A. | t=0時,線框右側(cè)邊MN的兩端電壓為Bav0 | |
B. | 在t0時刻線框的速度為v0-$\frac{2F{t}_{0}}{m}$ | |
C. | 線框完全離開磁場的瞬間位置3速度一定比t0時刻線框的速度大 | |
D. | 線框從1位置進(jìn)入磁場到完全離開磁場位置3過程中,線框中產(chǎn)生的電熱為2Fb |
分析 (1)圖乙為速度-時間圖象,斜率表示加速度,根據(jù)圖象分析線框的運(yùn)動情況:在0~t0時間內(nèi)速度在減小,加速度也在減小,對應(yīng)甲圖中的進(jìn)入磁場的過程,在t0~3t0時間內(nèi)做勻加速直線運(yùn)動,對應(yīng)甲圖中的完全在磁場中運(yùn)動過程.
(2)當(dāng)通過閉合回路的磁通量發(fā)生變化時,閉合回路中產(chǎn)生感應(yīng)電流,所以只有在進(jìn)入和離開磁場的過程中才有感應(yīng)電流產(chǎn)生,根據(jù)安培定則可知,在此過程中才受到安培力.
(3)從1位置到2位置的過程中,外力做的功可以根據(jù)動能定理去求解.t因?yàn)閠=0時刻和t=3t0時刻線框的速度相等,進(jìn)入磁場和穿出磁場的過程中受力情況相同,故在位置3時的速度與t0時刻的速度相等,進(jìn)入磁場克服安培力做的功和離開磁場克服安培力做的功一樣多.
解答 解:A、t=0時,線框右側(cè)邊MN的兩端電壓為外電壓,總的感應(yīng)電動勢為:E=Bav0,外電壓U外=$\frac{3}{4}$E=$\frac{3}{4}$Bav0,故A錯誤;
B、根據(jù)圖象可知在t0~3t0時間內(nèi),線框做勻加速直線運(yùn)動,合力等于F,則在t0時刻線框的速度為v=v0-a•2t0=v0-$\frac{2F{t}_{0}}{m}$,故B正確.
C、因?yàn)閠=0時刻和t=3t0時刻線框的速度相等,進(jìn)入磁場和穿出磁場的過程中受力情況相同,故線框完全離開磁場時的速度與t0時刻的速度相等,故C錯誤.
D.因?yàn)閠=0時刻和t=3t0時刻線框的速度相等,進(jìn)入磁場和穿出磁場的過程中受力情況相同,故線框完全離開磁場時的速度與t0時刻的速度相等,進(jìn)入磁場克服安培力做的功和離開磁場克服安培力做的功一樣多.線框在位置1和位置3時的速度相等,根據(jù)動能定理,外力做的功等于克服安培力做的功,即有Fb=Q,所以線框穿過磁場的整個過程中,產(chǎn)生的電熱為2Fb,故D正確.
故選:BD.
點(diǎn)評 該圖象為速度--時間圖象,斜率表示加速度.根據(jù)加速度的變化判斷物體的受力情況.要注意當(dāng)通過閉合回路的磁通量發(fā)生變化時,閉合回路中產(chǎn)生感應(yīng)電流,所以只有在進(jìn)入和離開磁場的過程中才有感應(yīng)電流產(chǎn)生.該題難度較大.
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 向右,$\frac{V}{2}$ | B. | 向右,$\frac{V}{8}$ | C. | 向右,$\frac{3V}{8}$ | D. | 向左,$\frac{V}{8}$ |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 通過導(dǎo)線的電流為$\frac{I}{8}$ | |
B. | 通過導(dǎo)線的電流為$\frac{I}{16}$ | |
C. | 導(dǎo)線中自由電子定向移動的速率為$\frac{v}{4}$ | |
D. | 導(dǎo)線中自由電子定向移動的速率為$\frac{v}{2}$ |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 該金屬的極限頻率為4.2×1014Hz | |
B. | 該金屬的極限頻率為5.5×1014Hz | |
C. | 該圖線的斜率表示普朗克常量 | |
D. | 該金屬的逸出功為0.5 eV | |
E. | 光電子的最大初動能隨入射光頻率增大而增大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 微粒從B至C做加速運(yùn)動,且vC=4m/s | |
B. | 微粒先做減速運(yùn)動,后做加速運(yùn)動 | |
C. | 微粒運(yùn)動的最終速度為$\sqrt{5}$m/s | |
D. | 微粒最終可能返回至B點(diǎn),且過B點(diǎn)時的速度大小$\sqrt{5}$m/s |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | φ不變,E不變 | B. | E變小,Ep變大 | C. | Q變小,Ep不變 | D. | φ變小,Q不變 |
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