如圖所示，空氣中有一塊截面為扇形的玻璃磚，折射率為，現有一細光束，垂直射到AO面上，經玻璃磚反射、折射后，經OB面平行于入射光束返回，∠AOB為135°，圓半徑為r，則入射點P距圓心O的距離為（　   ）

A．r·sin 15°                            B．r· sin7.5°

C．                             D．

在光滑水平面上有一個內外壁都光滑的氣缸質量為M，氣缸內有一質量為m的活塞，已知M＞m．活塞密封一部分理想氣體．現對氣缸施加一個水平向左的拉力F（如圖甲），穩(wěn)定時，氣缸的加速度為a₁，封閉氣體的壓強為p₁，體積為V₁；若用同樣大小的力F水平向左推活塞（如圖乙），穩(wěn)定時氣缸的加速度為a₂，封閉氣體的壓強為p₂，體積為V₂。設密封氣體的質量和溫度均不變，則   (  　  )

A．a₁ = a₂，p₁＜p₂，V₁＞V₂                                  

B．a₁＜a₂，p₁＞p₂，V₁＜V₂ 

C．a₁ = a₂，p₁＜p₂，V₁＜V₂                                                     

D．a₁＞a₂，p₁＞p₂，V1＞V2

如圖，電源內阻不能忽略，電流表和電壓表為理想電表，下列說法正確的是                     （   ）

A．若R₁斷路，表的讀數均減小

B．若R₂斷路，表的讀數均減小

C．若R₃斷路，電流表讀數為0，電壓表讀數變大

D．若R₄斷路，表的讀數均變大

如圖甲所示裝置中，光滑的定滑輪固定在高處，用細線跨過該滑輪，細線兩端各拴一個質量相等的砝碼m₁和m₂．在鐵架上A處固定環(huán)狀支架z，它的孔只能讓m₁通過．在m₁上加一個槽碼m，m₁和m從O點由靜止釋放向下做勻加速直線運動．當它們到達A時槽碼m被支架z托住，m₁繼續(xù)下降．在圖乙中能正確表示m₁運動速度v與時間t和位移x 與時間t關系圖象的是    （  　  ）                                         

（圖象中的Oa段為拋物線，ab段為直線，從m₁剛開始下落開始計時，以向下為正方向）

矩形導線框abcd放在勻強磁場中，在外力控制下靜止不動，磁  感線方向與線圈平面垂直，磁感應強度B隨時間變化的圖像如右圖所示。t = 0時刻，磁感應強度的方向垂直紙面向里，在0～4s時間內，線框ab邊所受安培力隨時間變化的圖像（力的方向規(guī)定以向左為正方向）可能是下圖中的（ 　   ）

在利用插針法測定玻璃磚折射率的實驗中：

（1）甲同學在線上正確畫出玻璃磚的兩個界面aa′和bb′后，不小心碰了玻璃磚使它向aa′方向平移了少許，如圖1所示，則他測出的折射率將        （選填“偏大”“偏小”或“不變”）；

（2）乙同學在畫界面時，不小心將兩界面aa′、bb′間距畫得比玻璃磚寬度大些，如圖2所示，則他測得折射率     （選填“偏大”“偏小”或“不變”）；

(12分)測量電源的電動勢E及內阻r（E約為6V，r約為1.5Ω）。器材：量程3V的理想電壓表V，量程0.6A的電流表A（具有一定內阻），固定電阻R=8.5Ω，滑線變阻器R′(0——10Ω)，開關S，導線若干。

①畫出實驗電路原理圖。圖中各元件需用題目中給出的符號或字母標出。

②用筆畫線代替導線完成實物連接圖。

③實驗中，當電流表讀數為I₁時，電壓表讀數為U₁；當電流表讀數為I₂時，電壓表讀數為U₂。則可以求出E=                  ，r=            。（用I₁，I₂，U₁，U₂及R表示）

（15分）如圖所示，小麗將小球甲從空中A點以V_A=4m/s的速度豎直向下拋出，同時小明將另一小球乙從A點正下方H=10m的B點以V_B=3m/s的速度水平拋出，不計空氣阻力，A、B點離地面足夠高，求兩球在空中的最短距離。

（18分）如圖所示，足夠長的光滑平行金屬導軌cd和ef，水平放置且相距L，在其左端各固定一個半徑為r的四分之三金屬光滑圓環(huán)，兩圓環(huán)面平行且豎直。在水平導軌和圓環(huán)上各有一根與導軌垂直的金屬桿，兩金屬桿與水平導軌、金屬圓環(huán)形成閉合回路，兩金屬桿質量均為m，電阻均為R，其余電阻不計。整個裝置放在磁感應強度大小為B、方向豎直向上的勻強磁場中。當用水平向右的恒力F=mg拉細桿，達到勻速運動時，桿b恰好靜止在圓環(huán)上某處，試求：

（1）桿做勻速運動時，回路中的感應電流，并在圖中桿上標出感應電流的方向

（2）桿做勻速運動時的速度；

（3）桿b靜止的位置距圓環(huán)最低點的高度。

（21分）如圖所示，x軸上方存在磁感應強度為B的圓形勻強磁場區(qū)域，磁場方向垂直紙面向外（圖中未畫出）。x軸下方存在勻強電場，場強大小為E，方向沿與x軸負方向成60°角斜向下。一個質量為m，帶電量為＋e的質子以速度v₀從O點沿y軸正方向射入勻強磁場區(qū)域。質子飛出磁場區(qū)域后，從b點處穿過x軸進入勻強電場中，速度方向與x軸正方向成30°，之后通過了b點正下方的c點。不計質子的重力。

（1）畫出質子運動的軌跡，并求出圓形勻強磁場區(qū)域的最小半徑和最小面積；

（2）求出O點到c點的距離。