所含分子數(shù)相同的一組物質(zhì)是：

1. A.
   1g H₂和1g N₂
2. B.
   1mol H₂O和1g H₂O
3. C.
   3.2g O₂和2.24L的空氣（標準狀況下）
4. D.
   44gCO₂和6.02×10²²個O₂

所含分子數(shù)相同的一組物質(zhì)是：（   ）

A．1g H₂和1g N₂                      B． 1mol H₂O和1g H₂O

C．3.2g O₂和2.24L的空氣（標準狀況下）  D． 44gCO₂和6.02×10²²個O₂

所含分子數(shù)相同的一組物質(zhì)是：（  ）

（12分） “物質(zhì)結構與性質(zhì)”

（1）第ⅢA、ⅤA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導體材料，其晶體結構與單晶硅相似。Ga原子的電子排布式為               。在GaN晶體中，與同一個Ga原子相連的N原子構成的空間構型為            。在四大晶體類型中，GaN屬于             晶體。

（2）銅、鐵元素能形成多種配合物。微粒間形成配位鍵的條件是：一方是能夠提供孤電子對的原子或離子，另一方是具有               的原子或離子

（3）CuCl₂溶液與乙二胺(H₂N-CH₂-CH₂-NH₂)可形成配離子：請回答下列問題：

① H、N、O三種元素的電負性由大到小的順序是          。

②SO₂分子的空間構型為           。與SnCl₄互為等電子體的一種離子的化學式為           。

③乙二胺分子中氮原子軌道的雜化類型為          。乙二胺和三甲胺[N(CH₃)₃]均屬于胺，但乙二胺比三甲胺的沸點高的多，原因是                             。

④⑶中所形成的配離子中含有的化學鍵類型有              。   

a．配位鍵     b．極性鍵    c．離子鍵    d．非極性鍵

⑤CuCl的晶胞結構如右圖所示，其中Cl原子的配位數(shù)為               。

（12分） “物質(zhì)結構與性質(zhì)”

（1）第ⅢA、ⅤA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導體材料，其晶體結構與單晶硅相似。Ga原子的電子排布式為               。在GaN晶體中，與同一個Ga原子相連的N原子構成的空間構型為            。在四大晶體類型中，GaN屬于             晶體。

（2）銅、鐵元素能形成多種配合物。微粒間形成配位鍵的條件是：一方是能夠提供孤電子對的原子或離子，另一方是具有               的原子或離子

（3）CuCl₂溶液與乙二胺(H₂N-CH₂-CH₂-NH₂)可形成配離子：請回答下列問題：

① H、N、O三種元素的電負性由大到小的順序是          。

②SO₂分子的空間構型為           。與SnCl₄互為等電子體的一種離子的化學式為           。

③乙二胺分子中氮原子軌道的雜化類型為          。乙二胺和三甲胺[N(CH₃)₃]均屬于胺，但乙二胺比三甲胺的沸點高的多，原因是                             。

④⑶中所形成的配離子中含有的化學鍵類型有               。   

a．配位鍵     b．極性鍵     c．離子鍵    d．非極性鍵

⑤CuCl的晶胞結構如右圖所示，其中Cl原子的配位數(shù)為               。