題目列表(包括答案和解析)
如圖所示,有理想邊界的兩個勻強磁場,磁感應強度B=0.5T,兩邊界間距s=0.1m.一邊長 L=0.2m的正方形線框abcd由粗細均勻的電阻絲圍成,總電阻R=0.4Ω,F(xiàn)使線框以v=2m/s的速度從位置I勻速運動到位置Ⅱ。
1.求cd邊未進入右方磁場時線框所受安培力的大。
2.求整個過程中線框所產(chǎn)生的焦耳熱.
3.在坐標圖中畫出整個過程中線框a、b兩點的電勢差Uab隨時間t變化的圖線.
如圖所示,有理想邊界的兩個勻強磁場,磁感應強度B=0.5T,兩邊界間距s=0.1m.一邊長 L=0.2m的正方形線框abcd由粗細均勻的電阻絲圍成,總電阻R=0.4Ω。現(xiàn)使線框以v=2m/s的速度從位置I勻速運動到位置Ⅱ。
【小題1】求cd邊未進入右方磁場時線框所受安培力的大小.
【小題2】求整個過程中線框所產(chǎn)生的焦耳熱.
【小題3】在坐標圖中畫出整個過程中線框a、b兩點的電勢差Uab隨時間t變化的圖線.
如圖所示,有理想邊界的兩個勻強磁場,磁感應強度B=0.5T,兩邊界間距s=0.1m.一邊長 L=0.2m的正方形線框abcd由粗細均勻的電阻絲圍成,總電阻R=0.4Ω,F(xiàn)使線框以v=2m/s的速度從位置I勻速運動到位置Ⅱ。
1.求cd邊未進入右方磁場時線框所受安培力的大。
2.求整個過程中線框所產(chǎn)生的焦耳熱.
3.在坐標圖中畫出整個過程中線框a、b兩點的電勢差Uab隨時間t變化的圖線.
(1)求cd邊未進入右方磁場時線框所受安培力的大小;
(2)求整個過程中線框所產(chǎn)生的焦耳熱;
(3)在坐標圖中畫出整個過程中線框a、b兩點的電勢差Uab隨時間t變化的圖線.
一、單選題(本題共5小題,每小題4分,共20分).
題號
1
2
3
4
5
答案
D
A
D
C
B
二、多選題(本題共5小題,每小題4分,共20分.每小題有多個選項正確。全部選對的得4分,選不
全的得2分,有選錯或不答的得0分.).
題號
o
7
8
9
,lO
答案
CD
AD
AB
BCD
AD
三、實驗題(本題共2小題,共20分),
11.(1)O.700(0.70l也正確) (3分)
(2)如右圖所示 (3分)
(3)B端 (2分)
12.(1) (5分)
(2)F與v成正比 (3分)
F與r成正比 (3分)
(3)F=kvr (1分)
13。(1)可發(fā)射6種頻率的光子(3分)
(2) E=2.55eV (3分)
(3)E只大于銫的逸出功,故光子只有照射銫金屬才能發(fā)生光電效應. (3分)
代人數(shù)據(jù)解得El薩0.65eV (4分)
14.(1) 0.5A (2) E=4.92J
15?(1)
(2) 2.0xlO3N
16.(1) F=5x10-2N (2)0.01J
17。(1)8R/3
(2)N=17mg/4+
(3)若μ大于或等于3/4,則W=。若μ小于3/4,則W=mgR
18(1)V0,方向向右
(2)3mv02/8
(3)4mv02/3
(4)4mv02/27
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