（2006?東城區(qū)一模）半導體材料硅中摻砷后成為N型半導體，它的自由電子的濃度大大增加，導電能力也大大增加．一塊N型半導體的樣品的體積為a×b×c，A’、C、A、C’為其四個側(cè)面，如圖所示．已知半導體樣品單位體積中的電子數(shù)為n，電阻率為ρ，電子的電荷量為e．將半導體樣品放在勻強磁場中，磁場方向沿Z軸正方向，并沿x方向通有電流I．求：
（1）加在半導體A’A兩個側(cè)面的電壓是多少？
（2）半導體中的自由電子定向移動的平均速率是多少？
（3）C、C’兩個側(cè)面哪個面電勢較高？
（4）若測得C、C’兩面的電勢差為U，勻強磁場的磁感應強度是多少？