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21．A．第ⅢA.VA元素組成的化合物GaN.GaP.GaAs等是人工合成的新型第三代半導(dǎo)體材料.其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似. 用砷化鎵制造的燈泡壽命是普通燈泡的100倍.而耗能只有其10%.推廣砷化鎵等發(fā)光二極管照明.是節(jié)能減排的有效舉措.試回答:(1)Ga的基態(tài)原子的核外電子排布式為 ▲ .(2)下列說法正確的是 ▲ .A．砷和鎵都屬于p區(qū)元素 B．第一電離能:Ga＞AsC．電負(fù)性:As＞Ga D．半導(dǎo)體GaP.SiC與砷化鎵互為等電子體【查看更多】

Ⅰ．第ⅢA、VA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似。試回答：

（1）Ga的基態(tài)原子的價(jià)電子的軌道排布式為。

（2）下列說法正確的是（選填序號）。

A．砷和鎵都屬于p區(qū)元素 B．GaN、GaP、GaAs均為分子晶體

C．電負(fù)性：As＞Ga D．第一電離能Ga＞As

（3）GaAs是由(CH₃)₃Ga和AsH₃在一定條件下制得，同時(shí)得到另一物質(zhì)，該物質(zhì)分子是（填“極性分子”或“非極性分子”）。(CH₃)₃Ga中鎵原子的雜化方式為。

Ⅱ．氧化鈣晶體的晶胞如圖所示，試回答：

（1）晶體中Ca²⁺的配位數(shù)為。

（2）已知Ca²⁺的半徑為a cm，O^2-的半徑為b cm，N_A代表阿伏加德羅常數(shù)，

該晶體的密度為 g/cm³。（用含a、b、N_A的代數(shù)式表示）

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Ⅰ．第ⅢA、VA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似。試回答：
（1）Ga的基態(tài)原子的價(jià)電子的軌道排布式為                          。
（2）下列說法正確的是            （選填序號）。
A．砷和鎵都屬于p區(qū)元素   B．GaN、GaP、GaAs均為分子晶體
C．電負(fù)性：As＞Ga                  D．第一電離能Ga＞As
（3）GaAs是由(CH₃)₃Ga和AsH₃在一定條件下制得，同時(shí)得到另一物質(zhì)，該物質(zhì)分子是  （填“極性分子”或“非極性分子”）。(CH₃)₃Ga中鎵原子的雜化方式為        。
Ⅱ．氧化鈣晶體的晶胞如圖所示，試回答：

（1）晶體中Ca²⁺的配位數(shù)為             。
（2）已知Ca²⁺的半徑為a cm，O^2-的半徑為b cm，N_A代表阿伏加德羅常數(shù)，
該晶體的密度為         g/cm³。（用含a、b、N_A的代數(shù)式表示）

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Ⅰ．第ⅢA、VA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似。試回答：

（1）Ga的基態(tài)原子的價(jià)電子的軌道排布式為。

（2）下列說法正確的是（選填序號）。

A．砷和鎵都屬于p區(qū)元素 B．GaN、GaP、GaAs均為分子晶體

C．電負(fù)性：As＞Ga D．第一電離能Ga＞As

（3）GaAs是由(CH₃)₃Ga和AsH₃在一定條件下制得，同時(shí)得到另一物質(zhì)，該物質(zhì)分子是（填“極性分子”或“非極性分子”）。(CH₃)₃Ga中鎵原子的雜化方式為。

Ⅱ．氧化鈣晶體的晶胞如圖所示，試回答：

（1）晶體中Ca²⁺的配位數(shù)為。

（2）已知Ca²⁺的半徑為a cm，O^2-的半徑為b cm，N_A代表阿伏加德羅常數(shù)，

該晶體的密度為 g/cm³。（用含a、b、N_A的代數(shù)式表示）

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Ⅰ．第ⅢA、VA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似。試回答：
（1）Ga的基態(tài)原子的價(jià)電子的軌道排布式為                          。
（2）下列說法正確的是            （選填序號）。
A．砷和鎵都屬于p區(qū)元素   B．GaN、GaP、GaAs均為分子晶體
C．電負(fù)性：As＞Ga                  D．第一電離能Ga＞As
（3）GaAs是由(CH₃)₃Ga和AsH₃在一定條件下制得，同時(shí)得到另一物質(zhì)，該物質(zhì)分子是  （填“極性分子”或“非極性分子”）。(CH₃)₃Ga中鎵原子的雜化方式為        。
Ⅱ．氧化鈣晶體的晶胞如圖所示，試回答：

