【題目】如圖是一次衛(wèi)星發(fā)射過程，先將衛(wèi)星發(fā)射進(jìn)入繞地球的較低圓形軌道Ⅰ，然后在a點(diǎn)使衛(wèi)星進(jìn)入橢圓形的轉(zhuǎn)移軌道Ⅱ，再在橢圓軌道的遠(yuǎn)地點(diǎn)b使衛(wèi)星進(jìn)入同步軌道Ⅲ，則下列說法正確的是

A. 衛(wèi)星在軌道Ⅰ的速率小于衛(wèi)星在軌道Ⅲ 的速率

B. 衛(wèi)星在軌道Ⅰ的周期大于衛(wèi)星在軌道Ⅲ的周期

C. 衛(wèi)星運(yùn)動(dòng)到軌道Ⅰ的a點(diǎn)時(shí)，需減速才可進(jìn)入軌道Ⅱ

D. 衛(wèi)星運(yùn)動(dòng)到軌道Ⅱ的b點(diǎn)時(shí)，需加速才可進(jìn)入軌道Ⅲ

【答案】D

【解析】由萬有引力提供向心力得：，解得：，衛(wèi)星在軌道Ⅰ的半徑小于衛(wèi)星在軌道Ⅲ的半徑，故衛(wèi)星在軌道Ⅰ的速率大于衛(wèi)星在軌道Ⅲ的速率，故A錯(cuò)誤；由萬有引力提供向心力得：，解得：，衛(wèi)星在軌道Ⅰ的半徑小于衛(wèi)星在軌道Ⅲ的半徑，故衛(wèi)星在軌道Ⅰ的周期小于衛(wèi)星在軌道Ⅲ的周期，故B錯(cuò)誤；衛(wèi)星運(yùn)動(dòng)到軌道Ⅰ的a點(diǎn)時(shí)，衛(wèi)星要進(jìn)入軌道Ⅱ做離心運(yùn)動(dòng)，萬有引力小于需要的向心力，故要加速，故C錯(cuò)誤；衛(wèi)星運(yùn)動(dòng)到軌道Ⅱ的b點(diǎn)時(shí)，衛(wèi)星要進(jìn)入軌道Ⅲ做離心運(yùn)動(dòng)，萬有引力小于需要的向心力，故要加速，故D正確，故選D.

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，在光滑的水平面上，有一質(zhì)量為M，邊長為l，電阻為R的正方形均勻金屬線框，BC邊與虛線PQ平行，PQ右側(cè)有豎直向上的勻強(qiáng)磁場，磁場寬度大于l，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B。線框通過一水平細(xì)線繞過光滑定滑輪懸掛一質(zhì)量為m的物體，現(xiàn)由靜止釋放物體，當(dāng)線框有一半進(jìn)入磁場時(shí)已勻速運(yùn)動(dòng)，當(dāng)?shù)氐闹亓铀俣葹?/span>g，線框從開始運(yùn)動(dòng)到AD邊剛進(jìn)入磁場過程中

A. 剛釋放線框的瞬間，線框的加速度為

B. 細(xì)繩拉力的最小值為

C. 線框恰全部進(jìn)入磁場時(shí)，產(chǎn)生的熱量等于

D. 線框有一半進(jìn)入磁場時(shí)與線框AD邊剛進(jìn)入磁場時(shí)BC兩端的電壓大小之比為3:4

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示,水平面上AB間有一長度x=4m的凹槽,長度為L=2m、質(zhì)量M=1kg的木板靜止于凹槽右側(cè),木板厚度與凹槽深度相同,水平面左側(cè)有一半徑R=0.4m的豎直半圓軌道,右側(cè)有一個(gè)足夠長的圓弧軌道,A點(diǎn)右側(cè)靜止一質(zhì)量m1=0.98kg的小木塊.射釘槍以速度v0=100m/s射出一顆質(zhì)量m0=0.02kg的鐵釘,鐵釘嵌在木塊中并滑上木板,木板與木塊間動(dòng)摩擦因數(shù)μ=0.05,其它摩擦不計(jì).若木板每次與A、B相碰后速度立即減為0,且與A、B不粘連,重力加速度g=10m/s2.求:

（1）鐵釘射入木塊后共同的速度V;

（2）木塊經(jīng)過豎直圓軌道最低點(diǎn)C時(shí),對軌道的壓力大小FN;

（3）木塊最終停止時(shí)離A點(diǎn)的距離s.

