題目列表(包括答案和解析)
化合物A是一種重要的光化學(xué)試劑,屬不含結(jié)晶水的復(fù)鹽。A~H之間相互轉(zhuǎn)化關(guān)系如下圖所示:(部分反應(yīng)物、生成物沒(méi)有列出)
已知:A中含二種陰離子和一種帶二個(gè)單位負(fù)電荷的陰離子,三種離子的個(gè)數(shù)比為3:1:3。陰離子中各元素的質(zhì)量分?jǐn)?shù)與C相同且式量是C的2倍。C、D都為氣體且含有元素種類相同,C能使澄清石灰水變渾濁,E是一種紅棕色的顏料,F(xiàn)的焰色反應(yīng)呈紫色,1能使苯酚溶液顯紫色。
回答下列問(wèn)題:
(1)C的電子式 。
(2)A的化學(xué)式 。
(3)D+E→C+G的方程式 。
(4)H+H2O2→I的離子反應(yīng)方程式 .
(5)在A的溶液中滴入酸性高錳酸鉀溶液,高錳酸鉀溶液紫色褪去。而在A的溶液中滴入硫氰化鉀溶液,溶液呈紅色。產(chǎn)生上述現(xiàn)象的主要原因是 。
清洗和制絨是硅晶片制作的重要步驟之一,硅片化學(xué)清洗的主要目的是除去硅片表面雜質(zhì)(如某些有機(jī)物,無(wú)機(jī)鹽,金屬、Si、SiO2粉塵等)。常用的化學(xué)清洗劑有高純水、有機(jī)溶劑、雙氧水、濃酸、強(qiáng)堿等。其中去除硅的氧化物,通常用一定濃度的HF溶液,室溫條件下將硅片浸泡1至數(shù)分鐘。制絨是在硅片表面形成金字塔形的絨面,增加硅對(duì)太陽(yáng)光的吸收。單晶制絨通常用NaOH、Na2SiO3等混合溶液在75~90℃反應(yīng)25~35 min,效果良好;卮鹣铝袉(wèn)題
Ⅰ.(1)寫出晶片制絨反應(yīng)的離子方程式 ,對(duì)單晶制絨1990年化學(xué)家Seidel提出了一種的電化學(xué)模型,他指出Si與NaOH溶液的反應(yīng),首先是Si與OH一反應(yīng),生成SiO44一,然后SiO44一迅速水解生成H4SiO4;诖嗽矸治龇磻(yīng)中氧化劑為 。
(2)本校化學(xué)興趣小組同學(xué),為驗(yàn)證Seidel的理論是否正確,完成以下實(shí)驗(yàn):
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實(shí)驗(yàn)事實(shí) |
事實(shí)一 |
水蒸汽在600℃時(shí)可使粉末狀硅緩慢氧化并放出氫氣。 |
事實(shí)二 |
盛放于鉑或石英器皿中的純水長(zhǎng)時(shí)間對(duì)粉末狀還原硅無(wú)腐蝕作用。 |
事實(shí)三 |
普通玻璃器皿中的水僅因含有從玻璃中溶出的微量的堿便可使粉末狀硅在其中緩慢溶解。 |
事實(shí)四 |
在野外環(huán)境里,用較高百分比的硅鐵粉與干燥的Ca(OH)2和NaOH,點(diǎn)著后燜燒,可劇烈放出H2。 |
事實(shí)五 |
1g(0.036mo1)Si和20mL含有l(wèi)gNaOH(0.025mol)的溶液,小心加熱(稍微預(yù)熱),收集到約1700mL H2,很接近理論值(1600mL)。 |
結(jié)論:從實(shí)驗(yàn)上說(shuō)明堿性水溶液條件下,H2O可作 劑;NaOH作_____ 劑,降低反應(yīng) 。高溫?zé)o水環(huán)境下,NaOH作 劑。
Ⅱ.在工業(yè)中利用鎂制取硅:2Mg+SiO22MgO+Si,同時(shí)有副反應(yīng)發(fā)生:2Mg+SiMg2Si,Mg2Si遇鹽酸迅速反應(yīng)生成SiH4(硅烷),SiH4在常溫下是一種不穩(wěn)定、易分解的氣體。如圖是進(jìn)行Mg與SiO2反應(yīng)的實(shí)驗(yàn)裝置:
由于氧氣的存在對(duì)該實(shí)驗(yàn)有較大影響,實(shí)驗(yàn)中應(yīng)通入氣體X作為保護(hù)氣,試管中的固體藥品可選用________(填序號(hào))。 a.石灰石 b.鋅! .純堿
(4)實(shí)驗(yàn)開(kāi)始時(shí),必須先通入X氣體,再加熱反應(yīng)物,其理由是______________________________,當(dāng)反應(yīng)開(kāi)始后,移走酒精燈反應(yīng)能繼續(xù)進(jìn)行,其原因是___________________________。
