【題目】以下說法正確的是( )
A. 物體運動的位移越大,其速度一定越大
B. 物體運動的時間越短,其速度一定越大
C. 速度是表示物體運動快慢的物理量
D. 做勻速直線運動的物體,其位移跟時間的比值是一個恒量
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【題目】某次科學實驗中,從高溫環(huán)境中取出一個如圖所示的圓柱形導熱氣缸,把它放在大氣壓強為P0=latm、溫度為t0=27℃的環(huán)境中自然冷卻。該氣缸內壁光滑,容積為V=lm3,開口端有一厚度可忽略的活塞。開始時,氣缸內密封有溫度為t=447℃、壓強為P=1.2atm的理想氣體,將氣缸開口向右固定在水平面上,假設氣缸內氣體的所有變化過程都是緩慢的。求:
(1)活塞剛要向左移動時,氣缸內氣體的溫度t1;
(2)最終氣缸內氣體的體積V1;
(3)在整個過程中,氣缸內氣體對外界___(填“做正功”“做負功”或“不做功”),氣缸內氣體放出的熱量__(填“大于”“等于”或“小于”)氣體內能的減少量。
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【題目】用一個中子轟擊92235U,可發(fā)生裂變反應生成Ba和Kr,已知U的質量為235.043 9u,Ba的質量為140.9139u,Kr的質量為91.8973u,中子質量為1.008 7u,
(1)請寫出裂變中的核反應方程,
(2)求一個U在裂變反應中釋放的核能
(3)lgU全部反應釋放的能量為多少?
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【題目】在半導體離子注入工藝中,初速度可忽略的磷離子P+和P3+,經電壓為U的電場加速后,垂直進入磁感應強度大小為B、方向垂直紙面向里,有一定的寬度的勻強磁場區(qū)域,如圖所示.已知離子P+在磁場中轉過θ=30°后從磁場右邊界射出.在電場和磁場中運動時,離子P+和P3+ ( )
A. 在電場中的加速度之比為1:1
B. 在磁場中運動的半徑之比為
C. 在磁場中轉過的角度之比為1:2
D. 離開電場區(qū)域時的動能之比為1:3
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【題目】某興趣小組利用自由落體運動測定重力加速度,實驗裝置如圖所示。 傾斜的球槽中放有若干個小鐵球,閉合開關K,電磁鐵吸住第1個小球。 手動敲擊彈性金屬片M,M 與觸頭瞬間分開, 第1 個小球開始下落,M 迅速恢復,電磁鐵又吸住第2 個小球.當?shù)?/span>1 個小球撞擊M 時,M 與觸頭分開,第2 個小球開始下落…….這樣,就可測出多個小球下落的總時間.
(1)在實驗中,下列做法正確的有_________.
A.電路中的電源只能選用交流電源 |
B.實驗前應將M 調整到電磁鐵的正下方 |
C.用直尺測量電磁鐵下端到M 的豎直距離作為小球下落的高度 |
D.手動敲擊M 的同時按下秒表開始計時 |
(2)實驗測得小球下落的高度H =1.980 m,10 個小球下落的總時間T =6.5 s.可求出重力加速度g =______
(結果保留兩位有效數(shù)字)
(3)在不增加實驗器材的情況下,請?zhí)岢鰷p小實驗誤差的兩個辦法.
(4)某同學考慮到電磁鐵在每次斷電后需要時間Δt 磁性才消失,因此,每個小球的實際下落時間與它的測量時間相差Δt,這導致實驗誤差較大。 為此,他分別取高度H1和H2,測量n個小球下落的總時間T1和T2.他是否可以利用這兩組數(shù)據(jù)消除Δt 對實驗結果的影響? 請推導說明.
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【題目】如圖所示,質量為m=1 kg的小物塊由靜止輕輕放在水平勻速運動的傳送帶上,從A點隨傳送帶運動到水平部分的最右端B點,經半圓軌道C點沿圓弧切線進入豎直光滑的半圓軌道,恰能做圓周運動.C點在B點的正上方,D點為軌道的最低點.小物塊離開D點后,做平拋運動,恰好垂直于傾斜擋板打在擋板跟水平面相交的E點.已知半圓軌道的半徑R=0.9 m,D點距水平面的高度h=0.75 m,取g=10 m/s2,試求:
(1)摩擦力對小物塊做的功;
(2)小物塊經過D點時對軌道壓力的大。
(3)傾斜擋板與水平面間的夾角θ.
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【題目】理想變壓器原副線圈的匝數(shù)比為11:1,原線圈輸入電壓為,電阻, ,兩電表均為理想交流電表;瑒幼冏杵的最大阻值為,在滑動變阻器的觸頭由最上端向下移動的過程中,下列說法正確的是
A. 原線圈中輸入電流的最小值約為0.05A
B. 電壓表的讀數(shù)逐漸減小
C. 電流表的讀數(shù)逐漸減小
D. 電壓表讀數(shù)和電流表讀數(shù)的乘積先變大后變小
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【題目】對于做勻速圓周運動的物體,下面說法錯誤的是( )
A. 相等的時間里通過的路程相等
B. 相等的時間里通過的弧長相等
C. 相等的時間里發(fā)生的位移相同
D. 相等的時間里轉過的角度相等
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【題目】一定質量的氣體,經等溫壓縮,氣體的壓強增大,用分子動理論的觀點分析,這是因為
A. 氣體分子每次碰撞器壁的平均作用力增大
B. 單位時間內單位面積器壁上受到氣體分子碰撞的次數(shù)增多
C. 氣體分子的總數(shù)增加
D. 氣體分子的密度增大
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