10．2013年12月2日凌晨，我國發(fā)射了“嫦娥三號”登月探測器．“嫦娥三號”由地月轉(zhuǎn)移軌道到環(huán)月軌道飛行的示意圖如圖所示，P點為變軌點，則“嫦娥三號”（　�。�

	A．	經(jīng)過P點的速率，軌道1的一定大于軌道2的
	B．	經(jīng)過P點的加速度，軌道1的一定大于軌道2的
	C．	運行周期，軌道1的等于軌道2的
	D．	具有的機械能，軌道1的一定大于軌道2的

9．如圖所示，帶有半徑為R的$\frac{1}{4}$光滑圓弧的小車其質(zhì)量為M，置于光滑水平面上，一質(zhì)量為m的小球從圓弧的最頂端由靜止釋放，則球離開小車時，球和車的速度大小分別為多少？（重力加速度為g）

8．以下有關(guān)近代物理內(nèi)容的若干敘述正確的是（　�。�

	A．	一個原子核在一次衰變中可同時放出α、β、和γ三種射線
	B．	比結(jié)合能越大，表示原子核中核子結(jié)合得越牢固，原子核越穩(wěn)定
	C．	重核的裂變過程質(zhì)量增大，輕核的聚變過程有質(zhì)量虧損
	D．	根據(jù)玻爾理論，氫原子的核外電子由較高能級躍遷到較低能級時，要釋放一定頻率的光子，電子的動能增大，電勢能減小

7．如圖所示，在某一均勻介質(zhì)中，A、B是振動情況完全相同的兩個波源，其簡諧運動表達式均為x=0.1sin（20πt）m，介質(zhì)中P點與A、B兩波源間的距離分別為4m和5m，兩波源形成的簡諧波分別沿AP、BP方向傳播，波速都是10m/s．以下判斷正確的是（　�。�

	A．	簡諧橫波的波長是1m		B．	簡諧橫波的波長是0.5m
	C．	P點是振動加強點		D．	P點是振動減弱點

6．如圖所示，一定質(zhì)量的理想氣體，從圖示A狀態(tài)開始，經(jīng)歷了B、C，最后到D狀態(tài)，下列判斷中正確的是（　�。�

	A．	A→B溫度升高，壓強不變		B．	B→C體積不變，壓強變大
	C．	B→C體積不變，壓強不變		D．	C→D體積變小，壓強變大

5．2013年12月2日，我國探月衛(wèi)星“嫦娥三號”在西昌衛(wèi)星發(fā)射中心成功發(fā)射升空，沿地月轉(zhuǎn)移軌道直奔月球，飛行軌道如圖所示．嫦娥三號經(jīng)過地月轉(zhuǎn)移軌道在P點調(diào)整后進入環(huán)月圓軌道，再調(diào)整后進入環(huán)月橢圓軌道，最后由近月點Q沿拋物線下降，于2013年12月14日在月球虹灣成功軟著陸．在實施軟著陸過程中，嫦娥三號離月球表面4m高時最后一次懸停，確認著陸點．已知嫦娥三號總質(zhì)量為M在最后一次懸停時，反推力發(fā)動機對其提供的反推力為F，引力常量為G，月球半徑為R，忽略月球自轉(zhuǎn)及地球?qū)υ虑虻挠绊懀�以下說法正確的是（　�。�

	A．	嫦娥三號在環(huán)月圓軌道的P點加速，才能進入環(huán)月橢圓軌道
	B．	月球的質(zhì)量為$\frac{FR}{MG}$
	C．	月球的第一宇宙速度為$\sqrt{\frac{FR}{M}}$
	D．	嫦娥三號沿橢圓軌道運動至P點和沿圓軌道運動至P點時，加速度相同

4．雨傘邊沿到傘柄的距離為r，邊沿高出地面h，當雨傘以角速度ω繞傘柄勻速轉(zhuǎn)動時，雨滴從傘邊緣水平甩出，則雨滴落地的圓半徑R=r$\sqrt{1+\frac{2{ω}^{2}h}{g}}$．

3．做斜拋運動的物體，在2s末經(jīng)過最高點時的瞬時速度是15m/s，則初速度V₀=25m/s，拋射角θ=53°．（g=10m/s²）

2．以V₀的速度水平拋出一物體，當其豎直分位移和水平分位移相等時，則此物體的即時速度的大小為$\sqrt{5}{v}_{0}$，運動時間為$\frac{2{v}_{0}}{g}$，運動的位移是$\frac{2\sqrt{2}{v}_{0}^{2}}{g}$．

1．霍爾效應(yīng)是電磁基本現(xiàn)象之一，近期我國科學家在該領(lǐng)域的實驗研究上取得了突破性進展．如圖1所示，在一矩形半導體薄片的P、Q間通入電流I，同時外加與薄片垂直的磁場B，在M、N間出現(xiàn)電壓U_H，這個現(xiàn)象稱為霍爾效應(yīng)，U_H稱為霍爾電壓，且滿足U_H=K$\frac{IB}yamuckw$，式中d為薄片的厚度，k為霍爾系數(shù)．某同學通過實驗來測定該半導體薄片的霍爾系數(shù)．

I（×10-3A）	3.0	6.0	9.0	12.0	15.0	18.0
UH（×10-3V）	1.1	1.9	3.4	4.5	6.2	6.8

①若該半導體材料是空穴（可視為帶正電粒子）導電，電流與磁場方向如圖1所示，該同學用電壓表測量U_H時，應(yīng)將電壓表的“+”接線柱與M（填“M”或“N”）端通過導線相連．
②已知薄片厚度d=0.40mm，該同學保持磁感應(yīng)強度B=0.10T不變，改變電流I的大小，測量相應(yīng)的U_H值，記錄數(shù)據(jù)如下表所示．根據(jù)表中數(shù)據(jù)在給定區(qū)域內(nèi)畫出U_H-I圖線（如圖2），利用圖線求出該材料的霍爾系數(shù)為1.5×10^-5V•m•A^-1•T^-1（保留2位有效數(shù)字）．
③該同學查閱資料發(fā)現(xiàn)，使半導體薄片中的電流反向再次測量，取兩個方向測量的平均值，可以減小霍爾系數(shù)的測量誤差，為此該同學設(shè)計了如圖3所示的測量電路，S₁、S₂均為單刀雙擲開關(guān)，虛線框內(nèi)為半導體薄片（未畫出）．為使電流從Q端流入，P端流出，應(yīng)將S₁擲向b（填“a”或“b”），S₂擲向c（填“c”或“d”）．為了保證測量安全，該同學改進了測量電路，將一合適的定值電阻串聯(lián)在電路中．在保持其它連接不變的情況下，該定值電阻應(yīng)串聯(lián)在相鄰器件S₁和E（填器件代號）之間．