一個(gè)用半導(dǎo)體材料制成的電阻器D，其電流I隨它兩端的電壓U的關(guān)系圖象如圖24－4甲所示，將它與兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)電阻R₁、R₂并聯(lián)后接在電壓恒為U的電源上，如圖24－4乙所示，三個(gè)用電器消耗的電功率均為P.現(xiàn)將它們連成如圖24－4丙所示的電路，仍然接在該電源的兩端，設(shè)電阻器D和電阻R₁、R₂消耗的電功率分別是P_D、P₁、P₂，它們之間的大小關(guān)系是(　　)

圖24－4

A．P₁＝4P₂                               B．P_D＜P₂

C．P₁＜4P₂                               D．P_D＞P₂

兩根材料相同的均勻?qū)Ь�A和B，其長度分別為L和2L，串聯(lián)在電路中時(shí)沿長度方向電勢的變化如圖24－3所示，

圖24－3

則A和B導(dǎo)線的橫截面積之比為(　　)

A．2∶3

B．1∶3

C．1∶2

D．3∶1

把六個(gè)相同的小燈泡接成如圖24－2甲、乙所示的電路，調(diào)節(jié)變阻器使燈泡正常發(fā)光，甲、乙兩電路所消耗的功率分別用P_甲和P_乙表示，則下列結(jié)論中正確的是(　　)

圖24－2

A．P_甲＝P_乙                              B．P_甲＝3P_乙

C．P_乙＝3P_甲                             D．P_乙＞3P_甲

如圖24－1所示，厚度均勻的矩形金屬薄片邊長ab＝10 cm，bc＝5 cm.當(dāng)將A與B接入電壓為U的電路中時(shí)，電流為1A；若將C與D接入同一電路中，則電流為(　　)

A．4 A　　　B．2 A　　　C. A　　　D. A

功率為10 W的發(fā)光二極管(LED燈)的亮度與功率為60 W的白熾燈相當(dāng)．根據(jù)國家節(jié)能戰(zhàn)略，2016年前普通白熾燈應(yīng)被淘汰．假設(shè)每戶家庭有2只60 W的白熾燈，均用10  W的LED燈替代，估算出全國一年節(jié)省的電能最接近(　　)

A．8×10⁸ kW·h                         B．8×10¹⁰ kW·h

C．8×10¹¹ kW·h                         D．8×10¹³ kW·h

我國北京正、負(fù)電子對撞機(jī)的儲存環(huán)是周長為240 m的近似圓形軌道．當(dāng)環(huán)中的電流為10 mA時(shí)(設(shè)電子的速度是光速的1/10)，則在整個(gè)環(huán)中運(yùn)行的電子數(shù)目為(電子電荷量e＝1.60×10^{－19 C)(}　　)

A．5×10¹¹　　　　　　                   B．5×10¹⁰

C．1×10²                               D．1×10⁴

下列有關(guān)電現(xiàn)象的說法中正確的是(　　)

A．導(dǎo)體中沒有電流時(shí)，導(dǎo)體內(nèi)的自由電荷也是運(yùn)動的

B．歐姆定律適用于一切導(dǎo)體

C．W＝UIt適用于一切電功的計(jì)算

D．熱敏電阻阻值都是隨溫度的升高而增大的

下列說法中正確的是(　　)

A．每種金屬都有確定的電阻率，電阻率不隨溫度變化

B．導(dǎo)體材料的電阻率與其粗細(xì)長短無關(guān)

C．一般金屬的電阻率都隨溫度升高而降低

D．測電阻率時(shí)為了提高精度，通過導(dǎo)線的電流要足夠大，而且要等到穩(wěn)定一段時(shí)間后才可讀數(shù)

如圖23－14所示，在真空區(qū)域Ⅰ、Ⅱ中存在兩個(gè)勻強(qiáng)電場，其電場線方向豎直向下，在區(qū)域Ⅰ中有一個(gè)帶負(fù)電的粒子沿電場線以速度v₀勻速下落，并進(jìn)入?yún)^(qū)域Ⅱ(電場范圍足夠大)．下列能描述粒子在這兩個(gè)電場中運(yùn)動的速度­時(shí)間圖象(圖23－15)的是(以v₀方向?yàn)檎�方�?(　　)

圖23－14

圖23－15

如圖23－13所示為研究電子槍中電子在電場中運(yùn)動的簡化模型示意圖．在Oxy平面的第一象限，存在以x軸、y軸及雙曲線y＝的一段(0≤x≤L,0≤y≤L)為邊界的勻強(qiáng)電場Ⅰ；在第二象限存在勻強(qiáng)電場Ⅱ(－2L≤x≤－L,0≤y≤L)．兩個(gè)電場大小均為E，不計(jì)電子所受重力．求

圖23－13

(1)從電場Ⅰ的邊界B點(diǎn)處由靜止釋放電子，電子離開MNPQ時(shí)的位置；

(2)由電場Ⅰ的AB曲線邊界處由靜止釋放電子離開MNPQ時(shí)的最小動能．