（1）晶體中Ca²⁺的配位數(shù)為。
（2）已知Ca²⁺的半徑為a cm，O^2-的半徑為b cm，N_A代表阿伏加德羅常數(shù)，
該晶體的密度為 g/cm³。（用含a、b、N_A的代數(shù)式表示）

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第ⅢA、VA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似．試回答：
（1）Ga的基態(tài)原子的價(jià)電子的軌道排布式為

1s²2s²2p⁶3d¹⁰4s²4p¹

．
（2）下列說法正確的是

AC

（選填序號）．
A．砷和鎵都屬于p區(qū)元素 B．GaN、GaP、GaAs均為分子晶體
C．電負(fù)性：As＞Ga D．第一電離能Ga＞As
（3）GaAs是由（CH₃）₃Ga和AsH₃在一定條件下制得，同時(shí)得到另一物質(zhì)，該物質(zhì)分子是

非極性分子

（填“極性分子”或“非極性分子”）．（CH₃）₃Ga中鎵原子的雜化方式為

sp²

．
（4）如圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個(gè)原子，請?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“●”表示出與之緊鄰的硅原子．

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一、單項(xiàng)選擇題

1．D 2．C 3．B 4．C 5．D 6．C 7．A 8．B

二、不定項(xiàng)選擇題

9．D 10．BC 11．D 12．AC 13．CD 14．A

三、非選擇題（本題包括6小題，共60分）

15．（12分）

（1）500mL容量瓶 (1分)、玻璃棒(1分) 淀粉溶液 (1分)

（2）堿式(2分) 滴入最后一滴硫代硫酸鈉溶液，溶液藍(lán)色褪去，且半分鐘內(nèi)不恢復(fù)。(2分)（3）為保證I^－全部轉(zhuǎn)化為I₂，所加氧化劑應(yīng)稍過量。如果選用新制氯水或KMnO₄作氧化劑，則過量的這些氧化劑在滴定時(shí)會(huì)氧化硫代硫酸鈉而導(dǎo)致測定結(jié)果偏大。(2分)

（4）0.06410% (3分)

16．(8分)

（1） (1分) CO(NH₂)₂ (1分)

（2） N₂＋Al₂O₃＋3C 3CO＋2AlN (2分)

（3） AlN＋OH^－＋H₂O ＝AlO＋NH₃↑ (2分)

（4） ④⑦ (2分)

17．（8分）

（1）溫度較低（2分）

（2）AC（2分）

（3）2Fe³⁺+ 3ClO^－+ 10 OH^－＝ 2FeO₄^－+ 3Cl^－+ 5H₂O （2分）

（4）B、D（2分）

18．（10分）

（1）CH₄（g）＋2NO₂（g）＝ N₂（g）＋CO₂（g）＋2H₂O（g）

△H＝一867 kJ?mol^一¹ (2分)

（2） Na₂S＋2H₂OS↓＋H₂↑＋2NaOH (2分) 或S²^－＋2H₂OS↓＋H₂↑＋2OH^－

（3）K_sp(HgS)<K_sp(FeS) （2分）因發(fā)生Hg²⁺+FeS=HgS+Fe²⁺，產(chǎn)生的Fe²⁺可被氧化為Fe³⁺，F(xiàn)e³⁺水解形成Fe(OH)₃膠體，吸附懸浮雜質(zhì)而凈化水（2分）

（4）尿素法成本低，節(jié)約能源。（2分）

19．（12分）

（1）（2分）

（2） 3種（2分）

（3） 6 （2分）

（4）A：（2分） ② 過氧化物、HBr（1分）

B：（2分） ④ 濃硫酸（1分）

20．（10分）

（1）不能 (1分) BaCO₃會(huì)與胃酸反應(yīng)產(chǎn)生Ba²⁺使人中毒 (2分) 或說由于存在溶解平衡：BaCO₃(s) Ba²⁺(aq)+CO₃^2-(aq)，服下BaCO₃后，胃酸可與CO₃^2-反應(yīng)生成CO₂和水，CO₃^2-濃度降低，BaCO₃的沉淀溶解平衡向右移動(dòng)，Ba²⁺濃度增大引起人體中毒。