（2012?長寧區(qū)一模）Ⅰ．工業(yè)上電解飽和食鹽能制取多種化工原料，其中部分原料可用于制備多晶硅．
（1）原料粗鹽中常含有泥沙和Ca²⁺、Mg²⁺、Fe³⁺、SO₄^2-等雜質(zhì)，必須精制后才能供電解使用．精制時(shí)，粗鹽溶于水過濾后，還要加入的試劑分別為①Na₂CO₃、②HCl（鹽酸）③BaCl₂，這3種試劑添加的合理順序是（填序號(hào)）洗滌除去NaCl晶體表面附帶的少量KCl，選用的試劑為．（填序號(hào)）（①飽和Na₂CO₃溶液  ②飽和K₂CO₃溶液  ③75%乙醇�、芩穆然�碳）
（2）如圖是離子交換膜（允許鈉離子通過，不允許氫氧根與氯離子通過）法電解飽和食鹽水示意圖，電解槽陽極產(chǎn)生的氣體是；NaOH溶液的出口為（填字母）；精制飽和食鹽水的進(jìn)口為（填字母）；干燥塔中應(yīng)使用的液體是．

Ⅱ．多晶硅主要采用SiHCl₃還原工藝生產(chǎn)，其副產(chǎn)物SiCl₄的綜合利用受到廣泛關(guān)注．
（1）SiCl₄可制氣相白炭黑（與光導(dǎo)纖維主要原料相同），方法為高溫下SiCl₄與H₂和O₂反應(yīng)，產(chǎn)物有兩種，化學(xué)方程式為．
（2）SiCl₄可轉(zhuǎn)化為SiHCl₃而循環(huán)使用．一定條件下，在20L恒容密閉容器中的反應(yīng)：
3SiCl₄（g）+2H₂（g）+Si（s）?4SiHCl₃（g）
達(dá)平衡后，H₂與SiHCl₃物質(zhì)的量濃度分別為0.140mol/L和0.020mol/L，若H₂全部來源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物，理論上需消耗純NaCl的質(zhì)量為kg．
（3）實(shí)驗(yàn)室制備H₂和Cl₂通常采用下列反應(yīng)：
Zn+H₂SO₄→ZnSO₄+H₂↑；MnO₂+4HCl（濃）

△

MnCl₂+Cl₂↑+2H₂O
據(jù)此，從下列所給儀器裝置中選擇制備并收集H₂的裝置（填代號(hào)）和制備并收集干燥、純凈Cl₂的裝置（填代號(hào)）．
可選用制備氣體的裝置：

（4）采用無膜電解槽電解飽和食鹽水，可制取氯酸鈉，同時(shí)生成氫氣，現(xiàn)制得氯酸鈉213.0kg，則生成氫氣m³（標(biāo)準(zhǔn)狀況）．（忽略可能存在的其他反應(yīng)）
某工廠生產(chǎn)硼砂過程中產(chǎn)生的固體廢料，主要含有MgCO₃、MgSiO₃、CaMg（CO₃）₂、Al₂O₃和Fe₂O₃等，回收其中鎂的工藝流程如下：

沉淀物	Fe（OH）3	Al（OH）3	Mg（OH）2
PH	3.2	5.2	12.4

Ⅲ．部分陽離子以氫氧化物形式完全沉淀時(shí)溶液的pH見上表，請(qǐng)回答下列問題：
（1）“浸出”步驟中，為提高鎂的浸出率，可采取的措施有（要求寫出兩條）．
（2）濾渣I的主要成分是．
Mg（ClO₃）₂在農(nóng)業(yè)上可用作脫葉劑、催熟劑，可采用復(fù)分解反應(yīng)制備：
MgCl₂+2NaClO₃→Mg（ClO₃）₂+2NaCl
已知四種化合物的溶解度（S）隨溫度（T）變化曲線如圖所示：

（3）將反應(yīng)物按化學(xué)反應(yīng)方程式計(jì)量數(shù)比混合制備Mg（ClO₃）₂．簡述可制備Mg（ClO₃）₂的原因：．
（4）按題（3）中條件進(jìn)行制備實(shí)驗(yàn)．在冷卻降溫析出Mg（ClO₃）₂過程中，常伴有NaCl析出，原因是：．除去產(chǎn)品中該雜質(zhì)的方法是：．