做勻加速運(yùn)動(dòng),請(qǐng)?jiān)谙聢D中作出線框abcd進(jìn)入磁場(chǎng)的過(guò)程中外力F隨時(shí)間t變化的圖像.
科目:高中物理 來(lái)源:北京市西城區(qū)2007年高三物理抽樣測(cè)試 題型:021
如圖所示,質(zhì)量為m,邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的正方形線框從某一高度自由落下后,通過(guò)一高度也為L(zhǎng)的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域.則線框通過(guò)磁場(chǎng)過(guò)程中產(chǎn)生的焦耳熱
A.可能大于2mgL
B.可能等于2mgL
C.可能小于2mgL
D.可能為零
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