科目: 來(lái)源:不詳 題型:單選題
A.電勢(shì)越高場(chǎng)強(qiáng)越大 |
B.沿著電場(chǎng)線方向電勢(shì)降低 |
C.電勢(shì)降落的方向必定是電場(chǎng)強(qiáng)度的方向 |
D.電勢(shì)為零的點(diǎn),場(chǎng)強(qiáng)不一定為零 |
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科目: 來(lái)源:不詳 題型:單選題
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科目: 來(lái)源:不詳 題型:單選題
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科目: 來(lái)源:不詳 題型:單選題
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科目: 來(lái)源:不詳 題型:單選題
A.豎直向下,E="0.4" N/C |
B.水平向右,E="0.4" N/C |
C.水平向左,E="40" N/C |
D.水平向右,E="40" V/m |
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科目: 來(lái)源:不詳 題型:單選題
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科目: 來(lái)源:不詳 題型:計(jì)算題
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科目: 來(lái)源:不詳 題型:單選題
A.1.0 V | B.2.0 V | C.3.0 V | D.4.0 V |
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科目: 來(lái)源:不詳 題型:單選題
A. | B. |
C. | D. |
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科目: 來(lái)源:不詳 題型:單選題
A.膜內(nèi)電場(chǎng)強(qiáng)度約為5×105 V/m |
B.膜內(nèi)電場(chǎng)強(qiáng)度約為2×105 V/m |
C.每個(gè)鈉離子沿電場(chǎng)方向透過(guò)膜時(shí)電場(chǎng)力做功約為6.4×10-20 J |
D.每個(gè)鈉離子沿電場(chǎng)方向透過(guò)膜時(shí)電場(chǎng)力做功約為1.6×10-19 J |
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