A．電阻R中沒有電流流過

B．銅片C的電勢(shì)高于銅片D的電勢(shì)

C．保持銅盤不動(dòng)，磁場(chǎng)變?yōu)榉较虼怪庇阢~盤的交變磁場(chǎng)，則銅盤中有電流產(chǎn)生

D．保持銅盤不動(dòng)，磁場(chǎng)變?yōu)榉较虼怪庇阢~盤的交變磁場(chǎng)，則CRD回路中有電流產(chǎn)生

A. 甲車減速的加速度為0.5m/s2

B. 甲車減速的加速度比乙車減速的加速度大0.75m/s2

C. 減速過程中甲乙兩車間的最大距離為100m

D. 減速過程中甲乙兩車間的最大距離為87.5m

A. 只逐漸增大R1的光照強(qiáng)度，電阻R0消耗的電功率變大，電阻R3中有向上的電流

B. 只調(diào)節(jié)電阻R3的滑動(dòng)端P2向上端移動(dòng)時(shí)，電源消耗的功率變大，電阻R3中有向上的電流

C. 只調(diào)節(jié)電阻R2的滑動(dòng)端P1向下端移動(dòng)時(shí)，電壓表示數(shù)變大，帶電微粒向下運(yùn)動(dòng)

D. 若斷開電鍵S，電容器所帶電荷量變大，帶電微粒向上運(yùn)動(dòng)

【題目】Th具有放射性，經(jīng)以下連續(xù)衰變過程，最后生成穩(wěn)定的Pb：Th→Ra→Ac→Th→…→Pb，下列說(shuō)法正確的是

A. Th和Th屬于放射性同位素，其原子核中子數(shù)相同，質(zhì)子數(shù)不同

B. Ra發(fā)生β衰變后變?yōu)?/span>Ac，說(shuō)明Ra原子核內(nèi)有β粒子

C. Ra的半衰期約為6.7年，將該元素?fù)诫s到其他穩(wěn)定元素中，半衰期將增大

D. 整個(gè)衰變過程共發(fā)生6次α衰變和4次β衰變

【題目】如圖所示，在直角坐標(biāo)系x0y平面的一、四個(gè)象限內(nèi)各有一個(gè)邊長(zhǎng)為L的正方向區(qū)域，二三像限區(qū)域內(nèi)各有一個(gè)高L，寬2L的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，其中在第二象限內(nèi)有垂直坐標(biāo)平面向外的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，第一、三、四象限內(nèi)有垂直坐標(biāo)平面向內(nèi)的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，各磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均相等，第一象限的x<L，L<y<2L的區(qū)域內(nèi)，有沿y軸正方向的勻強(qiáng)電場(chǎng)�，F(xiàn)有一質(zhì)量為四電荷量為q的帶負(fù)電粒子從坐標(biāo)(L，3L/2)處以初速度沿x軸負(fù)方向射入電場(chǎng)，射出電場(chǎng)時(shí)通過坐標(biāo)(0，L)點(diǎn)，不計(jì)粒子重力。

(1)求電場(chǎng)強(qiáng)度大小E；

(2)為使粒子進(jìn)入磁場(chǎng)后途經(jīng)坐標(biāo)原點(diǎn)0到達(dá)坐標(biāo)(-L，0)點(diǎn)，求勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小B；

(3)求第(2)問中粒子從進(jìn)入磁場(chǎng)到坐標(biāo)(-L，0)點(diǎn)所用的時(shí)間。

(1)包裹A在傳送帶上運(yùn)動(dòng)的時(shí)間；

(2)包裹B的質(zhì)量．

A. 小球通過最高點(diǎn)時(shí)速度可能小于

B. 小球通過最高點(diǎn)時(shí)所受輕桿的作用力不可能為零

C. 小球通過最高點(diǎn)時(shí)所受輕桿的作用力隨小球速度的增大而增大

D. 小球通過最高點(diǎn)時(shí)所受輕桿的作用力隨小球速度的增大而減小

A. 子彈射入木塊后的瞬間，速度大小為

B. 子彈射入木塊后的瞬間，繩子拉力等于

C. 子彈射入木塊后的瞬間，環(huán)對(duì)輕桿的壓力大于

D. 子彈射入木塊之后，圓環(huán)、木塊和子彈構(gòu)成的系統(tǒng)動(dòng)量守恒

A. 粒子可能從BC邊離開

B. 經(jīng)過AB邊的粒子最小速度為

C. 經(jīng)過AB邊的粒子最大速度為

D. AB邊上有粒子經(jīng)過的區(qū)域長(zhǎng)度為2L

A. S斷開時(shí),R1與R2的電壓之比為1∶5

B. S閉合時(shí),通過R1與R2的電流之比為2∶1

C. S閉合時(shí),R1與R2兩端的電壓之比為1∶5

D. S斷開與閉合兩種情況下,電阻R1兩端的電壓之比為2∶1