(北京豐臺(tái)區(qū)2008屆期末考)如圖6(甲)所示.兩個(gè)平行金屬板P.Q正對(duì)豎直放置.兩板間加上如圖6(乙)所示的交變電壓.t=0時(shí).Q板比P板電勢(shì)高U0.在兩板的正中央M點(diǎn)有一電子在電場(chǎng)力作用下由靜止開始運(yùn)動(dòng)(電子所受重力可忽略不計(jì)).已知電子在0~4t­0時(shí)間內(nèi)未與兩板相碰.則電子速度方向向左且速度大小逐漸增大的時(shí)間是 A. 0<t<t0 B. t0 <t<2t0 C. 2t0 <t<3t0 D. 3t0 <t<4t0 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

(2013安徽合肥名校聯(lián)考)如圖6所示,水平固定半球型的碗球心為0點(diǎn).最低點(diǎn)為B點(diǎn),A點(diǎn)在左邊的內(nèi)壁上,C點(diǎn)在右邊的內(nèi)壁上,在碗的邊緣向著球心以速度v0平拋一個(gè)小球,拋出點(diǎn)及O、A、B、C點(diǎn)在同一個(gè)豎直面內(nèi),下列說(shuō)法正確的是(  )

    A.v大小適當(dāng)時(shí)可以垂直打在A點(diǎn)         

    B.v0大小適當(dāng)時(shí)可以垂直打在B點(diǎn)

    C.v0大小適當(dāng)時(shí)可以垂直打在C點(diǎn)        

    D.一定不能垂直打在碗內(nèi)任何一個(gè)位置

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(2013安徽合肥名校聯(lián)考)如圖6所示,水平固定半球型的碗球心為0點(diǎn).最低點(diǎn)為B點(diǎn),A點(diǎn)在左邊的內(nèi)壁上,C點(diǎn)在右邊的內(nèi)壁上,在碗的邊緣向著球心以速度v0平拋一個(gè)小球,拋出點(diǎn)及O、A、B、C點(diǎn)在同一個(gè)豎直面內(nèi),下列說(shuō)法正確的是(  )

       A.v大小適當(dāng)時(shí)可以垂直打在A點(diǎn)                                    

       B.v0大小適當(dāng)時(shí)可以垂直打在B點(diǎn)

       C.v0大小適當(dāng)時(shí)可以垂直打在C點(diǎn)                                   

       D.一定不能垂直打在碗內(nèi)任何一個(gè)位置

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(遼寧省部分重點(diǎn)中學(xué)2012屆高三上學(xué)期期末聯(lián)考)如圖所示,質(zhì)量為m=0.6kg,長(zhǎng)為l=lm的通電直導(dǎo)線用兩絕緣細(xì)線懸掛于O、O′,并處于磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中。當(dāng)導(dǎo)線中通以沿x正方向的恒定電流I=1A,導(dǎo)線從最低點(diǎn)由靜止釋放擺到最大擺角θ=37°。則磁感應(yīng)強(qiáng)度方向和大小可能為(    )(sin 37°=0.6,cos37° =0.8,g=l0m/s2

A.B方向沿y軸正向,B=6T                       B.B方向沿y軸正向,B=10T

C.B方向沿z軸負(fù)向,B=4.5T                    D.B方向沿z軸負(fù)向,B=2T

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(2013·北京東城區(qū)高三聯(lián)考,10題)如圖6,分別用力F1、F2、F3將質(zhì)量為m的物體由靜止沿同一固定光滑斜面以相同的加速度從斜面底端拉到斜面的頂端,在此過(guò)程中,F(xiàn)1、F2、F3做功的功率大小關(guān)系是(    )

圖6

A.P1=P2=P3                                       B.P1>P2=P3

C.P3>P2>P1                              D.P1>P2>P3

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(2013·北京東城區(qū)高三聯(lián)考)“驗(yàn)證力的平行四邊形定則”的實(shí)驗(yàn)情況如圖13(甲)所示,其中A為固定橡皮筋的圖釘,O為橡皮筋與細(xì)繩的結(jié)點(diǎn),OB和OC為細(xì)繩,圖(乙)是在白紙上根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果畫出的圖。


(1)如果沒(méi)有操作失誤,圖(乙)中的F與F′兩力中,方向一定沿AO方向的是______。

(2) 本實(shí)驗(yàn)采用的科學(xué)方法是______

    A.理想實(shí)驗(yàn)法                   B.等效替代法     

    C.控制變量法                   D.建立物理模型法

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