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】下列說法中正確的是

A. 由可知，若電阻兩端所加電壓為0，則此時(shí)電阻阻值為0

B. 由E=F/q可知，若檢驗(yàn)電荷在某處受電場力大小為0，說明此處場強(qiáng)大小一定為0

C. 由B=F/IL可知，若一小段通電導(dǎo)體在某處受磁場力大小為0，說明此處磁感應(yīng)強(qiáng)度大小一定為0

D. 由可知，若通過回路的磁通量大小為0，則感應(yīng)電動(dòng)勢的大小也為0

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】光電倍增管可將光信號轉(zhuǎn)化為電信號并逐級放大，其前兩個(gè)平行倍增極結(jié)構(gòu)如圖。當(dāng)頻率為的入射光照射到第1倍增極的上表面MN時(shí)，極板上表面逸出大量速率不同、沿各個(gè)方向運(yùn)動(dòng)的光電子，空間加上垂直紙面的勻強(qiáng)磁場，可使從MN逸出的部分光電子打到第2倍增極的上表面PQ。已知第1倍增極金屬的逸出功為W，兩個(gè)倍增極長度均為d，水平間距為，豎直間距為，光電子電量為e、質(zhì)量為m，普朗克常量為h，僅考慮光電子在紙面內(nèi)運(yùn)動(dòng)且只受洛倫茲力作用。

（1）求從MN上逸出的光電子的最大速率。

（2）若以最大速率、方向垂直MN逸出的光電子可以全部到達(dá)PQ，求磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小和方向。

（3）若保持（2）中的磁場不變，關(guān)閉光源后，發(fā)現(xiàn)仍有光電子持續(xù)擊中PQ，求關(guān)閉光源后光電子持續(xù)擊中PQ的時(shí)間。

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖甲所示直線是一條電場線，A、B是該線上的兩點(diǎn)。一正電荷由A點(diǎn)以一定初速度沿電場線從A運(yùn)動(dòng)到B，運(yùn)動(dòng)過程中的v-t圖線如圖乙所示，則下列說法中正確的是（ ）

A. 該電場是非勻強(qiáng)電場

B. A、B兩點(diǎn)的電勢相比一定是φA＜φB

C. A、B兩點(diǎn)的場強(qiáng)大小相比一定是EA＜EB

D. 該電荷在兩點(diǎn)的電勢能大小相比一定是EpA＞EpB

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示，半徑為R的透明半球體，在半球體右側(cè)平行底面放置一個(gè)光屏�，F(xiàn)在有一束平行單色光垂直半球底面射向透明半球體，經(jīng)半球體折射后在光屏上形成光斑，將光屏由半球體頂部向右平移至距頂部處時(shí)，光斑逐漸減小為半徑為的圓。已知光在真空中的傳播速度為c，求：

①透明半球體對該單色光的折射率；

②從底面圓心Ｏ處射入的單色光在透明半球體內(nèi)傳播的時(shí)間。

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】如圖所示的電路中，R1、R2是定值電阻，R3是滑動(dòng)變阻器，電源的內(nèi)阻不能忽略，電流表A和電壓表V均為理想電表．閉合開關(guān)S，當(dāng)滑動(dòng)變阻器的觸頭P從右端滑至左端的過程，下列說法中正確的是（ ）

A. 電壓表V的示數(shù)增大

B. 電流表A的示數(shù)減小

C. 電容器C所帶的電荷量減小

D. 電阻R1的電功率增大

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科目：高中物理 來源： 題型：

【題目】基于人的指紋具有終身不變性和唯一性的特點(diǎn)，發(fā)明了指紋識別技術(shù)。目前許多國產(chǎn)手機(jī)都有指紋解鎖功能，常用的指紋識別傳感器是電容式傳感器，如圖所示。指紋的凸起部分叫“嵴”，凹下部分叫“峪”。傳感器上有大量面積相同的小極板，當(dāng)手指貼在傳感器上時(shí)，這些小極板和正對的皮膚表面部分形成大量的小電容器，這樣在嵴處和峪處形成的電容器的電容大小不同。此時(shí)傳感器給所有的電容器充電后達(dá)到某一電壓值，然后電容器放電，電容值小的電容器放電較快，根據(jù)放電快慢的不同，就可以探測到嵴和峪的位置，從而形成指紋圖像數(shù)據(jù)。根據(jù)文中信息，下列說法正確的是 （ ）

A. 在峪處形成的電容器電容較大

B. 充電后在嵴處形成的電容器的電荷量大

C. 在峪處形成的電容器放電較慢

D. 潮濕的手指頭對指紋識別絕對沒有影響

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