(5)反應(yīng)結(jié)束后,待冷卻至常溫時(shí),往反應(yīng)后的混合物中加入稀鹽酸?捎^察到閃亮的火星,產(chǎn)生此現(xiàn)象的原因用化學(xué)方程式表示為_(kāi)______________________________________。
清洗和制絨是硅晶片制作的重要步驟之一,硅片化學(xué)清洗的主要目的是除去硅片表面雜質(zhì)(如某些有機(jī)物,無(wú)機(jī)鹽,金屬、Si、SiO2粉塵等)。常用的化學(xué)清洗劑有高純水、有機(jī)溶劑、雙氧水、濃酸、強(qiáng)堿等。其中去除硅的氧化物,通常用一定濃度的HF溶液,室溫條件下將硅片浸泡1至數(shù)分鐘。制絨是在硅片表面形成金字塔形的絨面,增加硅對(duì)太陽(yáng)光的吸收。單晶制絨通常用NaOH、Na2SiO3等混合溶液在75~90℃反應(yīng)25~35 min,效果良好。回答下列問(wèn)題
Ⅰ.(1)寫出晶片制絨反應(yīng)的離子方程式 ,對(duì)單晶制絨1990年化學(xué)家Seidel提出了一種的電化學(xué)模型,他指出Si與NaOH溶液的反應(yīng),首先是Si與OH一反應(yīng),生成SiO44一,然后SiO44一迅速水解生成H4SiO4;诖嗽矸治龇磻(yīng)中氧化劑為 。
(2)本;瘜W(xué)興趣小組同學(xué),為驗(yàn)證Seidel的理論是否正確,完成以下實(shí)驗(yàn):
| 實(shí)驗(yàn)事實(shí) |
事實(shí)一 | 水蒸汽在600℃時(shí)可使粉末狀硅緩慢氧化并放出氫氣。 |
事實(shí)二 | 盛放于鉑或石英器皿中的純水長(zhǎng)時(shí)間對(duì)粉末狀還原硅無(wú)腐蝕作用。 |
事實(shí)三 | 普通玻璃器皿中的水僅因含有從玻璃中溶出的微量的堿便可使粉末狀硅在其中緩慢溶解。 |
事實(shí)四 | 在野外環(huán)境里,用較高百分比的硅鐵粉與干燥的Ca(OH)2和NaOH,點(diǎn)著后燜燒,可劇烈放出H2。 |
事實(shí)五 | 1g(0.036mo1)Si和20mL含有l(wèi)gNaOH(0.025mol)的溶液,小心加熱(稍微預(yù)熱),收集到約1700mL H2,很接近理論值(1600mL)。 |
說(shuō)明:1、文字簡(jiǎn)答題以關(guān)鍵詞到位為準(zhǔn),按點(diǎn)給分;
2、化學(xué)用語(yǔ)書寫:(1)方程式未配平不得分、無(wú)條件扣一半分值;
(2)化學(xué)式書寫錯(cuò)誤得0分;
3、寫名稱或化學(xué)式正確的正常給分;
4、其他合理解法正常給分。
第Ⅰ卷(選擇題,共64分)
一、二:選擇題
題 號(hào)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
答 案
B
A
C
D
D
B
A
C
AD
AC
C
B
AD
B
CD
D
第Ⅱ卷(非選擇題 共86分)
三、(共2小題,22分)
17.(8分)
(1)ABDC(2分)(顛倒不得分)
(2)左(1分), 繼續(xù)往左盤小燒杯中慢慢加少量樣品,使指針指向標(biāo)尺中間,直至天平平衡(1分)
(3)引流(1分) 防止液體局部過(guò)熱,液滴濺出(1分)
(4)沉淀后靜置,向上層清液中加入CaCl2溶液,觀察是否有沉淀生成,若無(wú)沉淀生成,則說(shuō)明沉淀完全,反之則沉淀不完全。(1分)取最后一次洗滌液少許,滴入數(shù)滴K2CO3溶液(或AgNO3溶液等也可),若無(wú)沉淀產(chǎn)生,即沉淀洗滌干凈。(1分)
18(共14分)
(1)分液漏斗(1分)。Cu+4H++2NO3―=Cu2++2NO2↑+2H2O(或NO的方程式也可)(2分)。
(2)安全瓶(防止倒吸等)(1分)
(3)①坩堝(1分) ②b(1分) ③Cu+H2O2+2H+=Cu2++2H2O(2分)
④防止雙氧水分解(1分),酒精與水互溶且極易揮發(fā),減少晶體溶解(1分),第二組(2分)
理由:第一組中的方案1需要加熱,消耗能源,方案2所得產(chǎn)品含有鐵元素雜質(zhì)。而第二組方案幾乎不產(chǎn)生有害氣體,且所得產(chǎn)品純度較高。(2分)
四、(共2小題,18分)
19、(8分)(1)三角錐型、平面三角形、四面體(一個(gè)1分,共3分)
(2)H2O2、C2H6、CH3NH2、N2H4(H2N―NH2)(各1分,共2分,任寫2種),O22―(1分)
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