質(zhì)譜議的構(gòu)造原理如圖所示．從粒子源S出來時的粒子速度很小，可以看作初速為零，粒子經(jīng)過電場加速后進入有界的垂直紙面向里的勻強磁場區(qū)域，并沿著半圓周運動而達到照相底片上的P點，測得P點到入口的距離為x，則以下說法正確的是

A．粒子一定帶正電

B．粒子一定帶負電

C．x越大，則粒子的質(zhì)量與電量之比一定越大

D．x越大，則粒子的質(zhì)量與電量之比一定越小

 

【答案】

AC

【解析】由左手定則可判斷，A對；半徑為x/2，由可知C對；

 

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精英家教網(wǎng)質(zhì)譜議的構(gòu)造原理如圖所示．從粒子源S出來時的粒子速度很小，可以看作初速為零，粒子經(jīng)過電場加速后進入有界的垂直紙面向里的勻強磁場區(qū)域，并沿著半圓周運動而達到照相底片上的P點，測得P點到入口的距離為x，則以下說法正確的是（　　）

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：多選題

質(zhì)譜議的構(gòu)造原理如圖所示．從粒子源S出來時的粒子速度很小，可以看作初速為零，粒子經(jīng)過電場加速后進入有界的垂直紙面向里的勻強磁場區(qū)域，并沿著半圓周運動而達到照相底片上的P點，測得P點到入口的距離為x，則以下說法正確的是（　�。�
A．粒子一定帶正電
B．粒子一定帶負電
C．x越大，則粒子的質(zhì)量與電量之比一定越大
D．x越大，則粒子的質(zhì)量與電量之比一定越小
精英家教網(wǎng)

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質(zhì)譜議的構(gòu)造原理如圖所示．從粒子源S出來時的粒子速度很小，可以看作初速為零，粒子經(jīng)過電場加速后進入有界的垂直紙面向里的勻強磁場區(qū)域，并沿著半圓周運動而達到照相底片上的P點，測得P點到入口的距離為x，則以下說法正確的是（ ）

A．粒子一定帶正電
B．粒子一定帶負電
C．x越大，則粒子的質(zhì)量與電量之比一定越大
D．x越大，則粒子的質(zhì)量與電量之比一定越小

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質(zhì)譜議的構(gòu)造原理如圖所示．從粒子源S出來時的粒子速度很小，可以看作初速為零，粒子經(jīng)過電場加速后進入有界的垂直紙面向里的勻強磁場區(qū)域，并沿著半圓周運動而達到照相底片上的P點，測得P點到入口的距離為x，則以下說法正確的是

A．粒子一定帶正電
B．粒子一定帶負電
C．x越大，則粒子的質(zhì)量與電量之比一定越大
D．x越大，則粒子的質(zhì)量與電量之比一定越小

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