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質(zhì)量為m的A球以水平向右的速度V與靜止在光滑的水平面上的質(zhì)量為4m的B球正碰,碰后A球反向,速度大小變?yōu)樵瓉淼?/2,則碰后B球的速度是  (     )

    A.向右,V/2,    B.向右 , V/8    C. .向右 , 3V/8     D. 向左 , V/8

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如圖所示,內(nèi)壁光滑的半徑為R的圓形軌道,固定在豎直平面內(nèi)。質(zhì)量為m1的小球靜止在軌道最低點(diǎn),另一質(zhì)量為m2的小球(兩小球均可視為質(zhì)點(diǎn))從內(nèi)壁上與圓心O等高的位置由靜止釋放,到最低點(diǎn)時(shí)與m1發(fā)生彈性碰撞。請(qǐng)求解:

(i)小球m2運(yùn)動(dòng)到最低點(diǎn)時(shí)的速度大小。

(ii)碰撞后,欲使m1能沿內(nèi)壁運(yùn)動(dòng)到最高點(diǎn),則應(yīng)滿足什么條件?(=2.236)

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某電場(chǎng)的分布如圖所示,帶箭頭的實(shí)線為電場(chǎng)線,虛線為等勢(shì)面。AB、C三點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度分別為EA、EB、EC,電勢(shì)分別為、,關(guān)于這三點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度和電勢(shì)的關(guān)系,以下判斷正確的是(  )

A.EA<EB=  B.EA>EB,>

C.EA>EB<  D.EA=EC,=

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右圖為甲、乙兩物體在同一直線上做勻變速直線運(yùn)動(dòng)的

v-t圖像,由圖可知(    )

A.6s后甲和乙兩物體的運(yùn)動(dòng)方向相反    

B.甲和乙的加速度大小之比為4:1

C.4s時(shí)兩車相距10m

D.若兩車在2s時(shí)相遇,則兩車必定在6s時(shí)也相遇

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下列說法不正確的是(    )

A.在真空中,電荷量為2.010 -9C的點(diǎn)電荷在距離它3.0m處產(chǎn)生的場(chǎng)強(qiáng)大小為2.0N/C

B.電場(chǎng)中某點(diǎn)的電勢(shì),在數(shù)值上等于單位電荷由該點(diǎn)移動(dòng)到參考點(diǎn)(零電勢(shì)點(diǎn))時(shí)電場(chǎng)力所做的功

C.電場(chǎng)線跟等勢(shì)面垂直,并且由電勢(shì)較高的等勢(shì)面指向電勢(shì)較低的等勢(shì)面

D.某電容器所帶電荷量增加 4.010-6C,兩極板間電勢(shì)差增大4.0V,則該電容器的電容為1.0μF

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在繞地球做勻速圓周的宇宙飛船中,用下述方法測(cè)物塊的質(zhì)量,將一帶有推進(jìn)器,總質(zhì)量M=5kg的小滑車靜放在平臺(tái)上,平臺(tái)與小車間的動(dòng)摩擦因數(shù)為0.5,開動(dòng)推進(jìn)器產(chǎn)生的恒力作用下從靜止開始運(yùn)動(dòng),測(cè)得小車前進(jìn)1.25m歷時(shí)5s。關(guān)閉推進(jìn)器,將被測(cè)物塊固定在小車上,重復(fù)上述過程,測(cè)得5s內(nèi)小車前進(jìn)了1.00m。問物塊的質(zhì)量是多少?

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如圖所示,垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)的區(qū)域?qū)挾葹?,磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小為B.一邊長為a、電阻為4R的正方形均勻?qū)Ь框ABCD從圖示位置沿水平向右方向以速度v勻速穿過磁場(chǎng)區(qū)域,在下圖中線框A、B兩端電壓UAB與線框移動(dòng)距離的關(guān)系圖象正確的是

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如圖所示是衛(wèi)星繞地球運(yùn)行時(shí)變軌前后的兩個(gè)軌道,A點(diǎn)是圓形軌道Ⅰ與橢圓軌道Ⅱ的重合點(diǎn),B為軌道Ⅱ上的一點(diǎn),則關(guān)于衛(wèi)星的運(yùn)動(dòng),下列說法中正確的是

A. 在軌道Ⅱ上經(jīng)過A時(shí)的速度小于經(jīng)過B時(shí)的速度

B. 在軌道Ⅱ上經(jīng)過A時(shí)的動(dòng)能小于在軌道Ⅰ上經(jīng)過A時(shí)的動(dòng)能

C. 在軌道Ⅱ上運(yùn)動(dòng)的機(jī)械能小于在軌道Ⅰ上運(yùn)動(dòng)的機(jī)械能

D. 在軌道Ⅱ上經(jīng)過A時(shí)的加速度小于在軌道Ⅰ上經(jīng)過A時(shí)的加速度

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如圖所示,一電場(chǎng)的電場(chǎng)線分布關(guān)于y軸(沿豎直方向)對(duì)稱,O、M、N是y軸上的三個(gè)點(diǎn),且OM=MN,P點(diǎn)在y軸右側(cè),MP⊥ON,則(    )

A.M點(diǎn)的電勢(shì)比P點(diǎn)的電勢(shì)高                       

B.將負(fù)電荷由O點(diǎn)移動(dòng)到P點(diǎn),電場(chǎng)力做正功

C.M、N兩點(diǎn)間的電勢(shì)差大于O、M兩點(diǎn)間的電勢(shì)差

D.在O點(diǎn)靜止釋放一帶正電粒子,該粒子將沿x軸做直線運(yùn)動(dòng)

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如圖所示,質(zhì)量為m的物塊從半徑為R的半球形碗邊向碗底滑動(dòng),滑到最低點(diǎn)時(shí)的速度為v,若物塊滑到最低點(diǎn)時(shí)受到的摩擦力是,則物塊與碗的動(dòng)摩擦因數(shù)為   

A.                   

B.           

C.               

D.

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