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科目: 來源: 題型:選擇題

15.太陽系中的行星受到太陽的引力繞太陽公轉(zhuǎn),然而它們公轉(zhuǎn)的周期卻各不相同.若把水星和地球繞太陽的運動軌跡都近似看作圓周,根據(jù)觀測得知,地球繞太陽公轉(zhuǎn)的周期大于水星繞太陽公轉(zhuǎn)的周期,則由此可以判定(  )
A.水星的密度大于地球的密度
B.水星的質(zhì)量大于地球的質(zhì)量
C.地球的向心加速度大于水星的向心加速度
D.地球到太陽的距離大于水星到太陽的距離

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科目: 來源: 題型:選擇題

14.勻強磁場中有一長方形閉合導(dǎo)線框,分別以相同的角速度繞圖a、b、c、d所示的固定轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn),用Ia、Ib、Ic、Id表示四種情況下線框中電流的有效值,則( 。
A.Ia>IdB.Ia>IbC.Ib>IcD.Ic=Id

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科目: 來源: 題型:選擇題

13.一列簡諧橫波沿x軸正方向傳播,圖甲是t=3s時的波形圖,圖乙是波中某質(zhì)點P的振動圖象(兩圖用同一時間起點),下列判斷正確的是( 。
A.質(zhì)點P在t=3s時正向y軸負方向振動B.質(zhì)點P在t=3s時的速度為零
C.質(zhì)點P的平衡位置可能是x=0D.質(zhì)點P的平衡位置可能是x=2m

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科目: 來源: 題型:選擇題

12.質(zhì)量為1kg的物體被人用手由靜止向上提高1m,這時物體的速度是2m/s,g取10m/s2,則下列說法中不正確的是( 。
A.手對物體做功12JB.合外力對物體做功12J
C.合外力對物體做功2JD.物體克服重力做功10J

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科目: 來源: 題型:選擇題

11.如圖所示,質(zhì)量為M的楔形物塊靜置在水平地面上,其斜面的傾角為θ.斜面上有一質(zhì)量為m的小物塊,小物塊與斜面之間存在摩擦.用恒力F沿斜面向上拉小物塊,使之勻速上滑.在小物塊運動的過程中,楔形物塊始終保持靜止.地面對楔形物塊的支持力為( 。
A.(M+m)gB.(M+m)g-FC.(M+m)g-FsinθD.(M+m)g+Fsinθ

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科目: 來源: 題型:選擇題

10.人類在探索自然規(guī)律的進程中總結(jié)了許多科學(xué)方法.如分析歸納法、演繹法、等效替代法、理想實驗法等.在下列研究中,運用理想實驗方法進行研究的是(  )
A.法拉第得出的電磁感應(yīng)規(guī)律
B.開普勒得出的行星運動定律
C.牛頓提出萬有引力定律
D.伽利略得出力不是維持物體運動原因的結(jié)論

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科目: 來源: 題型:解答題

9.如圖(甲)所示,一正方形單匝線框abcd放在光滑絕緣水平面上,線框邊長為L,質(zhì)量為m,電阻為R.該處空間存在一方向豎直向下的勻強磁場,其右邊界MN平行于ab,磁感應(yīng)強度B隨時間t變化的規(guī)律如圖(乙)所示,求:
(1)若線框保持靜止,求在t0時間內(nèi)線框產(chǎn)生的感應(yīng)電流I;
(2)若線框從零時刻起,在一水平拉力作用下由靜止開始做勻加速直線運動,加速度大小為a,經(jīng)過時間t0線框cd邊剛要離開邊界MN.求在此過程中拉力所做的功;
(3)在(2)的情形下,為使線框在離開磁場的過程中,仍以加速度a做勻加速直線運動,試求線框在離開磁場的過程中水平拉力F隨時間t的變化關(guān)系.

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科目: 來源: 題型:解答題

8.如圖所示,真空中有一直角坐標系xOy,M、N分別是y軸和x軸上的兩點.該空間內(nèi)有一勻強電場,方向沿y軸負方向.一質(zhì)量為m、電荷量為+q的粒子從M點以速度v0沿x軸正方向射出,恰能通過N點.已知OM=d,ON=2d,不計粒子重力.
(1)求該勻強電場場強E的大小;
(2)若撤去該勻強電場,在垂直于xOy平面加一勻強磁場,仍讓這個帶電粒子從M點以速度v0沿x軸正方向射出,粒子仍通過N點,求所加勻強磁場磁感應(yīng)強度B的大小和方向.

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科目: 來源: 題型:填空題

7.將-個枕形金屬導(dǎo)體AB放一絕緣底座上,現(xiàn)將一帶正電的物體C靠近AB的左端,如圖所示.則在枕形導(dǎo)體的A端將感應(yīng)出負電荷(選填“正”或“負”),導(dǎo)體內(nèi)部O點的電場強度為0.

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科目: 來源: 題型:多選題

6.利用霍爾效應(yīng)測量磁感應(yīng)強度的原理如圖所示,元件中通以正x方向的電流I,置于沿z軸方向的磁場中,其前、后表面垂直于z軸,在元件上、下表面之間產(chǎn)生電勢差U.若磁感應(yīng)強度B=B0+kz(B0、k均為常數(shù)),由于沿z軸方向位置不同,電勢差U 也不同,則( 。
A.若該元件的載流子是電子,則下表面電勢高
B.如果電流I不變,電勢差U越大,該處磁感應(yīng)強度B越大
C.在z軸上某一位置處,電流I越大,元件上、下表面間的電勢差U越大
D.k越大,在z軸上兩不同位置上測得的電勢差U的差值越大

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