如圖所示，ABC和DEF是在同一豎直平面內(nèi)的兩條光滑軌道，其中ABC的末端水平，DEF是半徑為r=0.4m的半圓形軌道，其直徑DF沿豎直方向，C、D可看作重合�，F(xiàn)有一質(zhì)量為m=1kg可視為質(zhì)點(diǎn)的小球從軌道ABC上距C點(diǎn)高為H的地方由靜止釋放，
（1）若要使小球經(jīng)C處水平進(jìn)入軌道DEF且能沿軌道運(yùn)動(dòng)，H至少要有多高？
（2）若小球靜止釋放處離C點(diǎn)的高度h小于（1）中H的最小值，小球可擊中與圓心等高的E點(diǎn)，求h。（取g=10m/s²）
（3）若小球自H=0.3m處靜止釋放，求小球到達(dá)F點(diǎn)對(duì)軌道的壓力大小。

如圖所示，兩塊平行金屬板A、B帶有等量異種電荷，豎直固定在光滑絕緣的小車上，小車的總質(zhì)量為M，整個(gè)裝置靜止在光滑的水平面上．質(zhì)量為m、帶電量為q的小球以初速度v₀沿垂直金屬板的方向從B板底部小孔射入，且恰好不與A板相碰，求A、B金屬板間的電勢(shì)差？

質(zhì)量為m₁=2kg的帶電絕緣球A，在光滑水平面上，從無限遠(yuǎn)處以初速度10m/s，向另一個(gè)固定在水平面上帶同號(hào)電荷的絕緣球B靠近，B球的質(zhì)量為m₂=3kg，在它們相距到最近時(shí)，它們具有的電勢(shì)能為______J．

如圖所示，A、B為不帶電平行金屬板，間距為d，構(gòu)成的電容器電容為C．質(zhì)量為m、電量為q的帶電液滴一滴一滴由A板小孔上方距A板高h(yuǎn)處以v₀初速射向B板．液滴到達(dá)B板后，把電荷全部轉(zhuǎn)移在B板上．求到達(dá)B板上的液滴數(shù)目最多不能超過多少？

如圖所示，虛線表示等勢(shì)面，相鄰兩等勢(shì)面間的電勢(shì)差相等，有一帶電的小球在該電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)，不計(jì)小球所受的重力和空氣阻力，實(shí)線表示該帶正電的小球的運(yùn)動(dòng)軌跡，小球在a點(diǎn)的動(dòng)能等于20eV，運(yùn)動(dòng)到b點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能等于2eV，若取C點(diǎn)為零電勢(shì)點(diǎn)，則這個(gè)帶電小球的電勢(shì)能等于-6eV，它的動(dòng)能等于（　�。�

A．16eV

B．14eV

C．6eV

D．4ev

如圖所示，某空間有一豎直向下的勻強(qiáng)電場(chǎng)，電場(chǎng)強(qiáng)度E，一塊足夠大的接地金屬板水平放置在勻強(qiáng)電場(chǎng)中，在金屬板的正上方高度h的a處有一微粒源，盒內(nèi)微粒以V₀的初速度向水平面以下的各個(gè)方向均勻放出質(zhì)量為m，電荷量為q的帶正電微粒，粒子最終落在金屬板b上．求：（要考慮微粒的重力，阻力不計(jì)）
（1）微粒源所在處a點(diǎn)的電勢(shì)？
（2）帶電微粒打在金屬板上時(shí)的動(dòng)能？
（3）從微粒源射出的粒子打在金屬板上的范圍（所形成的面積）？若使帶電微粒打在金屬板上的范圍增大，可以通過改變哪些物理量來實(shí)現(xiàn)？（至少答兩種）

如圖所示，兩平行金屬板水平放置，板間存在豎直向下的勻強(qiáng)電場(chǎng)．一帶電粒子以初速度V₀沿上板邊緣垂直于電場(chǎng)線射入勻強(qiáng)電場(chǎng)，它剛好貼著下板邊緣飛出．已知?jiǎng)驈?qiáng)電場(chǎng)兩極板長L，間距為d，（粒子的重力忽略不計(jì)）求：
（1）如果帶電粒子的初速度變?yōu)?V₀，則離開電場(chǎng)時(shí)，沿場(chǎng)強(qiáng)方向的側(cè)向位移y為多少？
（2）如果帶電粒子的初速度變?yōu)?V₀，粒子離開電場(chǎng)后繼續(xù)運(yùn)動(dòng)，當(dāng)它的豎直位移仍為d時(shí)，它的水平位移x為多少？
（3）如果帶電粒子的初速度變?yōu)?V₀，粒子離開電場(chǎng)時(shí)動(dòng)能與帶電粒子以初速度V₀射入勻強(qiáng)電場(chǎng)后離開電場(chǎng)時(shí)動(dòng)能之比？

一個(gè)帶正電的微粒，從A點(diǎn)射入水平方向的勻強(qiáng)電場(chǎng)中，微粒沿直線AB運(yùn)動(dòng)，AB與電場(chǎng)線夾角θ．已知帶電微粒的質(zhì)量m，電量q，A、B相距L．則以下說法不正確的是（　�。�

A．微粒在電場(chǎng)中可能做勻速運(yùn)動(dòng)

B．電場(chǎng)強(qiáng)度的大小為 mg qtanθ ，方向水平向左

C．微粒在電場(chǎng)中一定做勻減速運(yùn)動(dòng)，且加速度的大小為 g sinθ

D．要使微粒從A點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到B點(diǎn)，微粒進(jìn)入電場(chǎng)時(shí)的最小動(dòng)能是 mgL sinθ

如圖所示，足夠長的水平粗糙軌道與固定在水平面上的光滑弧形軌道在P點(diǎn)相切，質(zhì)量為m的滑塊B靜止于P點(diǎn)；質(zhì)量為2m的滑塊A由靜止開始沿著光滑弧形軌道下滑，下滑的起始位置距水平軌道的高度為h，滑塊A在P點(diǎn)與靜止的滑塊B碰撞后，兩滑塊粘合在一起共同向左運(yùn)動(dòng)．兩滑塊均可視為質(zhì)點(diǎn)，且與水平軌道的動(dòng)摩擦因素均為μ，P點(diǎn)切線水平．求：
（1）滑塊A到達(dá)P點(diǎn)與B碰前瞬間的速度大小；
（2）兩滑塊最終停止時(shí)距P點(diǎn)的距離．

帶電粒子M只在電場(chǎng)力作用下由P點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到Q點(diǎn)，在此過程中克服電場(chǎng)力做了2.6×10^-6J 的功．那么，（　�。�

A．M在P點(diǎn)的電勢(shì)能一定小于它在Q點(diǎn)的電勢(shì)能

B．P點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)一定小于Q點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)

C．P點(diǎn)的電勢(shì)一定高于Q點(diǎn)的電勢(shì)

D．M在P點(diǎn)的動(dòng)能一定大于它在Q點(diǎn)的動(dòng)能