水面下某一深度處水平放置平面鏡M，一束白光豎直向下從空氣進(jìn)入水中射到平面鏡上的O點(diǎn)，已知紅光由水射向空氣時(shí)全反射的臨界角為C₁，紫光由水射向空氣時(shí)全反射的臨界角為C₂．現(xiàn)使平面鏡繞過O點(diǎn)的水平軸轉(zhuǎn)動(dòng)一定的角度時(shí)，水面將無(wú)光線射出．下列說法正確的是（　�。�

如圖，一理想變壓器的原線圈A、B兩端接入電壓為u=220

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sin100πt（V）的交變電流．原線圈匝數(shù)n₁=1100，副線圈匝數(shù)為n₂=30．則在C、D兩端（　�。�

強(qiáng)磁性材料在受到外加磁場(chǎng)作用時(shí)引起的電阻變化，稱為磁電阻效應(yīng)．磁場(chǎng)越強(qiáng)，強(qiáng)磁性材料的電阻越大，利用這種效應(yīng)可以測(cè)量磁感應(yīng)強(qiáng)度．現(xiàn)有兩根垂直于紙面的導(dǎo)線，電流方向如圖，兩條虛線分別是兩導(dǎo)線的連線和中垂線．假設(shè)強(qiáng)磁性材料在無(wú)磁場(chǎng)時(shí)電阻為R₀，則將該強(qiáng)磁性材料分別放在O、M兩點(diǎn)時(shí)（　�。�

關(guān)于電磁場(chǎng)和電磁波，下列說法正確的是（　�。�

如圖所示的磁場(chǎng)中，有P、Q兩點(diǎn)．下列說法正確的是（　�。�

有一個(gè)金屬絲圓環(huán)，圓面積為S，電阻為r，放在磁場(chǎng)中，讓磁感線垂直地穿過圓環(huán)所在平面．在△t時(shí)間內(nèi)，磁感應(yīng)強(qiáng)度的變化為△B，通過金屬絲橫截面的電量q與下面哪個(gè)量的大小無(wú)關(guān)（　　）

下列說法正確的是（　�。�

在電磁學(xué)發(fā)展史上，提出分子電流假說的科學(xué)家是（　�。�

如圖所示，在正交坐標(biāo)系Oxyz的空間中，同時(shí)存在勻強(qiáng)電場(chǎng)和勻強(qiáng)磁場(chǎng)（x軸正方向水平向右，y軸正方向豎直向上）．勻強(qiáng)磁場(chǎng)的方向與Oxy平面平行，且與x軸的夾角為60°．一質(zhì)量為m、電荷量為+q的帶電質(zhì)點(diǎn)從y軸上的點(diǎn)P（0，h，0）沿平行于z軸正方向以速度v₀射入場(chǎng)區(qū)，重力加速度為g．
（1）若質(zhì)點(diǎn)恰好做勻速圓周運(yùn)動(dòng)，求電場(chǎng)強(qiáng)度的大小及方向；
（2）若質(zhì)點(diǎn)恰沿v₀方向做勻速直線運(yùn)動(dòng)，求電場(chǎng)強(qiáng)度的最小值E_min及方向；
（3）若電場(chǎng)為第（2）問所求的情況，撤去磁場(chǎng)，當(dāng)帶電質(zhì)點(diǎn)P點(diǎn)射入時(shí)，求帶電粒子運(yùn)動(dòng)到Oxz平面時(shí)的位置．

（2009?深圳二模）如圖所示，N匝矩形金屬線圈的質(zhì)量為m，電阻為R，放在傾角為θ的光滑斜面上，其ab邊長(zhǎng)度為L(zhǎng)且與斜面底邊平行．與ab平行的兩水平虛線MN、PQ之間，在t=0時(shí)刻加一變化的磁場(chǎng)，磁感應(yīng)強(qiáng)度B大小隨時(shí)間t的變化關(guān)系為B=Kt，方向垂直斜面向上．在t=0時(shí)刻將線圈由圖中位置靜止釋放，在t=t₁時(shí)刻ab邊進(jìn)入磁場(chǎng)，t=t₂時(shí)刻ab邊穿出磁場(chǎng)．線圈ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)瞬間電流為0，穿出磁場(chǎng)前的瞬間線圈加速度為0．（重力加速度為g）求：

（1）MN、PQ之間的距離d；
（2）從t=0到t=t₁運(yùn)動(dòng)過程中線圈產(chǎn)生的熱量Q；
（3）線圈的ab邊在穿過磁場(chǎng)過程中克服安培力所做的功W．