科目: 來源: 題型:選擇題
A. | 加速度 | B. | 時(shí)間 | C. | 水平方向的位移 | D. | 速度的變化量 |
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | 筆尖運(yùn)動(dòng)的速度方向始終不變 | B. | 筆尖運(yùn)動(dòng)的加速度方向始終不變 | ||
C. | 筆尖留下的痕跡一定是拋物線 | D. | 筆尖留下的痕跡一定是傾斜直線 |
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科目: 來源: 題型:填空題
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科目: 來源: 題型:解答題
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科目: 來源: 題型:解答題
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科目: 來源: 題型:多選題
A. | 當(dāng)r→∞時(shí),分子勢(shì)能Ep最小 | |
B. | 當(dāng)r>r0時(shí),r越小則分子勢(shì)能Ep越大 | |
C. | 當(dāng)r=r0時(shí),分子勢(shì)能Ep最小 | |
D. | 當(dāng)r<r0時(shí),r越小,則分子勢(shì)能Ep越大 |
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科目: 來源: 題型:多選題
A. | 逸出的光電子的最大初動(dòng)能減少 | |
B. | 逸出的光電子的最大初動(dòng)能不變 | |
C. | 單位時(shí)間里從金屬表面逸出的光電子數(shù)目減少 | |
D. | 不發(fā)生光電效應(yīng) |
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | 躍遷時(shí)可以放出或吸收能量為任意值的光子 | |
B. | 由n=4的狀態(tài)向n=2的狀態(tài)躍遷時(shí)放出光子的能量大于E | |
C. | 由n=4的狀態(tài)向n=2的狀態(tài)躍遷時(shí)放出光子的能量小于E | |
D. | 由n=4的狀態(tài)向n=2的狀態(tài)躍遷時(shí)吸收光子的能量大于E |
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科目: 來源: 題型:多選題
A. | 0.01s時(shí)刻磁通量最大 | B. | 0.02s時(shí)刻磁通量最大 | ||
C. | 該交流電流有效值為6.28A | D. | 該交流電流周期為0.04s |
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