A. 如果小球帶正電，小球在斜面上的最大速度為

B. 如果小球帶正電，小球在斜面上的最大速度為

C. 如果小球帶負(fù)電，小球在斜面上的最大速度為

D. 如果小球帶負(fù)電，小球在斜面上的最大速度為

A. 電壓表V1的讀數(shù)減小，電流表A1的讀數(shù)增大

B. 電壓表V1的讀數(shù)增大，電流表A1的讀數(shù)減小

C. 電壓表V2的讀數(shù)減小，電流表A2的讀數(shù)增大

D. 電壓表V2的讀數(shù)增大，電流表A2的讀數(shù)減小

A. 向上滑行的時(shí)間小于向下滑行的時(shí)間

B. 在向上滑行時(shí)電阻R上產(chǎn)生的熱量大于向下滑行時(shí)電阻R上產(chǎn)生的熱量

C. 金屬桿從開始上滑至返回出發(fā)點(diǎn)，電阻R上產(chǎn)生的熱量為m()

D. 向上滑行時(shí)與向下滑行時(shí)通過電阻R的電荷量相等

A. 2.5m/s，1W B. 5m/s，1W C. 7.5m/s，9W D. 15m/s，9W

A. 電阻R上的熱功率為20 W

B. 0.02 s時(shí)R兩端的電壓瞬時(shí)值為零

C. R兩端的電壓u隨時(shí)間t變化的規(guī)律是u＝10cos 100πt(V)

D. 通過R的電流i隨時(shí)間t變化的規(guī)律是i＝cos 50πt(A)

【題目】如圖所示，金屬塊Q放在帶光滑小孔的水平桌面上，一根穿過小孔的細(xì)線，上端固定在Q上，下端拴一個(gè)小球。小球在某一水平面內(nèi)做勻速圓周運(yùn)動圓錐擺，細(xì)線與豎直方向成角圖中P位置�，F(xiàn)使小球在更高的水平面上做勻速圓周運(yùn)動細(xì)線與豎直方高成角圖中位置。兩種情況下，金屬塊Q都靜止在桌面上的同一點(diǎn)，則后一種情況與原來相比較，下面判斷正確的是

A. Q受到桌面的靜摩擦力大小不變 B. 小球運(yùn)動的角速度變大

C. 細(xì)線所受的拉力之比為2：1 D. 小球向心力大小之比為3：1

（1）電子繞氫原子核做圓周運(yùn)動時(shí)，可等效為環(huán)形電流，已知靜電力常量為k，電子的電荷量為e，質(zhì)量為m，電子在半徑為r的軌道上做圓周運(yùn)動。試計(jì)算電子繞氫原子核在該軌道上做圓周運(yùn)動形成的等效電流大�。�

（2）如圖，AD表示一段粗細(xì)均勻的一段導(dǎo)體，兩端加一定的電壓，導(dǎo)體中的自由電荷沿導(dǎo)體定向移動的速率為v，設(shè)導(dǎo)體的橫截面積為s，導(dǎo)體每單位體積內(nèi)的自由電荷數(shù)為n，每個(gè)自由電荷所帶的電荷量為e．試證明導(dǎo)體中電流強(qiáng)度I=nesv；

（3）有一圓柱形的純凈半導(dǎo)體硅，其橫截面積為2.5cm2，通有電流2mA時(shí)，其內(nèi)自由電子定向移動的平均速率為7.5×10-5m/s，空穴定向移動的平均速率為2.5×10-5m/s。已知硅的密度2.4×103kg/m3，摩爾質(zhì)量是28。電子的電荷量e=－1.6×10-19C，空穴和電子總是成對出現(xiàn)，它們所帶電荷量相等，但電性相反，阿伏伽德羅常數(shù)為N0=6.02×1023mol-1。若一個(gè)硅原子至多只釋放一個(gè)自由電子，試估算此半導(dǎo)體材料平均多少個(gè)硅原子才有一個(gè)硅原子釋放出自由電子？

A. 電壓U加倍時(shí)，自由電子定向移動的平均速率不變

B. 導(dǎo)線長度L加倍時(shí)，自由電子定向移動的平均速率不變

C. 導(dǎo)線截面直徑d加倍時(shí)，自由電子定向移動的平均速率加倍

D. 導(dǎo)線截面直徑d加倍時(shí)，自由電子定向移動的平均速率不變

A. 沿軌道I運(yùn)動至P時(shí)，需制動減速才能進(jìn)入軌道Ⅱ

B. 沿軌道Ⅱ運(yùn)行的周期大于沿軌道I運(yùn)行的周期

C. 沿軌道Ⅱ運(yùn)行時(shí)，在P點(diǎn)的加速度大于在Q點(diǎn)的加速度

D. 在軌道Ⅱ上由P點(diǎn)運(yùn)行到Q點(diǎn)的過程中，萬有引力對其做正功，它的動能增加，重力勢能減小，機(jī)械能不變

A. B. C. D.