一正方形閉合導線框abcd,邊長L=0.1 m,各邊電阻均為1 Ω,bc邊位于x軸上,在x軸原點O右方有寬L=0.1 m、磁感應強度為1 T、方向垂直紙面向里的勻強磁場區(qū)域,如圖所示,當線框以恒定速度4 m/s沿x軸正方向穿越磁場區(qū)域過程中,下面各圖可正確表示線框從進入到穿出磁場過程中,ab邊兩端電勢差Uab隨位置變化情況的是(    )

 

B

解析:由題知ab邊進入磁場做切割磁感線運動時,據(jù)閉合電路知識,Uab=BLv=0.3 V,且a點電勢高于b點電勢,同理ab邊出磁場后cd邊進入磁場做切割磁感線運動,Uab=BLv=0.1 V,a點電勢高于b點電勢,故B正確,A、C、D錯誤。


練習冊系列答案
相關(guān)習題

科目:高中物理 來源: 題型:

一正方形閉合導線框abcd的邊長L=0.1m,各邊電阻為1Ω,bc邊位于x軸上,在x軸原點O右方有寬L=0.1m、磁感應強度為1T、方向垂直紙面向里的勻強磁場區(qū)域,如圖所示,當線框以恒定速度4m/s沿x軸正方向穿越磁場區(qū)域過程中,則圖中能正確表示線框從進入到穿出磁場過程中,ab邊兩端電勢差Uab隨位置變化情況的是( 。

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科目:高中物理 來源: 題型:

一正方形閉合導線框abcd邊長l=0.1m,各邊電阻均為lΩ,bc邊位于x軸上,在x軸原點O 右方有寬L=0.1m的磁感應強度為l T、方向垂直于紙面向里的勻強磁場區(qū)域,如圖所示.在線框以恒定速度4m/s沿x軸正方向穿越磁場區(qū)域的過程中,下列各圖中,能正確表示線框從進入到穿出磁場過程中,ab邊兩端電勢差Uab和回路中電流I(設順時針方向為正方向)隨導線框ab邊位置變化情況的是(  )

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科目:高中物理 來源: 題型:

精英家教網(wǎng)一正方形閉合導線框abcd,邊長為L=0.1m,線框總電阻為0.1Ω,bc邊位于x軸上且b點與坐標原點O重合.在x軸原點O的右側(cè)有寬度為0.2m、方向垂直紙面向里的勻強磁場區(qū)域,磁場的磁感應強度為1.0T,如圖所示.當線框以4.0m/s的速度沿x軸正方向勻速運動穿過磁場區(qū)域時,選項中的圖表示的是線框從進入磁場到穿出磁場的過程中,線框電流I(規(guī)定順時針方向為電流的正方向)、線框所受安培力F(規(guī)定水平向左為力的正方向)隨ab邊位置變化的情況,其中正確的是(  )
A、精英家教網(wǎng)B、精英家教網(wǎng)C、精英家教網(wǎng)D、精英家教網(wǎng)

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科目:高中物理 來源:2007-2008學年北京市朝陽區(qū)高二(上)期末物理試卷(解析版) 題型:選擇題

一正方形閉合導線框abcd的邊長L=0.1m,各邊電阻為1Ω,bc邊位于x軸上,在x軸原點O右方有寬L=0.1m、磁感應強度為1T、方向垂直紙面向里的勻強磁場區(qū)域,如圖所示,當線框以恒定速度4m/s沿x軸正方向穿越磁場區(qū)域過程中,則圖中能正確表示線框從進入到穿出磁場過程中,ab邊兩端電勢差Uab隨位置變化情況的是( )

A.
B.
C.
D.

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科目:高中物理 來源:2007-2008學年江蘇省常州市金壇市華羅庚中學高二(上)月考物理試卷(12月份)(解析版) 題型:選擇題

一正方形閉合導線框abcd的邊長L=0.1m,各邊電阻為1Ω,bc邊位于x軸上,在x軸原點O右方有寬L=0.1m、磁感應強度為1T、方向垂直紙面向里的勻強磁場區(qū)域,如圖所示,當線框以恒定速度4m/s沿x軸正方向穿越磁場區(qū)域過程中,則圖中能正確表示線框從進入到穿出磁場過程中,ab邊兩端電勢差Uab隨位置變化情況的是( )

A.
B.
C.
D.

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