如圖所示，相距為d的兩水平虛線p₁、p₂表示方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)的上下邊界，磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B。正方形線框abcd的邊長(zhǎng)為L(L<d)、質(zhì)量為m、電阻為R，線框處在磁場(chǎng)正上方，ab邊與虛線p₁相距h。線框由靜止釋放，下落過(guò)程中線框平面始終在豎直平面內(nèi)，線框的ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度和ab邊剛離開(kāi)磁場(chǎng)時(shí)的速度相同。在線框從進(jìn)入到全部穿過(guò)磁場(chǎng)的過(guò)程中，下列說(shuō)法正確的是(    )

A.線框克服安培力所做的功為mgd  B.線框克服安培力所做的功為mgL

C.線框的最小速度為        D.線框的最小速度為

如圖所示，相距為d的兩水平虛線p₁、p₂表示方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)的上下邊界，磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B。正方形線框abcd的邊長(zhǎng)為L(L<d)、質(zhì)量為m、電阻為R，線框處在磁場(chǎng)正上方，ab邊與虛線p₁相距h。線框由靜止釋放，下落過(guò)程中線框平面始終在豎直平面內(nèi)，線框的ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度和ab邊剛離開(kāi)磁場(chǎng)時(shí)的速度相同。在線框從進(jìn)入到全部穿過(guò)磁場(chǎng)的過(guò)程中，下列說(shuō)法正確的是(    )

A.線框克服安培力所做的功為mgd  B.線框克服安培力所做的功為mgL

C.線框的最小速度為        D.線框的最小速度為

如圖所示，相距為d的兩水平虛線p₁、p₂表示方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中的上下邊界，磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B.正方形abcd的邊長(zhǎng)為L(zhǎng)（L<d）、質(zhì)量為m、電阻為R，線框處在磁場(chǎng)正上方，ab邊與虛線p₁相距h.線框由靜止釋放，下落過(guò)程中線框平面始終在豎直平面內(nèi)，線框的ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度和ab邊剛離開(kāi)磁場(chǎng)時(shí)的速度相同.在線框從進(jìn)入到全部穿過(guò)磁場(chǎng)的過(guò)程中，下落說(shuō)法正確的是

A.線框克服安培力所做的功為2mgd

B.線框克服安培力所做的功為mgd                  

C.線框的最小速度為錯(cuò)誤！未找到引用源。

D.線框的最小速度為錯(cuò)誤！未找到引用源。

如圖所示，相距為d的兩水平虛線p₁、p₂表示方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)的上下邊界，磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B。正方形線框abcd的邊長(zhǎng)為L(L<d)、質(zhì)量為m、電阻為R，線框處在磁場(chǎng)正上方，ab邊與虛線p₁相距h。線框由靜止釋放，下落過(guò)程中線框平面始終在豎直平面內(nèi)， 線框的ab邊剛進(jìn)人磁場(chǎng)時(shí)的速度和ab邊剛離開(kāi)磁場(chǎng)時(shí)的速度相同。在線框從進(jìn)入到全部穿過(guò)磁場(chǎng)的過(guò)程中，下列說(shuō)法正確的是

　 A．線框克服安培力所做的功為mgd

　 B．線框克服安培力所做的功為mgL

　 C．線框的最小速度為

　 D．線框的最小速度為

如圖所示，相距為d的兩水平虛線p₁、p₂表示方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中的上下邊界，磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B.正方形abcd的邊長(zhǎng)為L(zhǎng)（L<d）、質(zhì)量為m、電阻為R，線框處在磁場(chǎng)正上方，ab邊與虛線p₁相距h.線框由靜止釋放，下落過(guò)程中線框平面始終在豎直平面內(nèi)，線框的ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度和ab邊剛離開(kāi)磁場(chǎng)時(shí)的速度相同.在線框從進(jìn)入到全部穿過(guò)磁場(chǎng)的過(guò)程中，下落說(shuō)法正確的是

A.線框克服安培力所做的功為2mgd

B.線框克服安培力所做的功為mgd                 

C.線框的最小速度為

D.線框的最小速度為

如圖所示，相距為d的兩水平虛線p₁、p₂表示方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中的上下邊界，磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B.正方形abcd的邊長(zhǎng)為L(zhǎng)（L<d）、質(zhì)量為m、電阻為R，線框處在磁場(chǎng)正上方，ab邊與虛線p₁相距h.線框由靜止釋放，下落過(guò)程中線框平面始終在豎直平面內(nèi)，線框的ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度和ab邊剛離開(kāi)磁場(chǎng)時(shí)的速度相同.在線框從進(jìn)入到全部穿過(guò)磁場(chǎng)的過(guò)程中，下落說(shuō)法正確的是

A.線框克服安培力所做的功為2mgd

B.線框克服安培力所做的功為mgd                  

C.線框的最小速度為錯(cuò)誤！未找到引用源。

D.線框的最小速度為錯(cuò)誤！未找到引用源。

如圖所示，相距為d的兩水平虛線p₁、p₂表示方向垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)的上下邊界，磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B。正方形線框abcd的邊長(zhǎng)為L(L<d)、質(zhì)量為m、電阻為R，線框處在磁場(chǎng)正上方，ab邊與虛線p₁相距h。線框由靜止釋放，下落過(guò)程中線框平面始終在豎直平面內(nèi)，線框的ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度和ab邊剛離開(kāi)磁場(chǎng)時(shí)的速度相同。在線框從進(jìn)入到全部穿過(guò)磁場(chǎng)的過(guò)程中，下列說(shuō)法正確的是(    )

A．線框克服安培力所做的功為mgd	B．線框克服安培力所做的功為mgL
C．線框的最小速度為	D．線框的最小速度為