.如右圖所示，a、b兩電極材料分別為鐵絲和銅絲。則以下說(shuō)法不正確的是 (   )

A.該裝置可以構(gòu)成原電池，也可構(gòu)成電解池

B.a極可能發(fā)生反應(yīng)：Cu+2e-==Cu

C.b電極質(zhì)量可能增加

D.該過(guò)程可能有大量氣體產(chǎn)生

 .如右圖所示，a、b兩電極材料分別為鐵絲和銅絲。則以下說(shuō)法不正確的是 (   )

A.該裝置可以構(gòu)成原電池，也可構(gòu)成電解池

B.a極可能發(fā)生反應(yīng)：Cu+2e-==Cu

C.b電極質(zhì)量可能增加

D.該過(guò)程可能有大量氣體產(chǎn)生

已知A、B、C、D、E、F都是元素周期表中前四周期的元素，它們的核電荷數(shù)依次遞增。B原子的P軌道半充滿，形成氫化物的沸點(diǎn)是同主族元素的氫化物中最低的。D原子得到一個(gè)電子后3P軌道全充滿。A⁺比D原子形成的離子少一個(gè)電子層。C與A形成A₂C型離子化合物。E的原子序數(shù)為31，F(xiàn)與B屬同一主族，E與F形成的化合物常用于制造半導(dǎo)體。根據(jù)以上信息，回答下列問(wèn)題：
（1）A、B、C、D的第一電離能由小到大的順序?yàn)?u>              （用元素符號(hào)表示）。
（2）化合物BD₃的分子空間構(gòu)型是              。
（3）上海世博會(huì)場(chǎng)館，大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管(LED)，其材料是E與F形成的化合物甲（屬于第三代半導(dǎo)體），用它制造的燈泡壽命是普通燈泡的100倍，而耗能只有其10%。化合物甲的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖（白球代表F，黑球代表E）。試回答：
①該晶胞中所包含的F原子(白色球)個(gè)數(shù)為       。
②與同一個(gè)E原子相連的F原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為                 。
③下列說(shuō)法正確的是          。

A．該晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同   B．半導(dǎo)體EB與EF互為等電子體
C．電負(fù)性：F>E             D．EF晶體中含有配位鍵
④ (CH₃)₃E中E原子的雜化方式為          。
⑤該晶體中緊鄰的F原子之間與緊鄰的F、E兩原子之間距離的比值為      
（寫出計(jì)算過(guò)程）

已知A、B、C、D、E、F都是元素周期表中前四周期的元素，它們的核電荷數(shù)依次遞增。B原子的P軌道半充滿，形成氫化物的沸點(diǎn)是同主族元素的氫化物中最低的。D原子得到一個(gè)電子后3P軌道全充滿。A⁺比D原子形成的離子少一個(gè)電子層。C與A形成A₂C型離子化合物。E的原子序數(shù)為31，F(xiàn)與B屬同一主族，E與F形成的化合物常用于制造半導(dǎo)體。根據(jù)以上信息，回答下列問(wèn)題：

（1）A、B、C、D的第一電離能由小到大的順序?yàn)?u>              （用元素符號(hào)表示）。

（2）化合物BD₃的分子空間構(gòu)型是              。

（3）上海世博會(huì)場(chǎng)館，大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管(LED)，其材料是E與F形成的化合物甲（屬于第三代半導(dǎo)體），用它制造的燈泡壽命是普通燈泡的100倍，而耗能只有其10%。化合物甲的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖（白球代表F，黑球代表E）。試回答：

①該晶胞中所包含的F原子(白色球)個(gè)數(shù)為       。

②與同一個(gè)E原子相連的F原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為                 。

③下列說(shuō)法正確的是          。

A．該晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同   B．半導(dǎo)體EB與EF互為等電子體

C．電負(fù)性：F>E             D．EF晶體中含有配位鍵

④ (CH₃)₃E中E原子的雜化方式為          。

⑤該晶體中緊鄰的F原子之間與緊鄰的F、E兩原子之間距離的比值為      

（寫出計(jì)算過(guò)程）