如圖所示為一質(zhì)譜儀的構(gòu)造原理示意圖,整個(gè)裝置處于真空環(huán)境中,離子源N可釋放出質(zhì)量均為m、電荷量均為q(q>0)的離子.離子的初速度很小,可忽略不計(jì).離子經(jīng)S1、S2間電壓為U的電場(chǎng)加速后,從狹縫S3進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直于紙面向外的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,沿著半圓運(yùn)動(dòng)到照相底片上的P點(diǎn)處,測(cè)得P到S3的距離為x.求:
(1)離子經(jīng)電壓為U的電場(chǎng)加速后的速度v;
(2)離子的荷質(zhì)比 (q/m)
分析:(1)離子在加速電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí),電場(chǎng)力做正功qU,根據(jù)動(dòng)能定理求出速度v.
(2)粒子進(jìn)入磁場(chǎng)后做勻速圓周運(yùn)動(dòng),P到S3的距離為x等于軌跡的直徑2R,則R=
x
2
,根據(jù)牛頓第二定律求出比荷.
解答:解:(1)離子經(jīng)S1、S2間電壓為U的電場(chǎng)加速,根據(jù)動(dòng)能定理
         qU=
1
2
mv2
   得v=
2qU
m
            ①
    (2)設(shè)離子進(jìn)入磁場(chǎng)后做勻速圓周運(yùn)動(dòng)速率為v,半徑為R.
        由洛倫茲力提供向心力得,qvB=
mv2
R
  ②
        又因   R=
1
2
x                          ③
聯(lián)立①②③,解得
q
m
=
8U
B2x2

答:(1)離子經(jīng)電壓為U的電場(chǎng)加速后的速度得v=
2qU
m
;
    (2)離子的荷質(zhì)比
q
m
=
8U
B2x2
點(diǎn)評(píng):質(zhì)譜儀是電場(chǎng)和磁場(chǎng)知識(shí)在科技中的應(yīng)用.利用質(zhì)譜儀可以測(cè)定帶電粒子的質(zhì)量、比荷、分析同位素.
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

如圖所示為一質(zhì)譜儀的構(gòu)造原理示意圖,整個(gè)裝置處于真空環(huán)境中,離子源N可釋放出質(zhì)量相等、電荷量均為q(q>0)的離子.離子的初速度很小,可忽略不計(jì).離子經(jīng)S1、S2間電壓為U的電場(chǎng)加速后,從狹縫S3進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直于紙面向外的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,沿著半圓運(yùn)動(dòng)到照相底片上的P點(diǎn)處,測(cè)得P到S3的距離為x.求:
(1)離子經(jīng)電壓為U的電場(chǎng)加速后的動(dòng)能;
(2)離子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí)的動(dòng)量大;
(3)離子的質(zhì)量.

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

如圖所示為一質(zhì)譜儀的構(gòu)造原理示意圖,整個(gè)裝置處于真空環(huán)境中,離子源N可釋放出質(zhì)量均為m、電荷量均為q(q>0)的離子.離子的初速度很小,可忽略不計(jì).離子經(jīng)S1、S2間電壓為U的電場(chǎng)加速后,從狹縫S3進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直于紙面向外的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,沿著半圓運(yùn)動(dòng)到照相底片上的P點(diǎn)處,測(cè)得P到S3的距離為x.求:

(1)離子經(jīng)電壓為U的電場(chǎng)加速后的速度v;

(2)離子的比荷(q/m)

 

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來(lái)源:2011-2012學(xué)年廣西省高二3月月考物理卷(解析版) 題型:計(jì)算題

如圖所示為一質(zhì)譜儀的構(gòu)造原理示意圖,整個(gè)裝置處于真空環(huán)境中,離子源N可釋放出質(zhì)量均為m、電荷量均為q(q>0)的離子.離子的初速度很小,可忽略不計(jì).離子經(jīng)S1、S2間電壓為U的電場(chǎng)加速后,從狹縫S3進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直于紙面向外的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,沿著半圓運(yùn)動(dòng)到照相底片上的P點(diǎn)處,測(cè)得P到S3的距離為x.求:

(1)離子經(jīng)電壓為U的電場(chǎng)加速后的速度v;

(2)離子的比荷(q/m)

 

查看答案和解析>>

科目:高中物理 來(lái)源:浙江省高二上學(xué)期期末考試物理卷 題型:計(jì)算題

如圖所示為一質(zhì)譜儀的構(gòu)造原理示意圖,整個(gè)裝置處于真空環(huán)境中,離子源N可釋放出質(zhì)量均為m、電荷量均為q(q>0)的離子.離子的初速度很小,可忽略不計(jì).離子經(jīng)S1、S2間電壓為U的電場(chǎng)加速后,從狹縫S3進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直于紙面向外的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,沿著半圓運(yùn)動(dòng)到照相底片上的P點(diǎn)處,測(cè)得P到S3的距離為x.求:

(1)離子經(jīng)電壓為U的電場(chǎng)加速后的速度v;

(2)離子的比荷(q/m)

 

查看答案和解析>>

同步練習(xí)冊(cè)答案