（1）（3分）用游標(biāo)卡尺測一小球的直徑，結(jié)果如左下圖所示，則小球直徑為_▲_mm。

 (2)（6分）用歐姆表測某定值電阻時(shí)，分別用×100；×10；×1三個(gè)檔位測量了三次，其指針?biāo)�指的位置如右上圖所示。則圖中位置①對應(yīng)_▲_檔（選填“×1”、“×10”、“×100”），為了提高測量該電阻的準(zhǔn)確度，應(yīng)選擇_▲_檔（選填“×1”、“×10”、“×100”），被測電阻的讀數(shù)為_▲_Ω。

在真空中的光滑水平絕緣面上有一帶電小滑塊，開始時(shí)滑塊處于靜止?fàn)顟B(tài)。若在滑塊所在空間加一水平勻強(qiáng)電場E₁，持續(xù)一段時(shí)間t后立即換成與E₁相反方向的勻強(qiáng)電場E₂。當(dāng)電場E₂與電場E₁持續(xù)時(shí)間相同時(shí)，滑塊恰好回到初始位置，且具有動(dòng)能E_K。在上述過程中，E₁對滑塊的電場力做功為W₁，E₂對滑塊的電場力做功為W₂。則（     ）

A、E₂= 2E₁      B、W₁= 0.25    W₂ =0.75

C、E₂= 3E₁      D、W₁= 0.20    W₂ =0.80

如圖所示，金屬棒AB垂直跨擱在位于水平面上的兩條平行光滑金屬導(dǎo)軌上，棒與導(dǎo)軌接觸良好，棒AB和導(dǎo)軌電阻均忽略不計(jì)。導(dǎo)軌左端接有電阻R，垂直于導(dǎo)軌平面的勻強(qiáng)磁場向下穿過平面�，F(xiàn)以水平向右的恒定外力F拉著棒AB從靜止開始向右移動(dòng)， t秒末棒AB速度為v，移動(dòng)的距離為l，且在t秒內(nèi)速度大小一直在變化，則下列判斷正確的是 （    ）

A．t秒內(nèi)AB棒所受的安培力方向水平向左，大小逐漸增大

B．t秒內(nèi)外力F做的功等于電阻R釋放的電熱

C．t秒內(nèi)AB棒做加速度逐漸減小的加速運(yùn)動(dòng)

D．t秒末外力F做功的功率等于

為了對火星及其周圍的空間環(huán)境進(jìn)行探測，我國預(yù)計(jì)于2011年10月發(fā)射第一顆火星探測器“螢火一號”。假設(shè)探測器在離火星表面高度分別為h₁和h₂的圓軌道上運(yùn)動(dòng)時(shí)，周期分別為T₁和T₂。火星可視為質(zhì)量分布均勻的球體，且忽略火星的自轉(zhuǎn)影響，萬有引力常量為G。僅利用以上數(shù)據(jù)，可以計(jì)算出（    ）

A．火星的質(zhì)量                 B．“螢火一號”的質(zhì)量

C．火星對“螢火一號”的引力      D．火星表面的重力加速度

在O點(diǎn)有一波源，t=0時(shí)刻開始向下振動(dòng)，形成向左傳播的一列橫波。t₁=4s時(shí)，距離O點(diǎn)為1m的A點(diǎn)第一次達(dá)到波峰；t₂=7s時(shí)，距離O點(diǎn)為6m的B點(diǎn)第一次達(dá)到波谷。則以下說法正確的是（    ）     

A.該橫波的波長為2m

B.該橫波的周期為2s

C.距離O點(diǎn)為4m的質(zhì)點(diǎn)第一次達(dá)到波峰的時(shí)刻為6s末

D.距離O點(diǎn)為4m的質(zhì)點(diǎn)第一次開始向上振動(dòng)的時(shí)刻為6s末

圖中三個(gè)電阻的阻值之比R₁:R₂:R₃=1:2:2，電源的內(nèi)阻不計(jì)。開關(guān)K接通后流過R₂的電流與開關(guān)K接通前流過R₂的電流之比為  （    ）                               

A．4:3         B．3:4       C．2:3      D．3:2

如圖所示，半球形容器固定在水平面上，O為球心，一質(zhì)量為m的小滑塊靜止于P點(diǎn)。已知滑塊和半球形容器間的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ，滑塊所受支持力大小為F_N ，摩擦力大小為F_f ，OP與水平方向的夾角為θ.下列關(guān)系正確的是  （     ）

A．             B．F_f=mgsinθ

C．      D．

居室裝修中經(jīng)常用到的花崗巖都不同程度地含有放射性元素（含鈾、釷等），會釋放出α、β、γ射線，這些射線會導(dǎo)致細(xì)胞發(fā)生癌變及呼吸道疾病。根據(jù)有關(guān)放射性知識可知下列說法中正確的是（     ）

A．α射線是發(fā)生α衰變時(shí)產(chǎn)生的，生成核與原來的原子核相比，中子數(shù)減少了４個(gè)

B．β射線是發(fā)生β衰變時(shí)產(chǎn)生的，生成核與原來的原子核相比，質(zhì)量數(shù)減少了1個(gè)

C．γ射線是發(fā)生γ衰變時(shí)產(chǎn)生的，生成核與原來的原子核相比，中子數(shù)減少了1個(gè)

D．在α、β、γ三種射線中，γ射線的穿透能力最強(qiáng)、電離能力最弱