大小約為0.6-1.0T.不考慮磁場對電路其它部分的影響).要求誤差較小.提供的器材如下: 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

2007年諾貝爾物理學獎授予了兩位發(fā)現(xiàn)“巨磁電阻”效應的物理學家。材料的電阻隨磁場的增加而增大的現(xiàn)象稱為磁阻效應,利用這種效應可以測量磁感應強度。

  若圖1為某磁敏電阻在室溫下的電阻-磁感應強度特性曲線,其中RB、RO分別表示有、無磁敏電阻的阻值。為了測量磁感應強度B,需先測量磁敏電阻處于磁場中的電阻值RB。請按要求完成下列實驗。

(1)設計一個可以測量磁場中該磁敏電阻阻值的電路,在圖2的虛線框內(nèi)畫出實驗電路原理圖(磁敏電阻及所處磁場已給出,待測磁場磁感應強度大小約為0.6~1.0T,不考慮磁場對電路其它部分的影響)。要求誤差較小。

     提供的器材如下:

     A.磁敏電阻,無磁場時阻值

     B.滑動變阻器R,全電阻約

     C.電流表,量程2.5mA,內(nèi)阻約

     D.電壓表,量程3V,內(nèi)阻約3k

     E.直流電源E,電動勢3V,內(nèi)阻不計

     F.開關S,導線若干

(2)正確接線后,將磁敏電阻置入待測磁場中,測量數(shù)據(jù)如下表:

1

2

3

4

5

6

U(V)

0.00

0.45

0.91

1.50

1.79

2.71

I(mA)

0.00

0.30

0.60

1.00

1.20

1.80

根據(jù)上表可求出磁敏電阻的測量值RB=          ,結合圖1可知待測磁場的磁感

應強度B=           T。

(3)試結合圖1簡要回答,磁感應強度B在0~0.2T和0.4~1.0T范圍內(nèi)磁敏電阻阻值的變化規(guī)律有何不同?

(4)某同學查閱相關資料時看到了圖3所示的磁敏電阻在一定溫度下的電阻-磁感應強度特性曲線(關于縱軸對稱),由圖線可以得到什么結論?

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2007年諾貝爾物理學獎授予了兩位發(fā)現(xiàn)“巨磁電阻”效應的物理學家。材料的電阻隨磁場的增加而增大的現(xiàn)象稱為磁阻效應,利用這種效應可以測量磁感應強度。
若圖1為某磁敏電阻在室溫下的電阻-磁感應強度特性曲線,其中RB、RO分別表示有、無磁敏電阻的阻值。為了測量磁感應強度B,需先測量磁敏電阻處于磁場中的電阻值RB。請按要求完成下列實驗。

(1)設計一個可以測量磁場中該磁敏電阻阻值的電路,在圖2的虛線框內(nèi)畫出實驗電路原理圖(磁敏電阻及所處磁場已給出,待測磁場磁感應強度大小約為0.6~1.0T,不考慮磁場對電路其它部分的影響)。要求誤差較小。
提供的器材如下:

A.磁敏電阻,無磁場時阻值
B.滑動變阻器R,全電阻約
C.電流表,量程2.5mA,內(nèi)阻約
D.電壓表,量程3V,內(nèi)阻約3k
E.直流電源E,電動勢3V,內(nèi)阻不計
F.開關S,導線若干
(2)正確接線后,將磁敏電阻置入待測磁場中,測量數(shù)據(jù)如下表:

 
1
2
3
4
5
6
U(V)
0.00
0.45
0.91
1.50
1.79
2.71
I(mA)
0.00
0.30
0.60
1.00
1.20
1.80
根據(jù)上表可求出磁敏電阻的測量值RB=         ,結合圖1可知待測磁場的磁感
應強度B=          T。
(3)試結合圖1簡要回答,磁感應強度B在0~0.2T和0.4~1.0T范圍內(nèi)磁敏電阻阻值的變化規(guī)律有何不同?
(4)某同學查閱相關資料時看到了圖3所示的磁敏電阻在一定溫度下的電阻-磁感應強度特性曲線(關于縱軸對稱),由圖線可以得到什么結論?

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2007年諾貝爾物理學獎授予了兩位發(fā)現(xiàn)“巨磁電阻”效應的物理學家。材料的電阻隨磁場的增加而增大的現(xiàn)象稱為磁阻效應,利用這種效應可以測量磁感應強度。
若圖1為某磁敏電阻在室溫下的電阻-磁感應強度特性曲線,其中RB、RO分別表示有、無磁敏電阻的阻值。為了測量磁感應強度B,需先測量磁敏電阻處于磁場中的電阻值RB。請按要求完成下列實驗。

(1)設計一個可以測量磁場中該磁敏電阻阻值的電路,在圖2的虛線框內(nèi)畫出實驗電路原理圖(磁敏電阻及所處磁場已給出,待測磁場磁感應強度大小約為0.6~1.0T,不考慮磁場對電路其它部分的影響)。要求誤差較小。
提供的器材如下:

A.磁敏電阻,無磁場時阻值
B.滑動變阻器R,全電阻約
C.電流表,量程2.5mA,內(nèi)阻約
D.電壓表,量程3V,內(nèi)阻約3k
E.直流電源E,電動勢3V,內(nèi)阻不計
F.開關S,導線若干
(2)正確接線后,將磁敏電阻置入待測磁場中,測量數(shù)據(jù)如下表:
 
1
2
3
4
5
6
U(V)
0.00
0.45
0.91
1.50
1.79
2.71
I(mA)
0.00
0.30
0.60
1.00
1.20
1.80
根據(jù)上表可求出磁敏電阻的測量值RB=         ,結合圖1可知待測磁場的磁感
應強度B=          T。
(3)試結合圖1簡要回答,磁感應強度B在0~0.2T和0.4~1.0T范圍內(nèi)磁敏電阻阻值的變化規(guī)律有何不同?
(4)某同學查閱相關資料時看到了圖3所示的磁敏電阻在一定溫度下的電阻-磁感應強度特性曲線(關于縱軸對稱),由圖線可以得到什么結論?

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2007年諾貝爾物理學獎授予了兩位發(fā)現(xiàn)“巨磁電阻”效應的物理學家。材料的電阻隨磁場的增加而增大的現(xiàn)象稱為磁阻效應,利用這種效應可以測量磁感應強度。

  若圖1為某磁敏電阻在室溫下的電阻-磁感應強度特性曲線,其中RB、RO分別表示有、無磁敏電阻的阻值。為了測量磁感應強度B,需先測量磁敏電阻處于磁場中的電阻值RB。請按要求完成下列實驗。

(1)設計一個可以測量磁場中該磁敏電阻阻值的電路,在圖2的虛線框內(nèi)畫出實驗電路原理圖(磁敏電阻及所處磁場已給出,待測磁場磁感應強度大小約為0.6~1.0T,不考慮磁場對電路其它部分的影響)。要求誤差較小。

     提供的器材如下:

     A.磁敏電阻,無磁場時阻值

     B.滑動變阻器R,全電阻約

     C.電流表,量程2.5mA,內(nèi)阻約

     D.電壓表,量程3V,內(nèi)阻約3k

     E.直流電源E,電動勢3V,內(nèi)阻不計

     F.開關S,導線若干

(2)正確接線后,將磁敏電阻置入待測磁場中,測量數(shù)據(jù)如下表:

1

2

3

4

5

6

U(V)

0.00

0.45

0.91

1.50

1.79

2.71

I(mA)

0.00

0.30

0.60

1.00

1.20

1.80

根據(jù)上表可求出磁敏電阻的測量值RB=          ,結合圖1可知待測磁場的磁感應強度B=           T。

(3)試結合圖1簡要回答,磁感應強度B在0~0.2T和0.4~1.0T范圍內(nèi)磁敏電阻阻值的變化規(guī)律有何不同?

(4)某同學查閱相關資料時看到了圖3所示的磁敏電阻在一定溫度下的電阻-磁感應強度特性曲線(關于縱軸對稱),由圖線可以得到什么結論?

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(12分)2007年諾貝爾物理學獎授予了兩位發(fā)現(xiàn)“巨磁電阻”效應的物理學家。材料的電阻隨磁場的增加而增大的現(xiàn)象稱為磁阻效應,利用這種效應可以測量磁感應強度。

  若圖1為某磁敏電阻在室溫下的電阻-磁感應強度特性曲線,其中RB、RO分別表示有、無磁敏電阻的阻值。為了測量磁感應強度B,需先測量磁敏電阻處于磁場中的電阻值RB。請按要求完成下列實驗。
(1)設計一個可以測量磁場中該磁敏電阻阻值的電路,在圖2的虛線框內(nèi)畫出實驗電路原理圖(磁敏電阻及所處磁場已給出,待測磁場磁感應強度大小約為0.6~1.0T,不考慮磁場對電路其它部分的影響)。要求誤差較小。

     提供的器材如下:
     A.磁敏電阻,無磁場時阻值
     B.滑動變阻器R,全電阻約
     C.電流表,量程2.5mA,內(nèi)阻約
     D.電壓表,量程3V,內(nèi)阻約3k
     E.直流電源E,電動勢3V,內(nèi)阻不計
     F.開關S,導線若干
(2)正確接線后,將磁敏電阻置入待測磁場中,測量數(shù)據(jù)如下表:
 
1
2
3
4
5
6
U(V)
0.00
0.45
0.91
1.50
1.79
2.71
I(mA)
0.00
0.30
0.60
1.00
1.20
1.80

根據(jù)上表可求出磁敏電阻的測量值RB=          ,結合圖1可知待測磁場的磁感應強度B=           T。

(3)試結合圖1簡要回答,磁感應強度B在0~0.2T和0.4~1.0T范圍內(nèi)磁敏電阻阻值的變化規(guī)律有何不同?
(4)某同學查閱相關資料時看到了圖3所示的磁敏電阻在一定溫度下的電阻-磁感應強度特性曲線(關于縱軸對稱),由圖線可以得到什么結論?
 

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