變壓器的鐵芯是利用薄硅鋼片疊壓而成,而不采用一整塊硅鋼,這是為了(  )

A.增大渦流,提高變壓器的效率

B.減小渦流,降低變壓器的效率

C.增大渦流,減小鐵芯的發(fā)熱量

D.減小渦流,減小鐵芯的發(fā)熱量


解析:選D.渦流的主要效應(yīng)之一就是熱效應(yīng),而變壓器的鐵芯發(fā)熱是我們所不希望出現(xiàn)的,故不采用整塊硅鋼,而采用薄硅鋼片疊壓在一起,目的是減少渦流,減小鐵芯的發(fā)熱量,進(jìn)而提高變壓器的效率.選D.


練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:


2. (多選)調(diào)零后,用“×10”擋測量一個(gè)電阻的阻值,發(fā)現(xiàn)表針偏轉(zhuǎn)的角度極小,下列判斷和做法正確的是(  )

A.這個(gè)電阻阻值很小

B.這個(gè)電阻阻值很大

C.為了把電阻測得更準(zhǔn)確一些,應(yīng)換用“×1”擋,重新調(diào)零后再測量

D.為了把電阻測得更準(zhǔn)確一些,應(yīng)換用“×100”擋,重新調(diào)零后再測量

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繞在同一鐵芯上的線圈Ⅰ、Ⅱ按如圖所示方法連接,G為電流計(jì),下列說法中正確的是(  )

A.開關(guān)S閉合的瞬間,G的示數(shù)不為零

B.保持開關(guān)S閉合,G的示數(shù)為零

C.保持開關(guān)S閉合,移動(dòng)變阻器R0滑動(dòng)觸頭的位置,G的示數(shù)為零

D.開關(guān)S斷開的瞬間,G的示數(shù)為零

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科目:高中物理 來源: 題型:


如圖所示,在勻強(qiáng)磁場中放有一平面與磁場方向垂直的金屬線圈abcd,在下列敘述中正確的是(  )

A.當(dāng)線圈沿磁場方向平動(dòng)過程中,線圈中無感應(yīng)電動(dòng)勢,無感應(yīng)電流

B.當(dāng)線圈沿垂直磁場方向平動(dòng)過程中,線圈中有感應(yīng)電動(dòng)勢,有感應(yīng)電流

C.當(dāng)線圈以bc為軸轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí),線圈中有感應(yīng)電動(dòng)勢,有感應(yīng)電流

D.當(dāng)線圈以cd為軸轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí),線圈中無感應(yīng)電動(dòng)勢,無感應(yīng)電流

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如圖所示,導(dǎo)體棒AB的長為2R,繞O點(diǎn)以角速度ω勻速轉(zhuǎn)動(dòng),OBR,且O、BA三點(diǎn)在一條直線上,有一磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場充滿轉(zhuǎn)動(dòng)平面且與轉(zhuǎn)動(dòng)平面垂直,那么AB兩端的電勢差為(  )

A.BωR2                      B.2BωR2

C.4BωR2                      D.6BωR2

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如圖所示,A、B兩圖是把帶絕緣層的線圈繞在軟鐵上,C、D兩圖是把帶絕緣層的線圈繞在有機(jī)玻璃上,則能產(chǎn)生渦流的是(  )

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如圖所示,A、B為大小、形狀均相同且內(nèi)壁光滑,但用不同材料制成的圓管.將它們豎直固定在相同高度.兩個(gè)相同的磁性小球,同時(shí)從A、B管上端的管口無初速度釋放,穿過A管的小球比穿過B管的小球先落到地面.下列關(guān)于兩管的描述可能正確的是(  )

A.A管是用鋁制成的,B管是用銅制成的

B.A管是用鋁制成的,B管是用膠木制成的

C.A管是用膠木制成的,B管是用塑料制成的

D.A管是用膠木制成的,B管是用鋁制成的

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)如圖(甲)所示,螺線管匝數(shù)n=3000匝,橫截面積S=20 cm2,螺線管的電阻r=1.5 Ω,R1=3.5 Ω,R2=25 Ω.穿過螺線管的磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B按圖(乙)所示規(guī)律變化,求R2的熱功率.

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一直升機(jī)停在南半球的地磁極上空.該處地磁場的方向豎直向上,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B.直升機(jī)螺旋槳葉片的長度為L,螺旋槳轉(zhuǎn)動(dòng)的頻率為f,逆著地磁場的方向看螺旋槳,螺旋槳順時(shí)針方向轉(zhuǎn)動(dòng).螺旋槳葉片的近軸端為a,遠(yuǎn)軸端為b,如果忽略a到轉(zhuǎn)軸中心線的距離,用E表示每個(gè)葉片中的感應(yīng)電動(dòng)勢,如圖所示,則(  )

A.E=πfL2B,且a點(diǎn)電勢低于b點(diǎn)電勢

B.E=2πfL2B,且a點(diǎn)電勢低于b點(diǎn)電勢

C.E=πfL2B,且a點(diǎn)電勢高于b點(diǎn)電勢

D.E=2πfL2B,且a點(diǎn)電勢高于b點(diǎn)電勢

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